【課題】リソグラフィー特性やパターン形状に優れたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸解離性溶解抑制基を含む化合物（Ａ）と、−ＳＯ_２−を含む環式基を有し、かつ酸解離性溶解抑制基を有さない化合物（Ｈ）とを含有し、化合物（Ａ）及び化合物（Ｈ）以外に酸発生剤成分を含有しないポジ型レジスト組成物；化合物（Ｈ）は、一般式（３−１）で表される基を含有する化合物であることが好ましい［式中、Ａ’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、ａは０〜２の整数であり、Ｒ^８はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Ｒ”は水素原子またはアルキル基である］。
［化１］
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【課題】ラフネスがより低減され、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ１）及び−ＳＯ_２−含有環式基を含む構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）と、一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物。一般式（ｃ１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基；Ｙ^１は２価の脂肪族炭化水素基；Ｒ^１は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基である。ｐは１〜１０の整数、Ａ^＋は有機カチオンを表す。
［化１］
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【課題】微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物を提供する。
【解決手段】露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、特定のスルホニウム塩を側鎖に有する構成単位を有する高分子化合物を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）及び増感剤（Ｇ）を有するポジ型レジスト組成物であって、増感剤（Ｇ）が２価以上の炭化水素基又は複素環からなるコア部と、コア部に結合し且つ式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ１）、及び分子量５００以上２００００以下のポリマーからなるコア部と、該コア部に結合し且つ式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ２）からなる群から選ばれる１種以上であり、基材成分（Ａ）が、露光により酸を発生し且つ酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分を含有するか、又はポジ型レジスト組成物が、さらに露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有する［Ｘ：酸解離性基を有する２価の連結基、Ｙ：ポリマー鎖］。
［化１］
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【課題】パターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に、第一のポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、第一のレジスト膜を露光し、露光後ベークを行い、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程（１）と、第一のレジストパターンが形成された支持体上に、第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤を含有する第二の膜形成用組成物を塗布して第二の膜を形成し、アルカリ現像することによりレジストパターンを形成する工程（２）とを有し、第一のポジ型レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分及び露光により酸を発生する酸発生剤成分）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分が酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を含有することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度及び形状を有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】炭素数が２又は３の環状エーテル構造及び酸に不安定な基を有する化合物に由来する構造単位を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、式（Ｂ１）で表される酸発生剤とを含むレジスト組成物。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^１は単結合又は置換基を有していてもよい２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表しす。Ｙ^１は炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の飽和環状炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表す。Ｚ^＋は、有機対カチオンを表す。］
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【課題】 その硬化物が高屈折率であって、光学材料として利用可能な低粘度の新規（メタ）アクリル酸エステルとその樹脂組成物、及び硬化物を提供すること。
【解決手段】 本発明で提供される（メタ）アクリル酸エステルは、フルオレンに対しスピロ炭素で環状構造が結合したスピロ環化合物であり、フルオレンを含む平面とスピロ炭素に結合する環状構造内の原子を含む平面が異なる平面に存在することから結晶性を引き下げつつ高屈折率な重合性モノマーを供給できる。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるアセタール化合物。


【効果】アセタール化合物から得られる繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜１０は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性等の安定性、親水性及び溶媒に対する溶解性に優れる高機能性高分子化合物の提供。
【解決手段】高分子化合物は、下記式（I-2）


［Ｘ²はメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を、n1は１又は２を示す。］で表されるモノマー単位等を有する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、前記第一のレジストパターンを溶解しない有機溶剤を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜を形成し、アルカリ現像することにより、前記第一のレジストパターンを除去してパターンを形成する工程とを有し、前記化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、酸発生剤成分（Ｂ）と、酸解離性溶解抑制基を有する基材成分（Ａ）とを含有し、前記パターン反転用組成物は、前記（Ａ）成分中の酸解離性溶解抑制基を解離し得る酸成分（Ｈ）と、酸解離性溶解抑制基を有さない基材成分（Ａ”）とを含有し、前記パターン反転用膜は、アルカリ現像液に対する溶解速度が０．３〜３．５ｎｍ／秒であるパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法、該方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤（Ｂ）を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜を露光する工程、該レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、前記（Ａ）として酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）、−ＳＯ_２−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を用いる。 （もっと読む）

【課題】現像時の膨潤が小さい高分子化合物の原料として有用なアクリル酸誘導体、該アクリル酸誘導体を含有する原料を重合して得られる高分子化合物、該高分子化合物を含有するＬＷＲが改善されたフォトレジスト組成物、並びに前アクリル酸エステルの製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式で示されるアクリル酸エステル誘導体。
【化１】


（式中、Ｒ^１は、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表す。Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、且つ、露光により酸を発生する基材成分（Ａ’）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ’）が、一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）と、露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物［式中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は２価の連結基であり、Ｒ^３は、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基である。］
。
［化１］
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【解決手段】カルボキシル基のＨが下記一般式（１）の酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、ヒドロキシ基、ラクトン環、エーテル基、エステル基、カルボニル基、シアノ基、環状の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、環状の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、カーボネート基から選ばれる密着性基を有する繰り返し単位とを共重合してなる樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】ポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高解像性で、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好な上、酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】優れた露光マージン及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができるフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物に由来する繰り返し単位及び式（ＩＩ）で表される化合物に由来する繰り返し単位を有する樹脂を含むフォトレジスト組成物。［Ｒ^１及びＲ^３１は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいＣ_１−６アルキル基を表す。Ｚ^１は、単結合又は＊−［ＣＨ₂］_ｓ３−ＣＯ−Ｌ^４−基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３及びＬ^４は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。Ｔは、骨格に−ＳＯ_２−を含む複素環基を表す。］
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【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、少なくとも特定の２つの構成単位を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた露光マージン及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができるフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）及び式（ＩＩ）で表される化合物に由来する繰り返し単位を有する樹脂を含むフォトレジスト組成物。［Ｒ^１及びＲ^３１は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいＣ_１−６アルキル基を表す。Ｚ^１は、単結合又は＊−［ＣＨ₂］_ｓ３−ＣＯ−Ｌ^４−基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３及びＬ^４は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。Ｚ²は、２価のＣ_１−１７飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｎ（Ｒ^３２）−で置き換わっていてもよい。Ｔは、骨格に−ＳＯ_２−を含む複素環基を表す。］
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【課題】リソグラフィー特性に優れ、パターン形成時の膜減りが抑制されたポジ型レジスト組成物、ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物、モノマーとして有用な化合物及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、ナフタレン環を含む解離性基を有するアクリル系化合物である構成単位を有する高分子化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】 高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(ＬＷＲ)、フォーカス余裕度(ＤＯＦ)およびパターン形状に優れる感活性光線または感放射線性樹脂組成物組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 感活性光線または感放射線樹脂組成物を基板上に塗布して膜を形成する工程、マスクを介して該膜を選択的に露光する工程、及び有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法であり、該感活性光線または感放射線樹脂組成物が、(Ａ)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、(Ｂ)活性光線または放射線の照射によりフッ素原子を含有する酸を発生する光酸発生剤、および(Ｃ)溶剤を含有してなり、光酸発生剤（Ｂ）の含有率が、該組成物の全固形分を基準として８〜２０質量％であるパターン形成方法。 （もっと読む）