【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好であり、あるいはマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有するレジスト組成物。


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）；ｓは０又は１；Ａ¹⁰及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基；Ａ¹¹は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は単結合；Ｘ¹⁰及びＸ¹¹は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基；ただし、Ａ¹⁰、Ａ¹¹、Ａ¹²、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹の合計炭素数は６以下；Ｒ^２は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表す。］

【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び
（Ｂ）酸発生剤を含有するレジスト組成物。

［式（ａ）中、
Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^２は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。
Ａ^１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）で表される基を表す。

（式（ａ−ｇ１）中、
ｓは０又は１を表す。
Ａ¹⁰及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。
Ａ¹¹は、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。
Ｘ¹⁰及びＸ¹¹は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
ただし、Ａ¹⁰、Ａ¹¹、Ａ¹²、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹の炭素数の合計は６以下である。）］
【請求項２】
さらに、溶剤（Ｄ）を含む請求項１記載のレジスト組成物
【請求項３】
（１）請求項１又は２記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。

【公開番号】特開２０１２−２５６０１１（Ｐ２０１２−２５６０１１Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８５８５１（Ｐ２０１１−１８５８５１）
【出願日】平成２３年８月２９日（２０１１．８．２９）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】