【課題】リソグラフィー技術を用いたレジストパターン製造では、設計寸法がますます微細化していくことに従い、優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物が求められるようになってきた。
【解決手段】以下の（Ａ）及び式（Ｉ）で表される塩を含有するレジスト組成物。
（Ａ）酸不安定基を含む第１の構造単位と、ラクトン環を含む第２の構造単位とを有する樹脂；


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、ｎが０の場合、Ｌ^１は単結合ではない。Ｒ^１は、保護基により保護されたヒドロキシ基、又はヒドロキシ基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】耐熱性が高く、吸湿性が低く、しかも金属触媒を用いずに製造できる重合体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示される脂環式単量体（Ａ）に由来する構成単位を含むことよりなる。
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【課題】本発明は、良好な感度に加え、未露光部の膜厚変化量が少ない感放射線性樹脂組成物、この感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜、並びにその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］同一又は異なる重合体分子中に、下記式（１）で表される基を有する構造単位（Ｉ）及びエポキシ基を有する構造単位（ＩＩ）を含み、構造単位（Ｉ）の含有率が１０モル％以上９０モル％以下である重合体を含有する感放射線性樹脂組成物である。現像前の塗膜の膜厚Ｔ_０に対する現像後の膜厚Ｔ_１の膜厚変化率は、９０％以上であることが好ましい。
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【課題】優れた露光マージン（ＥＬ）を有するレジストパターンの提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、式（ＩＩ）で表される塩と、樹脂とを含有するレジスト組成物。




［式（Ｉ）及び式（ＩＩ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、フッ素原子等を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基等を表す。ｎは１又は２を表す。（Ｚ^１）^＋及び（Ｚ^２）^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びレジストパターン形状に優れ、且つ高感度なレジストパターンを形成できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）と、ヒドロキシアダマンチル基を有する（メタ）アクリレート単位（ａ５）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、酸分解性基を分解させるための活性化エネルギーが１００ｋＪ／ｍｏｌ以下であるレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｒ^１−５、Ｌ^１−ＣＨ_２−、Ｙは特定の基。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びレジストパターン形状に優れ且つ高感度なレジストパターンを形成できるレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（ａ５−１）で表される構成単位と、酸分解させるための活性化エネルギーの差が１〜５０ｋＪ／ｍｏｌである、少なくとも２種のアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。
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【課題】新規化合物、高分子化合物、レジスト組成物、酸発生剤及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（１−１）で表される化合物［式中、Ｒ^１、Ｒ^３はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、Ａは２価の連結基であり、Ｒ^２、Ｒ^４はそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、又は式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）又は（１−ａｎ３）で表される基である。n０は０又は１である。Ｙ¹は単結合又は−ＳＯ_２−であり、Ｒ^５はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の１価の炭化水素基、又は炭素数３〜２０の環状の部分構造を有する１価の炭化水素基である。Ｍ^＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
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【課題】パターン倒れ及び欠陥の少ないレジスト組成物の提供。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、−（ＣＨ_２）_ｍ１−、−（ＣＨ_２）_ｍ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ３−又は−（ＣＨ_２）_ｍ４−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ５−；ｍ１〜ｍ５はそれぞれ１〜６の整数；Ｒ²はフッ素原子を有する炭化水素基；Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｘ^１は２価の飽和炭化水素基；Ｒ^５は環状エーテル構造を含む基；Ｚ１^＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のＣＤ均一性が良好であり、レジストパターンを形成した場合に欠陥の発生数を低減することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）アルカリ現像液の作用により開裂する構造を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ¹は、−（ＣＨ_２）_ｍ１−、−（ＣＨ_２）_ｍ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ３−又は−（ＣＨ_２）_ｍ４−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ５−を表す。ｍ１〜ｍ５は、それぞれ独立に、１〜６の整数を表す。Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ²は、フッ素原子を有する炭化水素基；環Ｔ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；Ｚ^１は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等；Ｚ^２は、単結合又はカルボニル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】簡便かつ効率的な、金属不純物量が極めて少ない半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法及び該共重合体を製造するための重合開始剤の精製方法の提供。
【解決手段】本発明の重合体の製造に用いる重合開始剤の精製方法は、有機溶剤に溶解された重合開始剤の溶液を、公称孔径が１．０μｍ以下のフィルターに通液させて、重合開始剤溶液のナトリウム含有量を、重合開始剤の質量に対して、３００ｐｐｂ以下に低減させる、通液工程を含んでなるものである。さらに、本発明の半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法は、上記の精製方法により精製された重合開始剤の存在下、ラジカル重合反応により、該半導体リソグラフィー用重合体を合成する、重合工程を含むものである。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性が良好で、かつ欠陥が少ないパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ²は、フッ素原子を有する炭化水素基；環Ｔ^１は、スルトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクター（ＭＥＦ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基を構成する−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた露光マージン及びマスクエラーファクターを有し、且つ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、（Ｂ）酸発生剤並びに（Ｄ）式（ＩＩ１）で表される化合物及び式（ＩＩ２）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有するレジスト組成物。
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【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好で、レジストパターンを形成した場合に欠陥の発生数を低減することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、−（ＣＨ_２）_ｍ１−、−（ＣＨ_２）_ｍ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ３−等ｍ１〜ｍ３はそれぞれ１〜６の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】酸素透過性及び化学的耐久性に優れ、電解質構造を壊すことなく、Ｆ₂ガスによるフッ素化が可能であり、しかも、安価な電解質を提供すること。
【解決手段】次の（１）式及び（２）で表される構造を備えた電解質。但し、Ｐは、側鎖又は主鎖に多環式骨格を含む多環式構造。Ｑは、Ｒfsと結合する第１パーフルオロカーボンＱ₁を含む構造。Ｍは、水素、又は、アルカリ金属。ａは、０以上１００以下の整数。Ｒf₆、Ｒf₇は、それぞれ、フッ素、又は、炭素数が１〜１０のパーフルオロカーボン。ｔは、１以上１０以下の整数。Ｒfは、ＯＭ（ａ≧０の時）又は炭素数が１〜１０のパーフルオロカーボン（ａ≧１の時）。多環式骨格とは、２以上の環を持ち、前記環を構成する少なくとも１つの炭素が、２以上の前記環の一部となっている構造をいう。
【化１】
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【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有し、かつ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ¹は、−（ＣＨ_２）_ｍ１−、−（ＣＨ_２）_ｍ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ３−又は−（ＣＨ_２）_ｍ４−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｍ５−を表す。ｍ１〜ｍ５は、それぞれ独立に、１〜６の整数を表す。Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージンが良好であり、且つ欠陥が少ないレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^３は水素原子又はメチル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンを有するレジストパターンを得ることができる塩、酸発生剤、レジスト組成物等の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びこの塩を含む酸発生剤とレジスト組成物。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は、２価の炭素数１〜２０の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい；Ｗは、式（Ｗ１）〜式（Ｗ５）から選ばれる式で表される基；Ｚ^１＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）