【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ（３１）と、少なくとも１対の対向カソード（１および４）と、この対向カソードにＡＣ電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源（８）とを備え、ＰＶＤコーティングのための少なくとも１のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも１のさらなるカソード（６および／または７）がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはＤＣ電源の形態としてさらなる電源（４２，４４）が提供されている。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の孔や溝が形成された基板にスパッタにより薄膜を成膜するに際し、前記孔や溝の内部にスパッタ粒子を堆積させることができ、成膜性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、真空容器１０内に配されたターゲット１３に電圧を印加し、前記ターゲットと該ターゲットに対向して配された基板２との間の空間にプラズマを生成させ、前記プラズマにより前記ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を前記基板上に堆積させることにより前記基板上に薄膜を形成する成膜方法において、前記ターゲットと前記基板との間に、該ターゲットから見て前記基板を遮るように、メッシュ状の中間電極１８を配し、該中間電極にマイナス電位のパルス電圧を印加すること、を特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ガス雰囲気中におけるカソードスパッタリングにより、且つ、少なくとも１つの金属ターゲット（１６）を使用することにより、摩擦的に有効な摺動層（６）を有する基材の表面（５）を被覆することによって滑り軸受要素（１）を製造する方法であって、円筒形空洞（３）を有する基材が使用され、且つ、ターゲット（１６）は、空洞（３）内に少なくとも部分的に配置され、且つ、更には、ターゲット（１６）をスパッタリングするための放電は、第３電極（２６）によって支持又は維持される方法に関する。
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【課題】装置を拡大することなく、かつ、アノードの簡便なクリーニングのみで、安定したプラズマ放電を実現し、安定した膜質お薄膜を成膜することのできる成膜装置および成膜方法、並びに、これらによって成膜した圧電膜を用いる液体吐出装置を提供する。
【解決手段】真空容器と、ターゲットホルダと、基板ホルダと、前記ターゲットホルダと前記基板ホルダとの間に、前記基板ホルダの前記ターゲットホルダ側の外周を取り囲むように設けられたアノードとを有し、前記アノードは、複数の貫通孔を持つ板状部材を１枚または複数枚重ねたものであり、前記真空容器内に前記ガスを導入し、前記ターゲットホルダと基板ホルダとの間に、電圧をかけてプラズマを生成し、前記成膜用基板上に前記成膜材料の薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、有機電界発光素子作製において、電極、水分吸着膜、環境遮断膜からなる複数の膜を、環境雰囲気に素子特性が影響されずに、容易に連続成膜することが可能なスパッタリング装置及び成膜方法を提供することを課題とした。
【解決手段】
チャンバー内に、筒状のバッキングプレートと、バッキングプレートの高さ方向を回転軸方向とするバッキングプレート回転手段と、バッキングプレートの外面に配置された複数のターゲット設置部と、各ターゲット設置部の背面位置に設置された極性の異なる対のカソードマグネットと、基板と、基板と対向する位置に具備されたターゲットに接続する機構を有するスパッタリング用電源とを有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 （もっと読む）

デュアルマグネトロンスパッタリングモードで動作する、少なくとも第１および第２のスパッタリングカソードを備えるマグネトロンスパッタリング装置に使用するデュアルマグネトロンスパッタリング電源であって、それぞれ前記第１および第２のカソードに伴われ、かつそれぞれが対応する前記第１および第２のカソードへの反応ガス・フローを制御するように適合された第１のフロー制御バルブ（１２）および第２のフロー制御バルブ（１４）を介して、前記第１のカソード（１）および第２のカソード（４）のそれぞれに対して反応ガス・フローを供給するための手段を備え、前記電源は、前記第１および第２のカソードのそれぞれについて、前記カソードで発生する過剰な電圧に関連してフィードバック信号を送付する手段と、前記それぞれのフロー制御バルブを調整することにより前記それぞれのカソードが伴うそれぞれのフロー制御バルブへの前記反応ガス・フローを制御するともに、前記それぞれのカソードから前記カソードについて設定される設定値に対応した電圧フィードバック信号を取得するように、前記フローバルブを調整する制御回路と、を備えるデュアルマグネトロンスパッタリング電源である。また、このような電源が組み込まれたマグネトロンスパッタリング装置が請求されている。
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【課題】基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、基板に入射する粒子のエネルギーは６００ｅＶ程度と非常に高く、粒子が基板内に入り込んだり、基板を構成する原子が叩き出されたり、あるいは基板に欠陥を発生させるといった問題が発生する。
【解決手段】ターゲットと基板間に設置したグリッドから漏れ出たプラズマ荷電粒子を、真空スパッタチャンバーの側面から挿引したフィラメント（電子銃）先端から放出される電子と結合させることで、粒子極性を中和させることを特徴とする透明導電膜形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット3と基板4との間に、移動自在なグリッド電極9が設けられている。グリッド電極9がターゲット3と基板4との間にある状態で、一定時間薄膜を形成した後、ターゲット3と基板4との間にグリッド電極9を介在させない状態で、さらに薄膜形成を行う。 （もっと読む）

本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）