【課題】電子デバイスの熱界面材料として熱発生デバイスに結合して用いられるインジウム金属およびその合金の電気化学的な析出のための改善されたインジウム組成物及びインジウム組成物で製造した物品の提供。
【解決手段】イミダゾールなどの窒素含有化合物を共重合化合物とするエピハロヒドリンコポリマーを水素抑制剤化合物として含む１以上のインジウムイオン源からなる組成物、および該組成物から基体上にインジウム金属を電気化学的に析出させて製造した物品。 （もっと読む）

本発明は基板上に乳濁液および／あるいは分散液形成物あるいは湿潤剤で構成される電解液から基板上に艶消し金属層を堆積する電解液及び工程に関する。本発明に従えば、異なった艶消しの程度を持つ多くの金属がポリアルキレン酸化物あるいはその誘導体、フッ化あるいはペルフッ化の疎水性鎖を持つ湿潤剤、あるいはポリアルキレン酸化物により置換された第４級アンモニウム化合物の添加の方法により電解液内の乳濁液および／あるいは分散液の形成によって製造される。さらに、テトラフルオロエチレン粒子は堆積された艶消し金属の表面の性質を変えるため電解質に添加される。 （もっと読む）

【課題】たとえば半導体装置およびプリント回路基板のような基体の、種々のサイズの開口を、実質的に空隙なく充填することができ、さらに密集した非常に小さい開口の領域と開口のない領域とを、段高さの差が１μｍ未満であるように平坦にメッキできる平滑化剤を提供する。
【解決手段】電解液に加える平滑化剤は、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含むポリマー平滑化剤で、さらに重合単位として（メタ）アクリレートモノマーおよびエチレン性不飽和架橋剤を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】溶接時におけるアーク安定性に優れた銅メッキマグ溶接用ソリッドワイヤを提供する。
【解決手段】マグ溶接用ソリッドワイヤを、銅メッキ液内に浸漬させてメッキ層の厚さを0.2〜1.0μmの範囲になるようにし、メッキ層内にFe、アルカリ金属(Na)、及びアルカリ土類金属(Mg, Ca)含量の総和が100〜1000ppmの範囲内であり、アルカリ金属(Na)及びアルカリ土類金属(Mg, Ca)含量の総和は10〜500ppmの範囲を満たすように、高速銅メッキしてなる。本発明によれば、溶接時において優れた送給特性とアーク安定性を同時に満たす、マグ溶接用銅メッキソリッドワイヤを、高速銅メッキにもかかわらず得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノホールへ合金めっきを充填した後に合金から結晶性を有する分離相を相分離させてマトリクス中に機能性を有する分離相を形成する分離相の形成方法を提供するものである。特に、分離相の特性を利用するナノ構造素子及びこれを基板上に多数規則配列したナノ構造体を製造する方法を提供するものである。
【解決手段】複数の金属の析出電位を制御する電気めっきを行うことにより形成した合金めっきを行った後、熱処理等により第一成分の非磁性金属としてのＣｕ等と第二成分の強磁性体又は反強磁性体とに分離して第二成分からなる分離相を形成することができる。ナノホール内に形成した前記合金めっきを、相分離により形成した分離相の磁性、電気抵抗、熱伝導等の特性を利用したナノ構造素子が得られ、これを利用してナノ構造体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、少ない工程で、特定のパターンの金属膜を形成できるようにする。
【解決手段】 基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、金属膜を形成する部分を、凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、電気めっきによって前記導電体上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。めっき液中には、シアニン色素のように、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う化合物を添加することが望ましい。凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成することができる。 （もっと読む）