【課題】 曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレーム及びそのめっき方法を提供する。
【解決手段】 素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレーム及びそのめっき方法において、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】部分めっき装置におけるフープの位置決め装置に関するものであり、フープが変更となりピン穴の位置、及び径が変更になっても、容易にピンの位置、及び径を変更することができるものである。
【解決手段】回転のつまみ１９ａ，１９ｂを回転させるとピン１ａ，１ｂをフープ３８の長手方向と直角方向に容易に動かすことができ、また、回転つまみ１３ａ，１３ｂを回転させるとピン１ａ，１ｂをフープ３８の長手方向に容易に動かすことができる。このような構成にすることにより、フープ３８が変更になりフープ３８のピン穴４０の位置が変更になっても、容易にピン１ａ，１ｂの位置を変更することができる。また、ピン１ａ，１ｂを変更すると容易にピン径を変更することができる構成をなしている。 （もっと読む）

【課題】熱処理を施した銅合金から成る基材に銅ストライクめっきを施す際に、その前処理工程を可及的に短縮でき、基材との密着性及びその耐熱性についても、充分に満足し得る銅ストライクめっき層を形成できる銅ストライクめっき方法を提供する。
【解決手段】熱処理を施した銅合金から成る基材の表面に脱脂処理及び電解活性処理を施した後、前記表面に銅ストライクめっきを施す際に、該銅ストライクめっきでは、前記基材の表面に形成した銅ストライクめっき層のＸ線回折の反射強度が最大値を示す結晶面が、銅から成る金属結晶を細密充填した銅層のＸ線回折の反射強度が最大値となる結晶面である（１１１）面となるように、前記基材の表面に銅金属が析出する極側のみに電流がパルス状に出現するパルス電流を前記基材に印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属部材に施した部分めっき領域内でのめっき金属層を可及的に一定厚さとし得る部分めっき装置及び部分めっき方法を提供する。
【解決手段】所定表面が露出するようにマスク部材１４が被着されたリードフレームに電解めっきを施し、前記所定表面を所望金属から成るめっき金属層で覆う部分めっき装置において、該マスク部材１４には、前記リードフレームに被着されたとき、前記所定表面が臨む空間部１８が形成されるように凹部１６が形成されていると共に、空間部１８内に電解めっき液が供給される供給口２０ａと、空間部１８内の電解めっき液を排出する排出口２０ｂとが凹部１６の底部に形成され、且つ空間部１８内に供給口２０ａから噴き込まれた電解めっき液が空間部１８内に露出する前記所定表面に対して斜め方向から噴き付けられるように、前記リードフレームの所定表面に対して斜め方向に電解めっき液を噴射する噴射ノズル２２が供給口２０ａの近傍に配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品に施されている錫めっき皮膜の変色や、電子部品を電子機器に組立る時に発生する錫めっき皮膜の変色を防止できる、耐変色特性及び耐凝集特性に優れた鉄系金属材料を提供すること。
【解決手段】中間層として、リンを５重量％〜１５重量％の割合で含有しかつ厚さが０．０５μｍ〜２μｍのニッケルめっき皮膜を有するところに構成特徴があり、前記リン−ニッケルめっき皮膜は、その下地めっきとして、厚さが０．０５μｍ〜１．０μｍの純ニッケルめっきまたは、厚さが０．１μｍ〜１．０μｍの純銅めっきのいずれかを有するもの、前記錫めっき鉄系金属材料が、錫めっき付き鉄系リードフレームまたは鉄系連続端子のいずれかであるものを含む。
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【課題】プリント配線板等におけるはんだぬれ性を阻害する金属および金属合金上での表面酸化物形成を抑制するための改善された組成物および方法を提供すること。
【解決手段】無機リン酸または有機リン酸、またはこれらの塩と水からなる組成物を金属または金属合金を堆積させたプリント配線板、リードフレーム、接点などの基体に浸漬するなどによって接触させ、これらの基体のリフロー処理後における金属および金属合金上での酸化物形成を抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子部品等の端子材料等のフープめっきに係るものであり、特にめっき厚の異なる部位を同一フープ内に形成する差厚めっきの製造方法および製造装置に係るものであり、接触の信頼性と防錆等異なっためっき厚の要求に対応した低コストの差厚めっき方法とその製造装置を提供するものである。
【解決手段】本発明のめっきの製造方法は、陽電極１２と、これに対向して配置された陰電極となるフープ状薄板２０と、第１、第２の露出部２０ａ，２０ｂを残して覆うように形成したマスク２１、各露出部２０ａ，２０ｂに対応する開口２２ａを有するスパージャー２２とからなり、前記露出部２０ａ，２０ｂに当接するめっき液１０ａの流量を制御してめっき厚の異なる部位を容易に形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 とりわけコネクタ、端子、スイッチ及びリードフレーム等の電子部品として使用可能な銅又は銅合金の、簡便かつ比較的安価に実施可能なウィスカー抑制のための表面処理方法を提供する。
【解決手段】 銅又は銅合金の表面の一部又は全体に錫めっきを施すめっき工程と、前記錫めっきを加熱溶融するリフロー工程と、これにより得られたリフロー錫めっき材を冷却する冷却工程と、冷却されたリフロー錫めっき材のリフロー錫めっき表面を１種又は２種以上のシランカップリング剤と下記一般式（ア）で示されるベンゾトリアゾール系化合物及び下記一般式（イ）で示されるベンゾチアゾール系化合物から選択される１種又は２種以上の含窒素化合物とで任意の順（同時を含む）に被覆する被覆工程とを含む銅又は銅合金の表面処理方法。
【化１】


（式中、Ｒ₁は水素原子、アルキル基又は置換アルキル基を表し、Ｒ₂はアルカリ金属、水素原子、アルキル基又は置換アルキル基を表す。Ｒ₃はアルカリ金属又は水素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】従来のはんだめっき装置は、リードフレームをチャッキングし、はんだめっき処理を行う際、めっき液に浸漬する部分は、絶縁処理が施されていないため、電流がリークし、この部分にもめっきが付いてしまい、効率が落ちてしまう。また、リードフレームの部分によるめっき膜厚の違いができ、特に下側両端部の膜厚が多くなる傾向となり、安定せずバラツキが発生してしまうという問題があった。
【解決手段】本発明のはんだめっき装置は、めっき液が浸漬する部分にテフロン（登録商標）加工を施し、完全に絶縁する。また、はんだめっき装置のベース左右両端部に補助陰極を備えて、めっき膜厚の均一化を図る。 （もっと読む）

【課題】ウイスカーが発生することの無いSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。特に、曲げ加工等の外部応力が加わってもウイスカー発生が抑制されるSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】SnめっきまたはSn合金めっきの結晶粒界にSnの合金相が形成されていることを特徴とするSnめっきまたはSn合金めっき。とりわけ、その結晶粒界の長さに占める割合が５０％以上Snの合金相が形成されていること。 （もっと読む）

【課題】 高位置精度部分めっきを確実かつ安定して行えるようにする。
【解決手段】 搬送ガイド面を有しかつ基軸線を中心に回転可能な回転体と、周方向に離隔配設された複数の電極ノズルを有しかつ給電めっき液を各電極ノズルからその径方向に噴射可能な電極構造体とを設け、電極ノズルの配設角度範囲が回転体の搬送ガイド面に被処理物が係合している角度範囲よりも小さく選択され、回転体および電極構造体の基軸線方向の相対位置を各電極ノズルから噴射されためっき液が連続搬送中の各めっき必要部分に吹き付けることができる状態として保持可能に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 スズまたはスズ合金めっきを行った後、室温で５０００ｈｒ放置した場合であっても、確実にウィスカーの発生を防ぐことのできる簡便な手段を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）硫酸、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体、（Ｂ）過酸化物および（Ｃ）銅よりも電位が貴である金属イオンを含有するスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤並びに被めっき素材を、上記のスズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤に浸漬した後、スズまたはスズ合金めっきを行うことを特徴とするスズまたはスズ合金めっきのウィスカー防止方法。 （もっと読む）

【課題】 異なるリードフレームにめっきを施す際の位置合わせの時間を短縮することができる部分めっき方法を提供する。
【解決手段】 同一のスパージャ３４を用いて異なる被めっき物３１に対して部分めっきを施す際の部分めっき方法において、めっきマスク３８の開口部５０およびノズル板４０のノズル４７の位置を、異なる被めっき物２１を支持手段３２に支持させたときのめっき対象領域に合わせためっきマスク３８およびノズル板４０を予め複数作成しておき、異なる被めっき物３１に対して部分めっきを施す際には、予め作成してあった複数のめっきマスク３８およびノズル板４０の中から、部分めっきを施そうとする被めっき物３１に対応するめっきマスク３８およびノズル板４０を選択し、支持手段３２の位置およびスパージャ３４の位置を変更せずに、スパージャ３４に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】めっきすべき製品を変える際のノズル板およびめっきマスクの交換の手間を省くことができる部分めっき装置を提供する。
【解決手段】被めっき物のめっき対象領域に対して開口した開口部５０が設けられためっきマスク３８と、めっきマスク３８の開口部５０に向けてめっき液を噴射するノズル４７が設けられたノズル板４０と、めっき液を貯留するスパージャ３４とを具備する部分めっき装置３０において、めっきマスク３８とノズル板４０とが一体となって構成されためっきマスクユニット３６が、スパージャ３４に対して脱着可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 スパージャへめっき液を供給するための配管の脱着を容易に行なうことができる部分めっき装置を提供する。
【解決手段】 スパージャ３４の供給孔４１と連通する流路８１が内部に形成された筒状の接続部８２が、スパージャ３４の底面から突出して設けられ、接続部８２に接続されてめっき液をスパージャ３４内に供給させる配管８４が設けられ、めっきマスク３８をスパージャ３４の開放端に装着すべく、スパージャ３４とめっきマスク３８とを挟み込んで締付けるためにスパージャ３４の底面を押圧する押圧部６４を有するクランプ装置４３が設けられ、クランプ装置４３の押圧部６４が、配管８４を押圧可能となるように設けられ、クランプ装置４３がめっきマスク３８とスパージャ３４とを挟み込んで締付けた場合には、配管８４がクランプ装置４３の押圧部６４によって押圧されて接続部８２と接続するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体リードフレームと、それを備える半導体パッケージと、それをメッキする方法を提供する。
【解決手段】鉄−ニッケル合金からなる基底素材と、基底素材上にメッキされ、結晶粒径が１ミクロン以下のメッキ層と、を備える半導体リードフレームである。これにより、鉄−ニッケル合金（ａｌｌｏｙ ４２）からなる基底素材上に錫でメッキするときに、結晶粒径を最小化させてウィスカの成長を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウイスカ成長を効果的に抑制することができる錫めっき皮膜及びそれを備えた電子部品並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の錫めっき皮膜は、金属基材上に形成された錫めっき皮膜であって、錫めっき皮膜の結晶配向面が（２２０）面に優先配向し、且つ錫めっき皮膜形成後の皮膜応力が−７．２ＭＰａ以上０ＭＰａ以下であり、その電子部品は、該錫めっき皮膜を有する構成とした。また、本発明の錫めっき皮膜の製造方法は、銅基材上に錫めっき皮膜を形成する錫めっき皮膜の製造方法であって、錫めっき皮膜の結晶配向面を（２２０）面に優先配向させると共に、錫めっき皮膜形成後の皮膜応力を−７．２ＭＰａ以上０ＭＰａ以下とする構成とした。 （もっと読む）

【課題】平滑化剤化合物
【解決手段】第一拡散係数を有する第一レベリング剤および第二拡散係数を有する第二レベリング剤が含有されているレベリング剤の混合物を含有するメッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲に亘って実質的に平坦である金属層、特に銅層を堆積する。かかるメッキ浴を使用する金属層の堆積方法も開示される。これらの浴および方法は、電子デバイスをはじめとする小さいアパーチャーを有する基体上に、銅の平坦な層を提供するために有用である。 （もっと読む）

【課題】部分めっき装置の上側スパージャー内に、仕組まれたシャッター機構により、部分めっき装置でめっきされた、帯状フープ材料の上側めっき表面に、めっき液が塗布されるのを制御し、めっき表面品質を高めるものである。
【解決手段】上側スパージャー１内に仕組まれたシャッター機構の固定窓プレート１８と可動窓プレート１９にスライド機構を設け、スライド機構を制御することで、帯状フープ材料１７上側に、めっきしない時は、めっき液を塗布（付着）しないように制御する。 （もっと読む）

本発明は、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を有する電子部品であって、Ｓｎリッチ堆積層が、堆積表面に対して平行な方向におけるサイズよりも堆積表面に対して垂直な方向におけるサイズの方が小さい粒子からなる微細粒Ｓｎリッチ堆積層である電子部品に関する。本発明はまた、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を形成するために電子部品をメッキするプロセスであって、開始添加物及び光輝性添加物が含まれているスズメッキ溶液の組成を調整するステップと、前記スズメッキ溶液中を通して前記電子部品を動かして、電気的接続のための前記部材上に前記Ｓｎリッチ堆積層を形成するステップと、を含むプロセスに関する。従来の技術と比較すると、本発明は、低コストで且つ信頼できる特性をもってウィスカ成長を有効に抑制することができる。
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