【課題】表面積が異なり形状が異なる被めっき物にめっきを行う場合や、形状が同じ被めっき物であっても量産する場合に、常に規格内の合金比率を維持することを可能とするＳｎ合金めっき方法を提供する。
【解決手段】Ｐｂを除き、Ｓｎより貴な電位をもつ合金化金属とＳｎとからなるめっき液（６）を使用し、被めっき物の表面積１ｃｍ²当たり５〜１５０Ｌ／ｍｉｎまたは表面積１ｃｍ²当たりＳｎ：１．５モル／ｍｉｎ〜１３０モル／ｍｉｎで通流するように、ポンプ（９）にインバータ（１４）を接続して、めっき液の流量を制御する。めっき装置は、めっき液（６）を循環および攪拌する連続シートめっき装置が望ましい。 （もっと読む）

【課題】銅合金条又はステンレス鋼条等の金属材料（被めっき材）に施されたリフローＳｎめっきにおいて、耐ウィスカー性を有することを特徴とするリフローＳｎめっき材を提供することであり、その材料を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】金属材料表面にリフローＳｎを施しためっき材において、下地めっきとしてＮｉまたはＮｉ合金めっきを有し、下地めっきの上の表面めっきに存在する純Ｓｎ層の平均厚みが０．０５μｍ〜０．６μｍであり、かつ表面めっきの断面に存在するＮｉとＳｎの合金層の割合が５０％９５％であることを特徴とする低ウィスカー性リフローＳｎめっき材。 （もっと読む）

【課題】薄膜化しても、はんだぬれ性、ワイヤーボンディング強度等に優れためっき皮膜を与える電解用パラジウムめっき液を提供すること、及び、上記性能に優れたリードフレームを提供すること。
【解決手段】水溶性パラジウム塩、及び、置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩を含有することを特徴とする電解用パラジウムめっき液、それを用いて形成された電解パラジウムめっき皮膜、並びに、電解ニッケルめっき皮膜、上記電解パラジウムめっき皮膜、電解金めっき皮膜を順次形成させたリードフレーム。 （もっと読む）

【課題】電子部品の小型化に対応でき、かつ、従来技術に比べ、より簡便で確実な手法を用いて、ワイヤーボンディング性と樹脂接着性とを両立させた金属部材を提供する。
【解決手段】最表面に銀めっき皮膜を有する金属部材において、該銀めっき皮膜の平均結晶粒径が０.５〜１.５μｍで、かつ該銀めっき皮膜の最大表面粗さＲ_maxが１０〜４０μｍであることを特徴とする電子部品用銀めっき金属部材であって、金属部材に電気銀めっきを行なって該金属部材表面に銀粒子を析出させる第１電気めっき工程、次いで該第１電気めっき工程よりも低い電流密度で電気銀めっきを行なって前記銀粒子を核として結晶成長させる第２電気めっき工程を行なって製造することができる。 （もっと読む）

【課題】外部応力に伴うウィスカの成長を効果的に抑制することができるめっき膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０を構成する基材１１の表面及び裏面には、錫又は錫合金からなる錫めっき膜１３が形成されている。錫合金としては、例えば錫−銅合金（銅の含有量：２質量％）、錫−ビスマス合金（ビスマスの含有量：２質量％）等が挙げられる。基材１１は、例えばＣｕ合金等から構成されている。錫めっき膜１３内には、複数の結晶粒１２が不規則に配列している。更に、錫めっき膜１３中に、複数の空隙部１４が存在する。その後に曲げ加工等が行われても、錫めっき膜１３中に空隙部１４が存在しているため、外部応力が緩和される。このため、外部応力に伴うウィスカの成長が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 ウィスカの発生を抑制するとともに、良好なはんだ濡れ性を有するめっき被膜部材を提供する。
【解決手段】 めっき被膜部材は、銅を主成分とする基材（１０）と、前記基材を被覆する錫を主成分とするめっき皮膜（１３）と、前記基材と、めっき皮膜の界面に位置する錫と銅の化合物バリア層（１２）とを備え、前記化合物バリア層の密度は、銅の密度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】陽極と被めっき体とに通電することにより被めっき体にめっきを施す電解めっき方法において、簡易な構造を保ちながら、被めっき体へ均一なめっき液の供給ができ、高電流を負荷しても、あるいは形成するめっき皮膜が薄くても、被めっき体に均一なめっき皮膜を形成できるめっき方法ならびにめっき装置を提供すること。
【解決手段】被めっき体の両側から前記被めっき体に向かって略直角方向にめっき液を噴射し、前記被めっき体の両側に、所定の間隔を設けて１対の整流板をそれぞれ配置し、かつ前記１対の整流板をそれぞれ高さ方向に隙間をあけて配置するとともに、前記隙間を前記被めっき体の幅よりも小さく、かつ前記隙間の中心を前記被めっき体の幅方向の中心と略同一にすることによって被めっき体に析出するめっき膜厚を制御する。 （もっと読む）

【課題】微細な金メッキ剥離加工を効率よくかつ高精度に行う。
【解決手段】出射ユニット１６は、ＹＡＧレーザ発振器より光ファイバ１８を介して受け取ったＹＡＧ第２高調波のレーザ光ＳＨＧをユニット内の光学レンズに通して先端の出射口より出射し、各コンタクトＷに設定された剥離領域ＨＥ内に扁平度の高い楕円状ビームスポットＳＰ_SHGで集光照射する。剥離領域ＨＥにおいては、楕円状ビームスポットＳＰ_SHG付近で金メッキ層１２がレーザエネルギーにより一瞬に蒸発して除去される。剥離領域ＨＥ内の金メッキ層１２をほぼ隈なく除去するために、ＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧと加工対象のコンタクトＷとの間で楕円状ビームスポットＳＰ_SHGの長軸方向に対して所望の角度をなす方向に相対移動（走査）が行われる。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームに対する密着性を向上させた鉛フリーのＳｎ−Ｂｉめっき皮膜を得る方法を提供する。
【解決手段】 電流値を可変できるアノードとカソードを有するめっき槽を備えためっき装置を使用して、初期には低い電流密度でめっき皮膜を形成し、段階的に電流密度を高めてめっき皮膜を形成する。たとえば電流密度を３段階に変化させ、はじめに５〜８Ａ／ｄｍ^２ の電流密度でめっき皮膜を形成し、続けて１０〜１５Ａ／ｄｍ^２ の電流密度でめっき皮膜を形成し、さらに続けて１５Ａ／ｄｍ^２ を越え２０Ａ／ｄｍ^２ 以下の電流密度でめっき皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】マスキングテープやベルトマスクのような消耗品を必要としないで、低コストでストライプめっきを行う方法及び装置を提供する。
【解決手段】連続搬送されるめっき対象の金属薄板１を挟むようにめっき液噴射ユニット２とバックアップユニット３が配置され、めっき液噴射ユニット２のマスキング部材がシール部材を介して金属薄板１の表面に押圧されている。マスキング部材の開口部から露出した金属薄板１の表面に向かってめっき液噴射ユニット２からめっき液を噴射する。噴射されためっき液はめっき液回収路９を通ってリザーブタンク６に回収され、吹き上げポンプ８によってめっき液噴射ユニット２へ循環供給される。めっき液噴射ユニット２及びバックアップユニット３は液体貯槽４に貯められた液体５に浸されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の主要な課題は、コネクタ、端子、スイッチ及びリードフレーム等の電子部品に使用可能な銅または銅合金の、簡便かつ比較的安価に実施可能なウィスカー抑制のための表面処理方法を施したＳｎまたはＳｎ合金めっき条およびこれを用いた電子部品を提供することである。
【解決手段】 銅または銅合金条の表面に施したリフローＳｎまたはＳｎ合金めっき皮膜内の残留応力が引張り応力であり、かつその大きさが０．１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることを特徴とする低ウィスカー性リフローＳｎまたはＳｎ合金めっき条及びこれを用いた電子部品。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れ、かつ均一なめっき厚さが得られる半導体リードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】所要数のリードフレーム２が一体に形成された複数の短冊状フレーム８を接合してフープ状体９とし、このフープ状体９にめっき処理を連続的に施す半導体リードフレームの製造方法。本発明により製造される半導体リードフレームは、めっき層の厚みが均一になり、その結果めっき（貴金属）付着量が低減し貴金属費が大幅に低減する。また短冊状フレームを支持体に吊るす必要がなく生産性に優れる。前記短冊状フレームの端部を基部の厚みの半分に薄肉化し、前記薄肉化端部を嵌合して接合することにより接合部の厚みが基部の厚みと同等になるので連続めっき処理などの諸工程での走行の障害がなくなり、さらにめっきでの給電が安定して行える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、均一めっき性に優れたリードフレーム用銅合金を提供することにある。
【解決手段】Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金、Ｃｒ−Ｚｒ系銅合金、Ｓｎ−Ｐ系銅合金等の銅合金において、最表層からの深さＬに存在する介在物の大きさＤについて、
０．１≦Ｌの場合、Ｄ≦０．１μｍ
０．１＜Ｌ≦５μｍの場合、Ｄ＜Ｌ
５μｍ＜Ｌ≦１０μｍの場合、Ｄ≦５μｍ
の関係を満たすことを特徴とする、均一めっき性に優れたリードフレーム用銅合金である。 （もっと読む）

【解決手段】錫又は錫合金皮膜にＭｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｂ及びＢｉから選ばれる１種又は２種以上の金属を連続又は不連続に、かつ上記錫又は錫合金皮膜表面の一部が露出するように被着させる表面処理により、基体上の他部材が圧接固定される面や被はんだ接合部などに形成された錫又は錫合金皮膜のウィスカの発生を抑制する。
【効果】Ｓｎ又はＳｎ合金皮膜上に所定の金属を連続又は不連続に、かつ上記錫又は錫合金皮膜表面の一部が露出するように被着させることにより、接圧ウィスカの発生を抑制することができ、また、金属被着後、熱処理、リフロー処理を実施しなくとも、皮膜のはんだ濡れ性を損なうことなく、ウィスカの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】金属堆積物に対する腐食及びはんだ付け性の問題を解決することを試みる方法があるが、腐食を抑制し、はんだ付け性を改善するための改善された方法が依然として必要とされている。
【解決手段】方法及び物品が開示される。方法は、基体上にニッケルデュプレックス層を堆積させ、基体の腐食を抑制し、且つはんだ付け性を改善するためにことを対象とする。該基体は金または金合金仕上げを有する。 （もっと読む）

【課題】金属堆積物上の表面酸化物の問題に対処することを試みる方法があるが、金属仕上げの上の表面酸化物形成を抑制し、はんだ付け性を改善するための改善された方法が依然として必要とされている。
【解決手段】方法および物品が開示される。方法は、スズおよびスズ合金表面酸化を抑制し、基体のはんだ付け性を改善するために基体上にニッケルデュプレックス層を堆積させることを対象とする。 （もっと読む）

【課題】 疲労特性に優れる銅合金Ａｕめっき条。
【解決手段】 Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金、りん青銅、丹銅、黄銅、チタン銅等の銅合金条の表面に、電気めっきによりＡｕめっき皮膜が形成され、該銅合金条及びＡｕめっき皮膜中の平均水素濃度が５質量ｐｐｍ以下である銅合金Ａｕめっき条であり、Ｎｉ下地めっき相が存在しても良く、好ましくはＡｕ相厚み０．０２〜２．０μｍ、Ｎｉ相厚み０．１〜１０μｍであり、Ａｕめっきは、更にＮｉ、Ｃｏ、Ａｇ、及びＩｎの群から選ばれた１種以上を合計で０．１〜１０．０質量％含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理後の錫めっき皮膜の変色、ヨリを防止し、はんだぬれ性を有する錫皮膜を提供する。
【解決手段】 特定の化合物を含む水溶液を、錫めっき皮膜のリフロー処理を施す前に錫皮膜と接触させることを特徴とする、錫皮膜表面処理方法およびそれに用いる表面処理液。 （もっと読む）

【課題】めっき性に優れた電子機器用銅合金を提供する。
【解決手段】銅合金の表層に存在する加工変質層の厚さを０．２μｍ以下、好ましくは、０．０５μｍ以下にすることにより、めっき時の異常析出を防止してめっき性を向上させるものである。また、表層の加工変質層の厚さが０．２μｍ以下の銅合金上にめっきを施したものをリードフレーム、端子、コネクタ等の電子機器に適用することよりこれらの製品の品質向上に寄与する。 （もっと読む）

【課題】浴の均一電着性に著しい影響を及ぼさず、平坦な銅堆積物を提供する、レベリング剤の提供。
【解決手段】窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤を含有する銅メッキ浴であって、電子デバイスの表面上およびかかる基体上の開口部中に銅を堆積させる銅メッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲全体にわたって実質的に平面的な基体表面上に銅層を堆積させる。このような銅メッキ浴を用いて銅層を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）