説明

Fターム[4K024BB13]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | 被メッキ物の用途 (2,912) | 電気電子部品 (1,847) | 半導体部品 (514) | リードフレーム (103)

Fターム[4K024BB13]に分類される特許

101 - 103 / 103


【課題】従来の部分めっき方法である吹き付けめっき時における、欠けや焼けなどのめっき不良を減らす。また、電流密度を大幅に向上させる。
【解決手段】
貯槽12とマスク5及びスパージャー2の間に減圧系を用いた部分めっき装置を考案した。材料6のめっき範囲にマスク5をあてがい上部よりシリンダ軸1で加圧しめっき面を密閉する。 貯槽12に貯えられた薬液は、バルブ9が開放されるとスパージャー2内部に充満し、移送ポンプ10が稼働することにより陽極用パイプ4を通過し薬液が吸引される。薬液が吸引されることによりめっき面付近は絶えず薬液の交換がなされ、陰極面には常に十分な金属イオンが供給される。まためっきにより発生した水素気泡は薬液吸引によりスパージャー2外へすばやく強制移送される。 (もっと読む)


【課題】接点と半田付け端子を有する電子部品の表面処理方法において、電子部品を回路基板に半田付け実装する時に、接点方向への半田吸い上がりを防止すると共に、耐腐食性能の向上と低コスト化を図る。
【解決手段】金属板の一端に接点部を、他端に回路基板に半田付け実装される端子部を有する電子部品の表面処理方法において、金属板を下地ニッケルめっき処理する工程と(S1)、下地めっき処理された金属板の表層に、接点部と端子部は厚い皮膜となり、それ以外の部分は薄い皮膜となるように貴金属めっき層を形成する工程と(S2)、均一に熱処理を施すことにより、めっき皮膜厚み差を利用して選択的に薄い貴金属めっき層の表層に下地ニッケル拡散により、半田バリアとなる酸化膜を成膜する工程と(S3)を備えた。 (もっと読む)


複数の近接して配置された導線(10)が存在し、錫ウィスカーが潜在的短絡回路を構成する、被覆された電気伝導性基体(26)。そのような基体(26)は、導線枠、端子ピン及び回路トレースを含む。電気伝導性基体(26)は、錫ウィスカーが跨がることができる距離(14)に分離された複数の導線(16)、少なくとも一つの表面を被覆する銀又は銀基合金層(28)、及び前記銀層を直接被覆する微粒錫又は錫基合金層(30)を有する。別の被覆された電気伝導性基体(26)は、コネクタ組立体の場合のように、フレッチング摩耗からの破片が酸化し、電気抵抗率を増大する場合に、特に有用である。この電気伝導性基体(26)は、基体(26)の上に堆積された障壁層(32)を有する。続いて堆積される層には、障壁層(32)の上に堆積された、錫と金属間化合物を形成するのに有効な犠牲層(34)、低抵抗率酸化物金属層(40)、及び錫又は錫基合金の最外層(36)が含まれる。障壁層(32)は、ニッケル又はニッケル基合金であるのが好ましく、低抵抗率酸化物金属層(40)は、銀又は銀基合金であるのが好ましい。
(もっと読む)


101 - 103 / 103