【課題】パターン倒れ及び欠陥が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２は、フッ素原子を有する炭化水素基；環Ｔ^１は置換基を有していてもよいスルトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるとともに、得られたレジストパターンの欠陥が少なく、良好な形状が得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、（Ｂ）酸発生剤及び（Ｅ）溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ²はフッ素原子を有する炭化水素基；環Ｘ^１は置換されていてもよい複素環を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基；Ａ^１はアルカンジイル基；Ｒ^２はフッ素原子を有する炭化水素基；環Ｔ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；Ｚ^１は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等；Ｚ^２は、単結合又はカルボニル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、（Ｂ）酸発生剤及び（Ｅ）溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２は、フッ素原子を有する炭化水素基；環Ｔ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のスルトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ、ＬＷＲ、ＣＤＵ及び耐パターン倒れ性を十分に満足するレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物並びにこの感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）及び酸解離性基を有する構造単位を含む重合体、［Ｂ］下記式（２）で表される光崩壊性を有する塩、並びに［Ｃ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である。
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【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び環状ケトン溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい；Ａ^aa1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−１）で表される基を表す。］ （もっと読む）

【課題】感度、解像性、ＬＷＲ及び耐エッチング性に優れるレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物並びにこの感放射線性樹脂組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】式（１）で表される構造単位、式（２）で表される構造単位及び酸解離性基を有する構造単位を含む重合体、並びに酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】ブリッジ欠陥及びスカムの発生を抑制でき、かつＬＷＲ性能に優れ、良好な微細パターンを形成することが可能なレジスト膜用の感放射線性樹脂組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］炭素数５〜２１の直鎖状のアルキル基が結合している炭素原子と共に、核原子数４〜２０の２価の脂肪族環状炭化水素基又は脂肪族複素環基を側鎖に有するアクリル構造単位（Ｉ）を有する含フッ素重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性（ＣＤＵ）に優れ、欠陥の発生数も少ないレジストパターンを製造することができる樹脂及びレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位と、式（ａｂ）で表される構造単位とを有する樹脂及びこの樹脂を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa１及びＲ^ab1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３はフッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸の作用により、酸素原子との間の結合〔Ｏ−Ｒ^aa４〕が切断される１価の基；ｎ^aa１は１又は２；Ａ^aa１は、置換基を有していてもよい炭化水素基；Ａ^ab1は、置換基を有していてもよい炭化水素基；Ｒ^ab2は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】下記一般式（ａ０−０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する樹脂成分（Ａ）を含有し、露光により発生した酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。［化１］
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【課題】ポジ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて安定に形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜を露光する工程、及び該レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたポジ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、（Ａ）成分として、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位を有する樹脂成分を用い、現像液として極性有機溶剤を含み、実質的にアルカリ成分を含まない現像液を用いる。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）で、レジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位を有する樹脂と、式（Ｂ１）で表される酸発生剤と、溶剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基等；Ｒ^３は、式（ｂ）で表されるスルホラン環基；Ｒは、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は脂肪族炭化水素基；＊は、Ｒ^２との結合手を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンを有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、クエンチャーと、有機溶剤とを含み、該有機溶剤が互いに異なる４種以上の有機溶剤を含み、かつ該互いに異なる４種以上の有機溶剤のうちの少なくとも１種が環状ケトン系有機溶剤であるレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）のレジストパターンを製造することができるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂並びに該樹脂と酸発生剤とを含有するレジスト組成物。式中、Ｔ^１は置換基を有してもよいスルトン環であり、Ｚ^１は置換基を有してもよいアルカンジイル基又は式（ａ−１）である。
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【課題】導電性ポリマーの原料として有用な新規高分子化合物の提供。
【解決手段】


〔Ｒ¹は、−ＳＯ₂−Ｏ−、−Ｏ−又は−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−を示し、Ｒ²は、重合性官能基を示し、ｎは、１〜６の整数である。〕を重合させて得られる高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れ、良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として好適な高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、基材成分（Ａ）として、一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５）を有する高分子化合物（Ａ１）を含むレジスト組成物。
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【課題】アルコール系溶剤を含有する有機溶剤に溶解してなるレジスト組成物において、微細な寸法のパターンを良好な形状で形成できるレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを、アルコール系溶剤を含有する有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、酸の作用により極性が増大する共重合体（Ａ１）を含有し、該共重合体（Ａ１）は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位（ａ２）が分子内で均一に分散して配置されているものであることを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、一般式（１）で示される基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｘ、ＹはＣＨ又は窒素原子、ｍは１又は２、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜４のアルキル基であり、ｎは０又は１である。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、酸の拡散を抑える効果が高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはＥＢ描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性のパターンを製造できるレジスト組成物及び該組成物に有用な樹脂の提供。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂及び該樹脂、酸発生剤、溶剤とを有する組成物。


［式（ａａ）中、Ｔ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンで、レジストパターンを製造できるレジスト組成物及び該レジスト組成物に有用な樹脂などを提供する。
【解決手段】以下の〔１〕及び〔２〕の提供。〔１〕式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂及び当該構造単位を誘導する化合物。


［式（ａａ）中、Ｔ^１は、置換基を有していてもよい炭素数４〜３４のスルトン環基。Ｒ^aは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基。Ｚ^１は、＊−Ｘ^１−ＣＯ−（但し、Ｘ^１は、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基）で表される基などを表す。］〔２〕前記樹脂と、酸発生剤と、溶剤とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）