レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】下記一般式（ａ０−０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する樹脂成分（Ａ）を含有し、露光により発生した酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。［化１］
【解決手段】下記一般式（ａ０−０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する樹脂成分（Ａ）を含有し、露光により発生した酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。［化１］
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物であって、
前記樹脂成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【化１】
［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｒ０−１は単結合または２価の連結基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、Ｒ３、Ｒ４は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく；Ｘは、非芳香族の２価の連結基または単結合である。］
【請求項２】
前記樹脂成分（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する樹脂成分である、請求項１に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項３】
前記樹脂成分（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項２に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項４】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位、およびα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−ＳＯ２−含有環式基を含む構成単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位（ａ２）を有する、請求項３に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項５】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、極性基含有炭化水素基を含む構成単位（ａ３）を有する、請求項３または４に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項６】
支持体上に、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶまたはＥＢにより露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項７】
下記一般式（ａ０−０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物。
【化２】
［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｒ０−１は単結合または２価の連結基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、Ｒ３、Ｒ４は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく；Ｘは、非芳香族の２価の連結基または単結合である。］
【請求項８】
酸の作用により極性が増大するものである、請求項７に記載の高分子化合物。
【請求項９】
さらに、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項８に記載の高分子化合物。
【請求項１０】
さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位、およびα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−ＳＯ２−含有環式基を含む構成単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位（ａ２）を有する、請求項９に記載の高分子化合物。
【請求項１１】
さらに、極性基含有炭化水素基を含む構成単位（ａ３）を有する、請求項９または１０に記載の高分子化合物。
【請求項１】
露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物であって、
前記樹脂成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【化１】
［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｒ０−１は単結合または２価の連結基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、Ｒ３、Ｒ４は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく；Ｘは、非芳香族の２価の連結基または単結合である。］
【請求項２】
前記樹脂成分（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する樹脂成分である、請求項１に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項３】
前記樹脂成分（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項２に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項４】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位、およびα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−ＳＯ２−含有環式基を含む構成単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位（ａ２）を有する、請求項３に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項５】
前記樹脂成分（Ａ１）が、さらに、極性基含有炭化水素基を含む構成単位（ａ３）を有する、請求項３または４に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物。
【請求項６】
支持体上に、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶまたはＥＢにより露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項７】
下記一般式（ａ０−０−１）で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物。
【化２】
［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり；Ｒ０−１は単結合または２価の連結基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、Ｒ３、Ｒ４は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく；Ｘは、非芳香族の２価の連結基または単結合である。］
【請求項８】
酸の作用により極性が増大するものである、請求項７に記載の高分子化合物。
【請求項９】
さらに、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項８に記載の高分子化合物。
【請求項１０】
さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位、およびα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−ＳＯ２−含有環式基を含む構成単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位（ａ２）を有する、請求項９に記載の高分子化合物。
【請求項１１】
さらに、極性基含有炭化水素基を含む構成単位（ａ３）を有する、請求項９または１０に記載の高分子化合物。
【公開番号】特開２０１２−１７３６４２（Ｐ２０１２−１７３６４２Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３７５３４（Ｐ２０１１−３７５３４）
【出願日】平成２３年２月２３日（２０１１．２．２３）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月２３日（２０１１．２．２３）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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