ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
【課題】ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）及び増感剤（Ｇ）を有するポジ型レジスト組成物であって、増感剤（Ｇ）が２価以上の炭化水素基又は複素環からなるコア部と、コア部に結合し且つ式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ１）、及び分子量５００以上２００００以下のポリマーからなるコア部と、該コア部に結合し且つ式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ２）からなる群から選ばれる１種以上であり、基材成分（Ａ）が、露光により酸を発生し且つ酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分を含有するか、又はポジ型レジスト組成物が、さらに露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有する［Ｘ：酸解離性基を有する２価の連結基、Ｙ：ポリマー鎖］。
［化１］
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）及び増感剤（Ｇ）を有するポジ型レジスト組成物であって、増感剤（Ｇ）が２価以上の炭化水素基又は複素環からなるコア部と、コア部に結合し且つ式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ１）、及び分子量５００以上２００００以下のポリマーからなるコア部と、該コア部に結合し且つ式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ２）からなる群から選ばれる１種以上であり、基材成分（Ａ）が、露光により酸を発生し且つ酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分を含有するか、又はポジ型レジスト組成物が、さらに露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有する［Ｘ：酸解離性基を有する２価の連結基、Ｙ：ポリマー鎖］。
［化１］
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び増感剤（Ｇ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記増感剤（Ｇ）が、２価以上の炭化水素基または複素環からなるコア部と、該コア部に結合し、且つ、下記一般式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ１）、及び、
分子量５００以上、２００００以下のポリマーからなるコア部と、該コア部に結合し、且つ、下記一般式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ２）からなる群から選ばれる１種以上であり、
前記基材成分（Ａ）が、露光により酸を発生し、且つ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ１）を含有するか、又は、前記ポジ型レジスト組成物が、さらに、露光により酸を発生する化合物からなる酸発生剤成分（Ｂ）を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
［Ｘは酸解離性基を有する２価の連結基であり、Ｙはポリマー鎖である。］
【請求項２】
前記（Ａ１）が下記一般式（ａ０−２−１０）又は（ａ０−２−２０）で表される基を有する露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）を含むことを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
［式中、Ａは単結合又は２価の連結基であり、Ｒ４は置換基を有していてもよいアリーレン基であり、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ独立に有機基であり、Ｒ５、Ｒ６は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Ｘ−は対アニオンであり、Ｒｆ１、Ｒｆ２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Ｒｆ１、Ｒｆ２のうち少なくとも１つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、ｎは１〜８の整数であり、Ｍｍ＋は対カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。］
【請求項３】
前記構成単位（ａ０−２）が、下記一般式（ａ０−２−１）又は（ａ０−２−２）で表される構成単位である請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ａは単結合又は２価の連結基であり、Ｒ４は置換基を有していてもよいアリーレン基であり、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ独立に有機基であり、Ｒ５、Ｒ６は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Ｘ−は対アニオンであり、Ｒｆ１、Ｒｆ２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Ｒｆ１、Ｒｆ２のうち少なくとも１つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、ｎは１〜８の整数であり、Ｍｍ＋は対カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。］
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び増感剤（Ｇ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記増感剤（Ｇ）が、２価以上の炭化水素基または複素環からなるコア部と、該コア部に結合し、且つ、下記一般式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ１）、及び、
分子量５００以上、２００００以下のポリマーからなるコア部と、該コア部に結合し、且つ、下記一般式（１）で表される少なくとも１つのアーム部とを有する高分子化合物（Ｇ２）からなる群から選ばれる１種以上であり、
前記基材成分（Ａ）が、露光により酸を発生し、且つ、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ１）を含有するか、又は、前記ポジ型レジスト組成物が、さらに、露光により酸を発生する化合物からなる酸発生剤成分（Ｂ）を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
［Ｘは酸解離性基を有する２価の連結基であり、Ｙはポリマー鎖である。］
【請求項２】
前記（Ａ１）が下記一般式（ａ０−２−１０）又は（ａ０−２−２０）で表される基を有する露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）を含むことを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
［式中、Ａは単結合又は２価の連結基であり、Ｒ４は置換基を有していてもよいアリーレン基であり、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ独立に有機基であり、Ｒ５、Ｒ６は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Ｘ−は対アニオンであり、Ｒｆ１、Ｒｆ２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Ｒｆ１、Ｒｆ２のうち少なくとも１つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、ｎは１〜８の整数であり、Ｍｍ＋は対カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。］
【請求項３】
前記構成単位（ａ０−２）が、下記一般式（ａ０−２−１）又は（ａ０−２−２）で表される構成単位である請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ａは単結合又は２価の連結基であり、Ｒ４は置換基を有していてもよいアリーレン基であり、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ独立に有機基であり、Ｒ５、Ｒ６は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、Ｘ−は対アニオンであり、Ｒｆ１、Ｒｆ２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Ｒｆ１、Ｒｆ２のうち少なくとも１つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、ｎは１〜８の整数であり、Ｍｍ＋は対カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。］
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【公開番号】特開２０１２−３０７５（Ｐ２０１２−３０７５Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３８５３６（Ｐ２０１０−１３８５３６）
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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