【課題】従来の乾燥ゲルは、温度変化による膨張収縮の度合いが小さいため、乾燥ゲルを他の物体に取り付けて用いる場合、他の物体と乾燥ゲルとの温度変化による伸縮の度合いが大きく異なり、強度の弱い乾燥ゲルに割れが生じたり、剥離したりする課題がある。
【解決手段】本発明の乾燥ゲルは、それを構成する材料の工夫により柔軟性をもたせる。柔軟性は、乾燥ゲルの材料であるオルガノシラン化合物９を、加水分解性有機基１２と、非加水分解性有機基１０が同一のケイ素１１に直接結合したものを含有するようにすることで得られる。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)、(2)、(3)の化合物を含む加水分解性シランモノマー混合物の共加水分解・縮合により得たシリコーン樹脂、
(B)酸発生剤、
(C)含窒素有機化合物、
(D)有機溶剤
を含有するレジスト組成物。


R⁵R⁶_qSiX_3-q (2)
R⁷R⁸_rSiX_3-r (3)
(R¹、R²、R³は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基で、少なくとも一つはフッ素原子を含む。R⁴は炭化水素基、R⁵は官能基として酸分解性保護基で保護されたカルボキシル基を持つ有機基、R⁶はR⁴と同定義、R⁷は官能基としてラクトン環を有する有機基、R⁸はR⁴と同定義。Xは水素原子、塩素原子、臭素原子又はアルコキシ基、pは0又は1、qは0又は1、rは0又は1。)
【効果】本発明のレジスト組成物は、従来の近接位炭素がフッ素化されたアルコールを極性基とする組成物と同等以上の解像性を示し、酸素反応性エッチングにおけるエッチング選択比の問題もなく、ArF露光の２層レジスト法に好適である。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)〜(3)の化合物を含む加水分解性シランモノマー混合物の共加水分解・縮合により得たシリコーン樹脂、
(B)酸発生剤、
(C)含窒素有機化合物、
(D)有機溶剤
を含有するレジスト組成物。


R³R⁴_qSiX_3-q (2)
R⁵R⁶_rSiX_3-r (3)
(R¹はフッ素原子、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基。R²は炭化水素基、R³は官能基として酸分解性保護基で保護されたカルボキシル基を持つ有機基、R⁴はR²と同定義、R⁵は官能基としてラクトン環を有する有機基、R⁶はR²と同定義。Xは水素原子、塩素原子、臭素原子又はアルコキシ基、pは0又は1、qは0又は1、rは0又は1。)
【効果】本発明のレジスト組成物は、従来の近接位炭素がフッ素化されたアルコールを極性基として使用したレジスト組成物に対し同等以上の解像性を示し、酸素反応性エッチングにおいて有機材料である下層膜との間でエッチング選択比がとれないという問題を解決でき、ArF露光における2層レジスト法に好適である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜に適した、誘電率特性、膜強度に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物。


式中、Ｒ¹は水素原子または非加水分解性基を表し、Ｘは加水分解性基を表す。Ｒ²は水素原子または置換基を表す。ｍは３または４であり、ｎは０〜３の整数であるが、式（Ｉ）で表される分子内には、Ｘとして少なくとも１つの加水分解性基が存在する。Ｒ¹、Ｒ²、Ｘの各々について、複数存在するときは同じでも異なっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 低い誘電率の絶縁材料を形成できる化合物、該化合物を含有する絶縁材料形成用組成物、該組成物より得られる絶縁材料を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)で表される化合物、その加水分解物および／または縮合物を含有することを特徴とする絶縁材料形成用組成物。
【化１】


一般式（１）中、Ｒ₁〜Ｒ₈は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基又はシリルオキシ基を表わす。ただし、Ｒ₁〜Ｒ₈で表される基のうち少なくとも１つは、置換基として下記一般式（２）で表わされる基を有するアルキル基、アリール基、アルコキシ基又はシリルオキシ基を表わす。
【化２】


一般式（Ｓ２）中、Ｘは加水分解性基を表し、Ｒ₉はアルキル基、アリール基又はヘテ
ロ環基を表す。ｍは１〜３の整数を表わす。 （もっと読む）

電子デバイスの製造において１つもしくはそれ以上の層を形成するために用いられる硬化性オルガノシリケート組成物であって、（ａ）ケイ素原子に結合し、かつ、エチレン系不飽和を含有する少なくとも１つの基を有するアルコキシまたはアシルオキシシラン、（ｂ）ケイ素原子に結合し、かつ、芳香環を含有する少なくとも１つの基を有するアルコキシまたはアシルオキシシラン、（ｃ）潜在性酸触媒、および（ｄ）場合によりケイ素原子に結合した少なくとも１つのＣ_１〜Ｃ_６アルキル基を有するアルコキシまたはアシルオキシシランを含む組成物。 （もっと読む）

式：（ＰｈＳｉＯ_(3-x)/2（ＯＨ）_x）_mＨＳｉＯ_(3-x)/2（ＯＨ）_x）_n（ＭｅＳｉＯ_(3-x)/2（ＯＨ）_x）_p（ＲＳｉＯ_(3-x)/2（ＯＨ）_x）_q（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒはエステル基及びポリエーテル基から選択され、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０５〜０．９５の値を有し、ｎは０．０５〜０．９５の値を有し、ｐは０．０５〜０．９５の値を有し、ｑは０．０１〜０．３０の値を有し、ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ≒１である）を有する反射防止膜を形成するのに有用なシルセスキオキサン樹脂。 （もっと読む）

【化１】


式（Ｉ）のヒドロカルビルシリル不飽和カルボン酸エステルの製造方法が記載されており、ここでｎは０〜１０００のジヒドロカルビルシロキサン単位の数を表す。この方法は式（ＩＩ）の不飽和カルボン酸と式（ＩＩＩ）のヒドロカルビルシリル化合物との反応を包含し、該反応は親珪素性触媒の存在下で行われる。
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【課題】 露光量が比較的少なくても、パターン精度に優れた硬化物が得られる放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の放射線硬化性組成物は、（ａ）成分：シロキサン樹脂と、（ｂ）成分：光酸発生剤又は光塩基発生剤と、（ｃ）成分：（ａ）成分を溶解可能であり、非プロトン性溶媒を含む溶媒と、有機酸及び／又は無機酸とを含有してなる放射線硬化性組成物であり、非プロトン性溶媒がエーテルアセテート系溶媒又はエーテル系溶媒を含むものである。 （もっと読む）

【化１】


式（ＩＩ）のカルボン酸と式（ＩＩＩ）のヒドロカルビルシリル化合物との反応による式（Ｉ）のヒドロカルビルシリルカルボン酸エステルの製造方法が記載されており、ここでｎは０〜１０００のジヒドロカルビルシロキサン単位の数を表す。反応は親珪素性触媒の存在下で行われる。
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【課題】オキサ‐シラシクロペンタン類と同様の環状有機珪素化合物の合成を、１段反応で完結させる製造法を提供する。組成の制御が容易であり、かつ経時的に安定な、アルコール性水酸基を有する有機ケイ素樹脂及びその製造法を提供する。
【解決手段】遷移金属触媒の存在下、下式(1)のオレフィン類及び下式(2)のアルコキシシランを反応させて下式(3)の環状有機ケイ素化合物を製造する。
【化１】



［式中、Zは末端炭素原子がC=C結合を形成している炭素数2〜5のアルケニル基、Rはメチル基または水素、Meはメチル基。］
【化２】



［式中、R₁は、炭素数1〜3のアルキル基又はアルコキシル基、R₂は炭素数1〜3のアルキル基。］
【化３】



［式中、Z’は炭素数2〜5のアルキレン基。］

上式(3)の有機ケイ素化合物、又はこれと多官能アルコキシシランからなる混合物を加水分解及び縮合してなる、アルコール性水酸基を有する有機ケイ素樹脂。
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