【課題】より容易にかつより完全に針状ウィスカの発生を抑制できる鉛フリーのめっき層を有するめっき基材を得る。
【解決手段】母材の表面に鉛フリーのめっき層を有するめっき基材を製造するに際し、母材表面に鉛フリーのめっき層を形成した後、形成しためっき層に冷熱サイクル履歴を与えてノジュール状のウィスカを人為的に発生させる。それにより、めっき層の内部応力は開放されるので、爾後の針状ウィスカの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金からなるリード基材のみならず、鉄―ニッケル合金からなるリード基材に形成された純錫メッキ層であってもウィスカの発生を抑制可能な電子部品の外部リード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定のリード基材１６上に２重のメッキ層を有する、電子部品の外部リード１４において、前記２重のメッキ層の一方の層が光沢錫メッキ層１８からなり、他方の層が無光沢錫メッキ層２０からなる電子部品の外部リード１４とする。 （もっと読む）

【課題】連続搬送される帯状被処理物の必要部分のみにめっき液を噴出することができる電極構造体及びそれを組み込んで高い位置精度で部分めっき処理を確実かつ安定して行える連続部分めっき装置を提供。
【解決手段】一方の分割部材と他方の分割部材が上下に密着して組み合わされ、内部空間で給電されためっき液を電極ノズル孔から放射状に噴出する二つ割型の円筒状電極構造体であって、前記分割部材同士によって形成される外周部に電極ノズル孔が一列に配設され、かつ該電極ノズル孔の内面に白金系金属被膜が施されていることを特徴とする電極構造体；被処理物を搬送する回転体と、前記の電極構造体と、めっき液を電極構造体の内部に供給するめっき液供給管と、電極構造体の電極ノズルに給電する給電装置とを具備し、帯状の被処理物を連続搬送しつつ電極ノズルから、めっき液を噴射して被処理物のめっき必要部分に連続してめっき処理を施すように構成した連続部分めっき装置によって提供。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ等の作製において封止樹脂等との密着性に優れ、しかも密着性に劣化がない、例えばリードフレーム、放熱板等のパッケージ部品を提供すること。
【解決手段】半導体素子等を搭載したパッケージの構成に用いられるものであって、絶縁性樹脂で封止されるかもしくは接着剤層が適用される被覆面を少なくとも表面の一部に備えるパッケージ部品において、そのパッケージ部品が、導体基材と、その表面を部分的もしくは全体的に被覆した導電性皮膜とからなり、かつ導電性皮膜が、上記の被覆面において、粗面化された表面プロファイルをもった粗面めっき層からなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームの搬送および部分めっき処理を施す際に、リードフレームとマスクが摺動することによるマスクの磨耗による短命化および、それに伴うリードフレームへのめっき精度の変化、マスクから発生する微細な異物の付着等の問題を解決できるめっき装置を提供する。
【解決手段】電極を兼ねたノズル板３、ノズル板３の上方に位置する上板４、上板４の上面に取付けられて開口パターンが形成されたマスク５を備える金属条材のめっき装置において、上板４の上面にスペーサー７により高さを持たせたリフトプレート６を設け、リードフレーム１の搬送時にリフトプレート６でリードフレーム１を持ち上げ、リードフレーム１とマスク５との間に間隙を設けることで、リードフレーム１とマスク５との摺動によるマスク５の磨耗およびめっき処理面の傷を防止すると共に、高精度な部分めっきを可能となす。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、従来知られていなかった新たな手法によりウィスカが発生するのを抑制できるようにしためっき部材及びそのようなめっき部材を製造する方法を提供する。
【解決手段】基材１の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層２を有するめっき部材３において、めっき層における（３２１）面の配向指数を２．５以上４．０以下とする。他の態様では、めっき層における（２２０）面と（３２１）面との配向指数の比（２２０）／（３２１）が０．５以上１．５以下とする。基材１とめっき層２との間に（２２０）の配向面を持つ下地層を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームのアウターリード上に形成したすずメッキ皮膜において、生産性を落とすことなく、また従来のメッキ条件のままで容易に管理することができる簡便な方法でウィスカーの発生を防止する。
【解決手段】 リードフレームなどの被メッキ物にすずメッキ皮膜を膜厚８〜２０μｍで形成し、すずメッキの後処理としてすずメッキ皮膜上に銀を析出させて熱拡散させ、銀含有量が０．４〜３．５ｗｔ％のすず−銀皮膜形成する。銀の析出は処理溶液中に浸漬するだけの簡便な方法で行う。 （もっと読む）

【課題】Ｓｎ−Ｂｉ合金メッキ膜を形成する電解メッキ工程において、製造コストを抑えて、被メッキ処理物の表面に所望する組成のＳｎ−Ｂｉ合金メッキ膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】金属ケース３０内に投入された金属固体Ｓｎ３２と金属ケース３０とが直接接触するのを防ぐための絶縁シート３３を、金属固体Ｓｎ３２と金属ケース３０との間に設ける。さらに、金属ケース３０内に不活性ブロック３４を配置して、この不活性ブロック３４の上に絶縁シート３３（及びアノードプレート３１）を介して複数の金属固体Ｓｎ３２を配置し、また、金属ケース３０をアノードバック３５内に配置する。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーのめっき材料を採用しながら、めっき層１６にウィスカが発生するのを抑制でき、かつはんだ付け性も良好なるめっき部材を得る。
【解決手段】基材１５の表面に鉛フリーの材料（Ｓｎ−Ｃｕ合金等）からなるめっき層１６を有するめっき部材において、前記めっき層１６は２層以上の層構造（ａ１〜ａ３）とされており、各層を形成するめっき粒子（Ｐ１〜Ｐ３）の平均粒径は各層ごとに異なっており、かつ単位体積２０を最大平均粒径のめっき粒子Ｐ３で充填したと仮定したときの単位体積に対するめっき粒子が占める割合をめっき粒子体積率１００％と定義したときに、前記めっき層１６のめっき粒子体積率を８０〜９０％とする。 （もっと読む）

【課題】長尺帯状体の搬送位置の位置ずれの補正を容易化し、搬送機構の調整作業を容易にする。
【解決手段】長尺帯状体１０の搬送装置であって、それを挟むように配置された第１のローラ２０ａと第２のローラ２０ｂが、支持軸３２を支点として回動可能に支持され、前記帯状体１０の前記ローラの進入側において前記帯状体の両側縁に当接して転動するガイドローラ４０ａ、４０ｂと、該ガイドローラ４０ａ、４０ｂと前記第１のローラ２０ａおよび第２のローラ２０ｂとを連係し、前記帯状体１０が搬送される際に前記ガイドローラ４０ａ、４０ｂの動きに追随して前記第１のローラ２０ａおよび第２のローラ２０ｂを前記支持軸３２を支点として回動させる揺動部材３０と、前記第１のローラ２０ａと第２のローラ２０が基準位置から偏位した際に、第１のローラ２０ａと第２のローラ２０ｂを基準位置に復帰させる復帰手段５０ａ、５０ｂとを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直状態の帯状体を搬送する際に、垂直状態の帯状体を、その垂れ下がりを防止して確実に搬送できる帯状体の搬送装置を提供する。
【解決手段】幅方向の一側端の近傍に、前記一側端に沿って搬送用の複数の搬送孔１２が穿設された帯状体１０を、搬送孔１２が穿設された一側端を上端とする垂直状態にして、送りローラと引取ローラとの間を搬送する帯状体１０の搬送装置であって、前記送りローラと引取ローラとして、帯状体１０の搬送孔１２と歯合するピンが周設されたスプロケットローラ１４，１４・・が用いられ、前記送りローラと引取ローラとの間に、帯状体１０の搬送孔１２と歯合するピンが周設された複数のスプロケットガイドローラ１４が、帯状体１０の送り方向に回転されたとき、自重で垂れ下がった帯状体１０を引き上げる方向に搬送孔１２と歯合したピン１２が周回するように、傾斜して設置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき後の超音波洗浄の洗浄力を確保しつつ、リードフレームの表面に残留する洗浄水の量を減らすことでめっき被膜の表面に厚い酸化膜が形成されるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】リードフレームの表面にめっき被膜を形成するめっき工程と、めっき工程の後に、リードフレームを温度が５０℃以下の洗浄水に浸して超音波洗浄を行う第１の超音波洗浄工程と、第１の超音波洗浄工程の後に、リードフレームを温度が６０℃以上の洗浄水に浸して超音波洗浄を行う第２の超音波洗浄工程と、第２の超音波洗浄工程の後に、リードフレームの水切り及び乾燥を行う工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の小型化に対応できる簡便・確実な手法を用いて、優れたワイヤーボンディング性と樹脂接着性を兼備しかつ耐食性と耐摩耗性にも優れた銀めっき金属部材を提供する。
【解決手段】少なくとも０.２μｍの平均膜厚を有する銀めっき膜からなる下層と、前記銀めっき膜の表面上に形成された銀めっき層であって表面の平均結晶粒径が０.５μｍ以上好ましくは０.５〜１.５μｍ、表面粗さＲ_maxが１０〜４０μｍである上層とで構成される銀めっき構造を最表面に持つ金属部材が提供される。前記上層は、例えば下層の銀めっき膜の表面上に析出させた島状または樹枝状の銀析出部と、さらにその上を覆うように形成させた銀めっき膜からなる銀めっき層である。 （もっと読む）

【課題】 シランカップリング剤の残存及び除去不足を排除して、シランカップリング剤を用いた各種基板へのめっき不具合を解消する。
【解決手段】 水と有機溶剤の混合溶液に浸漬して、シランカップリング剤を分解、除去した後めっきする。シランカップリング剤は、加水分解し易い性質を持ち、且つ加水分解すると溶解しやすくなるので、水で分解させ、有機溶剤に溶解させることとした。これによって、どのようなシランカップリング剤でも除去可能となる。 （もっと読む）

【課題】表面粗さの値が低くかつ微細クラックの少ない表面特性を有する、めっき性に優れた銅または銅合金材およびその製造方法、並びにこれをリードフレーム材として備える半導体パッケージを提供する。
【解決手段】表面粗さが算術平均粗さ(Ｒａ)で０．１μｍ以下、かつ最大高さ(Ｒｍａｘ)で１μｍ以下であり、さらに材料表面の微細クラックが当該表面の任意の１００μｍ角あたり１０個以下である銅または銅合金材を、仕上げ前圧延として、ショットブラスト処理した、Ｒａで０．１〜１μｍの表面粗さを有するロールを用いて圧延を行い、仕上げ圧延として、Ｒａで０．１μｍ未満の表面粗さを有するブライトロールを用いて、トータル圧延量を１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲で圧延を行い、製造する。 （もっと読む）

【解決手段】基体上に形成された錫めっき皮膜であって、該錫めっき皮膜が２層以上の多層で構成され、上記多層のうちの１層が、上記基体に接して設けられた厚さ０．１〜２０μｍのバリア層であり、かつ他の１層が、基体から離間する側の表面部に設けられた厚さ０．１〜２０μｍの表面層であり、上記バリア層と基体との界面に形成される金属間化合物の均一性の変動係数ＣＶ値が４０％以下である錫めっき皮膜。
【効果】本発明の錫めっき皮膜は、錫−鉛合金めっきの代替として有用であり、錫皮膜において問題となるウィスカの発生を効果的に抑制したものである。そして、本発明の錫めっき皮膜は、一般的な錫めっき皮膜の作製工程とほとんど差がない簡便な、効率的な錫電気めっきで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】錫−銅合金、錫−銀合金および錫−銅−銀合金から選ばれた錫合金電気めっき皮膜に見られるウイスカ発生を、リフロー処理を利用せずに抑制する。
【解決手段】使用する電気めっき浴にボイド形成剤を含有させることによりめっき皮膜に微小なボイドを導入して、皮膜を軟質化する。錫−銅合金めっき皮膜の場合、ボイドを含有しないめっき皮膜のビッカース硬度を１００％として、ビッカース硬度が８０〜９５％になるようにボイドを導入する。 （もっと読む）

【課題】耐ウィスカー性に優れた銅合金リフローＳｎめっき材、およびそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】被覆層が素材側からＮｉまたはＮｉ合金下地めっき層、Ｃｕ−Ｓｎ合金中間めっき層，表層のＳｎめっき層からなり、１５５℃で１６時間加熱した際にＣｕ−Ｓｎ合金中間めっき層厚さが加熱前のＣｕ−Ｓｎ合金中間めっき層厚さの１〜１．３倍とすることにより、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の成長を抑制し、耐ウィスカー性を向上させる。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性錫塩と、無機酸及び有機酸並びにその水溶性塩から選ばれる１種又は２種以上と、水溶性タングステン塩、水溶性モリブデン塩及び水溶性マンガン塩から選ばれる１種又は２種以上とを含有する錫電気めっき浴。
【効果】チップ部品、水晶発振子、バンプ、コネクタ、リードフレーム、フープ材、半導体パッケージ、プリント基板等の電子機器を構成する部品などに、錫−鉛合金めっき材料の代替としてウィスカ抑制効果の高い錫めっき皮膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーである一元系のスズめっきにおいて、素材との密着性を維持しつつ、ウィスカーの発生を防止できるように、スズめっき皮膜を形成する。
【解決手段】被めっき材に、スズめっき皮膜を形成した後、該スズめっき皮膜の上に、有機酸銀めっき浴を用いた、無電解めっきあるいは電解めっきにより、銀皮膜を形成する後処理工程を設け、スズめっき皮膜の結晶配向に関して、（３２１）面に対する（２１１）面、（２２０）面、および、（１０１）面の配向を優先させるように、結晶配向を制御する。 （もっと読む）