【課題】封止樹脂との密着性を維持し、且つエポキシ樹脂成分の滲み出しのない、めっき表面形態をなしたニッケルめっきと金めっきを施したリードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレームの少なくとも半導体素子を搭載するパッド部上に、山型状突起群が形成されるようにニッケルめっき１１を施した後、その上に延展性の良いニッケルめっき層１２を施して半球状の凹凸表面を形成し、更にその上にパラジウムめっき層と金めっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｄ−Ａｕ合金めっき液に関して、めっき液としての安定性に優れ、かつ、電流密度に対して安定した共析率のめっき皮膜を得ることが可能なパラジウム金合金（Ｐｄ−Ａｕ合金）めっき液を提供すること。
【解決手段】本発明によるパラジウム金合金めっき液は、可溶性パラジウム塩と、可溶性金塩と、メタ重亜硫酸カリウム、メタ重亜硫酸ナトリウムおよびメタ重亜硫酸アンモニウムからなる群より選択される１以上のものと、サッカリンおよびサッカリンナトリウムからなる群より選択される１以上のものとの組合せからなる結晶調整剤とを含んでなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材を提供する。
【解決手段】
導電性基体の表面に、Ｓｎ単体、またはＳｎとＡｇ、Ｂｉ、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも１種とからなる合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層を設け、第１めっき層のＳｎまたはＳｎ合金の厚さｔ_１が２〜５μｍ、第２めっき層Ｉｎの厚さｔ_２が０．０５〜１μｍで、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であることを特徴とする、リードフレーム材。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品に用いられる錫または錫合金めっき皮膜に対し、簡便な方法で錫または錫合金めっき皮膜表面のウィスカを低減することができ、かつ良好な錫または錫合金めっき皮膜をもたらし得る、錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供することを目的とする。
【解決手段】分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物を含有し、ｐＨが２．５以下である、錫または錫合金めっき皮膜の表面を処理するための錫または錫合金めっき皮膜表面処理水溶液を提供する。前記分子内にカルボン酸基を少なくとも１個有する有機化合物は、分子内にカルボン酸基を２個以上有し、かつ分子内に窒素原子を有しない有機化合物であることが好ましく、該有機化合物は、リンゴ酸、マレイン酸、クエン酸であることが好ましい。また、かかる表面処理水溶液は、さらに窒素系化合物を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】微細且つ複雑な形状に加工されたフープ部材の所望の位置に高精度にメッキ膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】連続して送り出されるフープ状の導電性基材の表面に自己組織化膜を形成する自己組織化膜形成工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜の所望の部分を除去する膜除去工程と、連続して送り出されるフープ状の導電性基材表面の前記自己組織化膜が除去された部分に電気メッキにより導電膜を形成するする電気メッキ工程とを備えるフープ部材への部分メッキ膜の形成方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】被めっき体に形成されためっきの厚さをその場で瞬時に判定することができる。
【解決手段】この被めっき構造体は、めっきが形成される被めっき体１１と、被めっき体１１にスリット部１２を介して対向し、被めっき体１１から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材１６を備えている。めっき２１が、被めっき体１１の表面からスリット部１２を介してめっき膜厚判定用部材１６まで成長したか否かを判定することによって、被めっき体１１に形成されためっき２１が、スリット部１２の幅Ｗより厚く形成されたか否かをその場で瞬時に判定することができる。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】接続端子部の電導基材表面上に、耐熱性および半田濡れ性に優れためっき被膜が形成された、電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明による電子部品は、接続端子部の電導基材表面上に、ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウィスカの発生を抑制可能で、錫めっき浴の管理の容易化並びにめっきコストの低価格化を図る。
【解決手段】リード基材２２を被覆する錫めっき膜２６には、非イオン性の高分子微粒子２８が含有されている。高分子微粒子２８は、錫めっき膜２６の加わる応力によって変形して、該応力を緩和する。これによって、ウィスカの生成を抑制することができ、錫めっき膜２６で被覆した外部リードを備える電子部品においては、ウィスカに起因する短絡の発生を防止し得る。 （もっと読む）

【課題】生産効率が高く、通電跡が存在せずめっき厚みが均一となる高品質のめっき処理が可能なめっき装置を提供する。
【解決手段】直線状に並べて配置され、めっき液槽７８及び洗浄液槽８０、９５を含む処理槽群１１に、平面視して矩形かつ金属製の角板材１２を通過させて、角板材１２にめっきを行うめっき装置１０であって、処理槽群１１の手前側まで角板材１２を搬送する入側コンベア１３と、入側コンベア１３で搬送された角板材１２の両側をそれぞれ複数の垂下されたロッド１４、１４ａで挟持し、少なくともその一つのロッド１４から通電可能となって、処理槽群１１の各処理槽に順次角板材１２を浸漬又は非浸漬状態で通過させる挟持搬送手段１５と、挟持搬送手段１５によって搬送されて、処理槽群１１を通過した角板材１２を受け取る出側コンベア１６と、これらを保持する架台１７とを有する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっきされたリードフレームへの成形物の密着性を促進させる。
【解決手段】ニッケルおよびニッケル合金層のエッチング方法を開示する。本発明のエッチング組成物は、無機酸と、複素環式窒素化合物とを含む。さらに、本発明のエッチング方法は、ニッケルまたはニッケル合金層のアノードエッチングを含むことができる。本発明の方法は、半導体パッケージングの製造において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】外部応力が加わった場合でもウイスカが発生しにくいめっき層を安定して形成することが可能であり、半田付け性に優れる、Ｐｂを含まないＳｎめっき銅基板を提供する。
【解決手段】本発明のＳｎめっき銅基板１は、純銅板、銅合金板、又は銅めっきされた金属板のいずれかの金属基板２上に、中間Ｓｎめっき層３ＩＬとＣｕめっき層４とを、この順に積層してなるめっき膜層５を１．５μｍ以上の層厚で少なくとも１膜層以上備えるとともに、このめっき膜層５上に、０．２〜１．５μｍの層厚の最外Ｓｎめっき層３ＯＬをめっき膜層５との総厚が３μｍ以上で備え、少なくとも中間Ｓｎめっき層３ＩＬ及び最外Ｓｎめっき層３ＯＬの粒界３ｇ及び粒内３ｃのいずれかに、Ｃｕめっき層４及び金属基板２の少なくとも一方に由来するＣｕを拡散させてなるＳｎ−Ｃｕ合金相６を有する。 （もっと読む）

【課題】めっきの異常析出や酸化膜密着性の低下を生じない、電子機器用析出型銅合金材料を提供する。また、このような銅合金材料の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉを２．０〜４．０質量％、Ｓｉを０．４〜０．８質量％含み、さらに０．００５〜０．２質量％のＡｇ、０．００５〜０．２質量％のＭｎ及び０．０５〜１．０質量％のＺｎのうち１種または２種以上を合計で０．００５〜２．０質量％含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、表面に加工変質層を有する電子機器用析出型銅合金が、非酸化性雰囲気中または還元性雰囲気中における温度５００〜６００℃の熱処理により表層の加工変質層の厚さが０．２μｍ以下となされ（ただし前記加工変質層を無くする場合を含まない。）、前記銅合金上に銀めっきまたは銅めっきが施されている電子機器用析出型銅合金材料。 （もっと読む）

【課題】基体上のスズ及びスズ合金の高速電気スズめっきに有用な、析出用電解質組成物を提供する。
【解決手段】基体上のスズ及びスズ合金の析出用電解質組成物が、スズハライド、硫酸スズ等から選択される１以上のスズ化合物、アルカリスルホン酸、硫酸等から選択される１以上の酸性電解質及び、カルボキシメチル化ポリアチレンイミン等から選択される１以上のカルボキシアルキル化ポリアルキレンイミン化合物を含む電解質組成物である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のリードの表面に形成するめっき膜に発生するウィスカーを防止できる技術を提供することにある。特に、錫を主材料とし、かつ、鉛を含有しないめっき膜において、ウィスカーの発生を防止できる技術を提供する。
【解決手段】リードの表面上に形成されるめっき膜において、めっき膜を構成する錫の面方位のうち特定の面方位がリードの表面に並行するようにめっき膜を形成する。具体的には、錫の（００１）面がリードの表面に並行するようにめっき膜を構成する。これにより、リードを構成する銅の線膨張係数よりもめっき膜を構成する錫の線膨張係数を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】高温環境下に曝されても良好なはんだ付け性及び低接触抵抗を保持し且つ低挿抜性であるＳｎめっき材を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金の表面に下地Ｎｉめっき層、中間Ｃｕ−Ｚｎ系めっき層及び表面Ｓｎめっき層を順に有するＳｎめっき材であって、下地Ｎｉめっき層はＮｉ又はＮｉ合金で構成され、中間Ｃｕ−Ｚｎ系めっき層はＺｎを５〜１００００質量ｐｐｍ含有し、且つ、中間Ｃｕ−Ｚｎ系めっき層中には少なくとも表面Ｓｎめっき層に接する側にＳｎ−Ｃｕ−Ｚｎ合金層が形成されているＳｎめっき材。 （もっと読む）

【課題】連続方式のめっき層形成工程において、トラブル等によって搬送手段が停止した場合であっても、所定の合金組成の範囲内でめっき層を形成する。
【解決手段】リードフレーム１１に搭載された半導体素子を封止する封止体１から導出されるリード部にめっき装置３０を用いて錫系鉛フリー半田層をめっき形成する工程を備える半導体装置の製造方法で、めっき装置３０は、複数の半導体チップが搭載されたリードフレーム１１を保持しつつ、めっき処理部を所定の速度で、所定の方向に移動させる無端ベルト（リードフレーム搬送手段）３６と、リードフレーム１１の搬送中に、めっき処理部内に配置されためっき電極間（陽極４１と無端ベルト３６の間）に第１電流量を通電させる電源４２とを備え、電源４２は、無端ベルト３６が停止している間は第１電流量よりも低い第２電流量をめっき電極間（陽極４１と無端ベルト３６の間）に通電させる。 （もっと読む）

【課題】Ａｇの使用量を少なく抑えて低コストで製作可能であるとともに、耐熱性及び耐ウィスカー性を両立させることができるＳｎメッキ導電材料及びその製造方法並びにこのＳｎメッキ導電材料を用いた通電部品を提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる基材２の上に、Ｓｎ又はＳｎ合金からなるＳｎメッキ層５が形成されたＳｎメッキ導電材料１であって、基材２とＳｎメッキ層５との積層方向に沿った断面において、Ｓｎメッキ層５の表層部分にＡｇ−Ｓｎ粒子が凝集したＡｇ−Ｓｎ合金層６が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】針状ウィスカ１０の発生を抑制した鉛フリーめっき層２を持つめっき部材３を得る。
【解決手段】めっき層２のめっき材料がＳｎ系めっき材料であり、めっき層表面において、Ｓｎ結晶粒の（００１）面の占める割合が最も多くなるようにめっき層２を形成する。 （もっと読む）

【課題】より容易にかつより完全に針状ウィスカの発生を抑制できる鉛フリーのめっき層を有するめっき基材を得る。
【解決手段】母材の表面に鉛フリーのめっき層を有するめっき基材を製造するに際し、母材表面に鉛フリーのめっき層を形成した後、形成しためっき層に冷熱サイクル履歴を与えてノジュール状のウィスカを人為的に発生させる。それにより、めっき層の内部応力は開放されるので、爾後の針状ウィスカの発生が抑制される。 （もっと読む）