【課題】優れたＣＤ均一性のパターンを製造できるレジスト組成物及び該組成物に有用な樹脂の提供。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂及び該樹脂、酸発生剤、溶剤とを有する組成物。


［式（ａａ）中、Ｔ^１は、置換基を有していてもよいスルトン環基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンで、レジストパターンを製造できるレジスト組成物及び該レジスト組成物に有用な樹脂などを提供する。
【解決手段】以下の〔１〕及び〔２〕の提供。〔１〕式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂及び当該構造単位を誘導する化合物。


［式（ａａ）中、Ｔ^１は、置換基を有していてもよい炭素数４〜３４のスルトン環基。Ｒ^aは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基。Ｚ^１は、＊−Ｘ^１−ＣＯ−（但し、Ｘ^１は、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基）で表される基などを表す。］〔２〕前記樹脂と、酸発生剤と、溶剤とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【解決手段】芳香族基を繰り返し単位の２０〜１００モル％の範囲で有し、かつ酸によってアルカリに溶解する高分子化合物を含む第１のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第１のレジスト膜を形成する工程と、第１のレジスト膜上に第１のレジスト膜を溶解させない炭素数３〜８のアルキルアルコールを溶媒とする第２のポジ型レジスト材料を塗布して、第２のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光し、ベーク後、現像液を用いて前記第１と第２のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、現像後に基板面を開口させることができる。
本発明では、第２層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したり、イオンを打ち込んだりするときの耐性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的はラインアンドスペースパターンでのＬＷＲに加え、パターン矩形性を改良し、またコンタクトホールパターンでの円形性や狭ピッチでの真円性保持能力が改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスに適合した感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体、及び［Ｂ］下記式（２）で表される化合物を含む酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
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【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）を十分に満足するレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位とラクトン環を有する構造単位とを含む樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位を有する樹脂及び式（Ｂ１）で表される塩を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は水素原子又はメチル基；Ａ^１は、単結合、脂肪族炭化水素基等；Ａ^２は炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基；環Ｗ^１は炭素数４〜３６の脂肪族環；環Ｗ^２は、炭素数４〜１８のラクトン環；Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基；Ｌ^b1は、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基；Ｙは置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基；Ｚ⁺は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性が良好で、レジストパターン形状も良好なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、一般式（ｄ１）で表される含窒素有機化合物（Ｄ１）とを含有するレジスト組成物。
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【課題】リソグラフィー特性に優れるレジスト材料に用いられる高分子化合物の原料となる（メタ）アクリル酸エステル誘導体を製造するにあたり、工業的に入手容易な原料を用い、安全で安価に工業的規模で製造することが可能となる合成中間体を提供すること、および該合成中間体を用いた（メタ）アクリル酸エステル誘導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるジカルボン酸モノエステル誘導体、および該ジカルボン酸モノエステル誘導体を用いた（メタ）アクリル酸エステル誘導体の製造方法。


（式中、Ｒ¹は、水素原子または−ＣＯＯＲ²（Ｒ²は、炭素数１〜５のアルキル基を表すか、または炭素数１〜３のアルキル基で置換された若しくは無置換の炭素数３〜１０の環状炭化水素基を表す。）を表す。Ｙは、メチレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｚは、＞Ｃ＝Ｏまたは＞Ｓ（＝Ｏ）₂を表す。また、ｎは、１〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法、および該方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、前記（Ａ）として、酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を用いる。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（ｂ１−１）［式中、Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有するレジスト組成物。
［化１］
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【課題】特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】カチオンを有するカチオン性繰り返し単位（Ａ）、
前記カチオンとイオン対を形成するアニオンを有し、かつ活性光線又は放射線の照射により前記カチオンから解離して酸を発生するアニオン性繰り返し単位（Ｂ）、及び
酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位（Ｃ）を有する樹脂（Ｐ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高屈折性、高アッベ数、高耐熱性、高光線透過率、低吸水性を有する樹脂材料を提供すること。
【解決手段】脂肪族多環構造を有する繰り返し単位を含むポリマーであって、前記脂肪族多環構造の環骨格を構成する２以上の原子が前記ポリマーの主鎖を構成しており、かつ、前記繰り返し単位がスルホニル基を環骨格の構成基として含む脂肪族環を有していることを特徴とするポリマー。 （もっと読む）

【課題】形状の優れたレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する第１の構造単位と、式（ａ０）で表される化合物に由来する第２の構造単位とを有する樹脂及び（Ｂ）酸発生剤を含むレジスト組成物。
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【課題】高屈折性、高アッベ数、高耐熱性、高光線透過率、低吸水性を有する樹脂材料を提供すること。
【解決手段】脂肪族多環構造を有する繰り返し単位を含むポリマーであって、前記繰り返し単位内において主鎖を構成する原子から酸素１原子または硫黄１原子を介して前記脂肪族多環構造が結合しており、かつ、前記繰り返し単位がスルホニル基を環骨格の構成基として含む脂肪族環を有していることを特徴とするポリマー。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像度で、ラフネス（ＬＷＲ）が小さく、露光後のパターン形状が良好であるポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）で示される基を有する繰り返し単位ａと、カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位ｂとを含む、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の高分子化合物をベース樹脂として含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。
【化１】
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【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位と、ラクトン環を有する繰り返し単位の両方を含有する（メタ）アクリレート共重合体と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、３−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸２−フェニルエチルから選ばれる溶剤１種以上を４０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位ａと、ラクトン環を有する繰り返し単位ｂを含有する（メタ）アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として２−ヘプタノンを５０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。


（式中、Ｒ2は酸不安定基である。）
【効果】安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の２回の現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、有機溶剤とアルカリ水による２回の現像によって１本のラインを２本に分割し、マスクパターンの２倍の解像力を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度のパターンを形成することが可能なレジスト組成物の樹脂用の化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ^１は、単結合又は＊−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＯ−Ｏ−を表し、＊は−Ｏ−との結合手を表し、ｍは１〜４の整数を表す。Ｂ^１は、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。Ｂ^２は、−ＣＨ_２−、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。環Ｗ^１は、置換基を有していてもよい芳香環を表す。］
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【課題】リソグラフィー特性やパターン形状に優れたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ’）を含有し、基材成分（Ａ’）以外に酸発生剤成分を含有しないポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ’）が、一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）と、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ１）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物［式中、Ｒ^１は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は単結合又は２価の連結基であり、Ｒ^３は、その環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基である。］
［化１］
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