【課題】解像性に優れると共に、現像後のディフェクトの発生を抑制でき、かつ、リソグラフィー特性やパターン形状が良好なレジスト組成物、レジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物及びその製造方法の提供。
【解決手段】側鎖に−ＳＯ_２−含有環式基を有するアクリルアミド構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、前記構成単位（ａ０）の含有割合が５０モル％未満である樹脂成分（Ａ１）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）は、下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、前記構成単位（ａ０）の含有割合が５０モル％未満である樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^１は２価の連結基であり、Ｒ^２は−ＳＯ_２−含有環式基であり、ｖは０又は１である。］
【請求項２】
前記構成単位（ａ１）が、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１１）である請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
支持体上に、請求項１又は２記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項４】
下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、前記構成単位（ａ０）の含有割合が５０モル％未満である高分子化合物。
【化２】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^１は２価の連結基であり、Ｒ^２は−ＳＯ_２−含有環式基であり、ｖは０又は１である。］
【請求項５】
前記構成単位（ａ１）が、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１１）である請求項４記載の高分子化合物。
【請求項６】
請求項４又は５記載の高分子化合物の製造方法であって、重合溶媒として含窒素溶媒を用いることを特徴とする高分子化合物の製造方法。

【公開番号】特開２０１２−２５２０７７（Ｐ２０１２−２５２０７７Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２３２６１（Ｐ２０１１−１２３２６１）
【出願日】平成２３年６月１日（２０１１．６．１）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】