【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好なレジスト組成物に好適な塩及びレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。
Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^１は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ^１は、ヒドロキシ基又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｌは、０〜３の整数を表す。ｍは、０〜３の整数を表す。ｎは、１〜３の整数を表す。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］、及び、当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含むレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、−ＳＯ_２−含有環式基を含む構成単位（ａ０）を有する重合体；該重合体を含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、式（Ｉ）で表される塩とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｌ^２は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。Ｙ^１は、芳香族炭化水素基を含む炭素数６〜３０の２価の有機基を表す。Ｒ^１は、炭素数１〜１２のフッ化アルキル基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）に優れ、欠陥の少ないレジストパターンを製造することのできる化合物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ^１は、式（ａ−ｇ１）


式（ａ−ｇ１）中、Ｙ^１は、アントラセン環、フルオレン環又はフェナントレン環を含む２価の有機基を表す。Ｒ²は、炭素数１〜１２のフッ化アルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＮ、−ＳＯ_２ＮＨ_２及び−ＣＯＮＨ_２からなる群より選択される少なくとも一種の基を含む構成単位（ａ３）を有する重合体；該重合体を含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なフォトレジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】分岐状アルキレン基もしくは脂環式基上のヒドロキシ基が酸不安定基で置換された側鎖を有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】上記パターン形成方法で得られるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示される重合性エステル化合物。


【効果】重合性エステル単量体は、波長５００ｎｍ以下、特に波長３００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。 （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は炭素数２〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基のうち、環Ｗと結合するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わらない。環Ｗは、炭素数２〜３６の複素環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた形状でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のスルトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】組成物の保存時におけるパーティクル発生の抑制能に優れ、且つ、経時による線幅変動が抑制されたパターン形成を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びこの組成物の製造方法を提供することにある。更に、本発明の目的は、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する第１樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｃ）溶剤として少なくともアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、該組成物中に溶存する酸素の濃度と窒素の濃度の合計が０．１８０μｇ／μｌ以下である組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；環Ｗ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基を表す。] （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹は、式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基又はオキシカルボニルオキシ基；環ＷＲ^２は、置換基を有していてもよいラクトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】アニオン基を有する水溶性モノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、当該前駆体ポリマーを水で洗浄した後、当該前駆体ポリマーを有機カチオンと塩交換させることを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。当該高分子化合物の製造方法により製造された高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好であり、あるいはマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物。


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）；ｓは０又は１；Ａ¹⁰及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基；Ａ¹¹は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は単結合；Ｘ¹⁰及びＸ¹¹は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基；ただし、Ａ¹⁰、Ａ¹¹、Ａ¹²、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹の合計炭素数は６以下；Ｒ^２は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】解像性に優れ、リソグラフィー特性やパターン形状が良好なレジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、側鎖に−ＳＯ_２−含有環式基を有するアクリルアミド系構成単位（ａ０−１）と、露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンでレジストパタ−ンを製造できるレジスト組成物及び当該レジスト組成物の酸発生剤として有用である塩を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂、溶剤及び式（Ｉ）で表される塩を含有するレジスト組成物、並びに前記塩の提供。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２はアルキル基を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高解像性のレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上にレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れると共に、現像後のディフェクトの発生を抑制でき、かつ、リソグラフィー特性やパターン形状が良好なレジスト組成物、レジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物及びその製造方法の提供。
【解決手段】側鎖に−ＳＯ_２−含有環式基を有するアクリルアミド構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、前記構成単位（ａ０）の含有割合が５０モル％未満である樹脂成分（Ａ１）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを得ることができるポジ型レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含むポジ型レジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は、ヒドロキシ基、アルキル基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基、脂環式及び芳香族炭化水素基はヒドロキシ基又はアルキル基で置換されていてもよい；Ｘ^１は、２価の飽和炭化水素基を表し、２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい；Ｒ^２は飽和炭化水素基；ｕ１は０〜２の整数、ｓ１は１又は２、ｔ１は０又は１、但し、ｓ１＋ｔ１は１又は２である。］ （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基により保護された部分構造を有する繰り返し単位を含有するベース樹脂と光酸発生剤と架橋剤と有機溶剤を共に含み、架橋剤がオキシラン環又はオキセタン環から選ばれる官能基を分子内に２つ以上有する化合物であるレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像において解像性が高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す特徴を有する。 （もっと読む）