【課題】 ＦＰＣ端子部におけるコネクタ嵌合部でのウイスカの発生を抑制し、かつ部品実装部に於いては半田濡れ性を十分に確保できるＦＰＣを提供すること、またＦＰＣ端子部の配線回路の好ましい電解めっき処理方法を提供することにある。
【解決手段】 ＦＰＣ端子部におけるコネクタ嵌合部の配線回路には、厚さ０．５〜２μｍの鉛フリー半田めっき層が形成され、かつＦＰＣの部品実装部の配線回路には、厚さが２μｍ以上の鉛フリー半田めっき層が形成されると共に、前記鉛フリー半田めっき層には、１４０℃以上１８０℃以下の温度で１時間以上の熱処理が施されるか、或いは鉛フリー半田めっきの融点以上の温度で０．１秒以上の熱処理が施されたＦＰＣとすることによって、解決される。 （もっと読む）

複数の近接して配置された導線（１０）が存在し、錫ウィスカーが潜在的短絡回路を構成する、被覆された電気伝導性基体（２６）。そのような基体（２６）は、導線枠、端子ピン及び回路トレースを含む。電気伝導性基体（２６）は、錫ウィスカーが跨がることができる距離（１４）に分離された複数の導線（１６）、少なくとも一つの表面を被覆する銀又は銀基合金層（２８）、及び前記銀層を直接被覆する微粒錫又は錫基合金層（３０）を有する。別の被覆された電気伝導性基体（２６）は、コネクタ組立体の場合のように、フレッチング摩耗からの破片が酸化し、電気抵抗率を増大する場合に、特に有用である。この電気伝導性基体（２６）は、基体（２６）の上に堆積された障壁層（３２）を有する。続いて堆積される層には、障壁層（３２）の上に堆積された、錫と金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層（３４）、低抵抗率酸化物金属層（４０）、及び錫又は錫基合金の最外層（３６）が含まれる。障壁層（３２）は、ニッケル又はニッケル基合金であるのが好ましく、低抵抗率酸化物金属層（４０）は、銀又は銀基合金であるのが好ましい。
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