【課題】 構造が簡単であり、基材に照射されるイオンビームの照射強度と極めて相関関係の高い検出器における照射強度を正確に測定でき、しかも基材に照射されるイオンビームの照射強度が略目標照射強度となるようにすること。
【解決手段】 真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発させて基板及びモニタガラス２５に蒸着させ、基板及びモニタガラス２５にイオンビーム１０を照射して蒸発材料の薄膜を基板及びモニタガラス２５に形成するイオンアシスト蒸着装置において、モニタガラス２５に設けられイオンビーム１０の照射強度を検出する検出器２３と、検出器２３に照射されるイオンビーム１０の照射強度が略目標照射強度となるように、検出器２３が検出する照射強度に基づいてイオンガンに制御信号を出力するイオン電流密度制御部とを備えるイオンビームの照射強度測定装置６であり、その制御信号に基づいてイオンビーム１０をイオンガンが出射する。 （もっと読む）

【課題】 低エネルギーでのビームの発散を抑制できるビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 イオン源１からのビームを、質量分析電磁石装置３、ビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置７ならびにビーム平行化装置、加速／減速装置を経て後段の角度エネルギーフィルター１８によりエネルギー分析を行なった後、ウエハ２３に照射するビーム照射装置において、前記ビーム平行化装置を静電式の減速パラレルレンズ１０で構成し、前記加速／減速装置を独立に高電圧を印加できる第１、第２のＡ／Ｄコラム電極１１、１２で構成し、前記減速パラレルレンズと前記第１、第２のＡ／Ｄコラム電極とを組み合わせることによって、低エネルギーでもビームの発散を抑え、前記偏向走査装置で横方向にスキャンされたビームの平行度を良好に維持できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 基板に入射する際のイオンビームの平行度測定が可能で平行度の調整が容易なイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置において、走査器により走査されたイオンビームの空間分布を測定するイオンビーム分布測定装置３０と、このイオンビーム分布測定装置３０の上流側前面に配置され、イオンビーム分布測定装置３０の前面から取り外し可能で、かつ、複数の開口２２を有する遮蔽板２０と、この遮蔽板２０の複数の開口２２を透過したイオンビームの空間分布を測定することにより、当該複数の領域でのイオンビームの平行度を検出する電気回路等の平行度検出機能とを有し、基板に入射するイオンビームの平行度を測定する平行度測定装置１０を備えた構成とした。
また、平行化電磁石の一方の縦ヨークに、平行化電磁石の主励磁コイルとは独立に励磁電流の調整が可能な補助コイルを取り付けると、平行度の調整が容易になる。 （もっと読む）

【課題】 マスクや真空槽内部に付着した有機物や無機物を、真空槽を開放することなくイオンビームを照射することにより容易に除去できる極めて生産性に秀れた成膜装置を提供することである。
【解決手段】 マスク１が積層される基板２と、この基板２上に前記マスク１を介して成膜材料を付着させることで所望のパターンの薄膜を成膜する材料蒸発源３とが設けられる真空槽４を有する成膜装置であって、前記基板２に積層されるマスク１若しくは真空槽４内部にイオンビームを照射することで、このマスク１若しくは真空槽４内部に付着した有機物若しくは無機物を除去するイオンビーム源５を備え、前記真空槽４を大気開放することなくマスク１若しくは真空槽４内部にイオンビームを照射し得るように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】カソードを含む蒸発源を用いた物品処理装置（例えばアーク式ＰＶＤによる成膜装置）であって、カソード上のアークスポットがカソード蒸発面以外のカソード部分に発生したとき、アークスポットをカソード蒸発面上に戻して正規のアーク放電を再開させることができ、それにより被処理物品に所望の目的とする処理を実施できる物品処理装置を提供する。
【解決手段】カソード３１の側周面に対し臨設した電流検出部材５に流れる電流の波形を電流波形検出部６で検出する。制御部Ｃｏｎｔは、その波形が、アークスポットがカソード蒸発面３１１上にあることを示す正常波形か、それ以外のカソード部分にあることを示す異常波形かを判定し、異常波形であると判定すると、アークスポットをカソード蒸発面３１１上へ戻すようにアーク放電用電源３３及びトリガー電極３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】 寿命の長いイオンビーム引出電極およびイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置１は、引出電極２０を備えている。引出電極２０は、接地電極２１および加速減速電極２２を有している。接地電極２１は、接地電位が与えられる電極であり、接地電極２１ａ（第１接地電極）と接地電極２１ｂ（第２接地電極）とを有して構成されている。接地電極２１ａの材質は、ステンレス（ＳＵＳ３０４）である。接地電極２１ｂは、接地電極２１ａよりもイオンビームＢの上流側に設けられており、材質はカーボンである。加速減速電極２２は、接地電位に対して負電位が与えられる電極であり、接地電極２１に対してイオンビームＢの上流側に設けられている。 （もっと読む）

本発明のコーティング装置は、プロセス・チャンバを含み、カソード・スパッタリングにより基板を被覆する。プロセス・チャンバは、ガス雰囲気を調整・維持するプロセス・ガス注入口及び排出口と、アノードと、スパッタリングされるべきターゲットを有するカソードと、アノードとカソードの間に電圧を発生させる電力源とを有し、電力源は、カソードのターゲット材料をスパッタリングして蒸気に変える電気的スパッタリング源を含む。イオン化電圧を発生させるイオン化手段が、スパッタリングされたターゲット材料の少なくとも一部をイオン化するように設けられる。磁気案内要素を有するフィルタ装置が設けられ、スパッタリングされイオン化されたターゲット材料が磁気案内要素を通って、基板表面に供給され、スパッタリングされたイオン化されていないターゲット材料が、基板の表面に到達する前にフィルタ装置によって取り除かれる。
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昇華された蒸気の定常流れを真空チャンバへ送達するための蒸気送達システムは、固体物質の気化器、機械式スロットルバルブおよび圧力ゲージ、それに続く真空チャンバへの蒸気導管を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度、およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。その気化器の温度は、閉ループ制御により設定点温度に決定される。この機械式スロットルバルブは、電気制御され、例えば、バルブの位置は、圧力ゲージの出力に対する閉ループ制御下にある。このようにして、蒸気の流量は、ほぼ圧力ゲージの出力に比例し得る。上記気化器から上記真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上流スロットルバルブとして作用するように示される。
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本発明は、真空下で、主としてフッ素及び炭素を含有する非結晶層を基板（９）上に付着させるための方法に関し、イオン・カノンに供給されるガス状形態又は飽和蒸気のフッ素及び炭素を含有する少なくとも1つの化合物から生成される加速イオン・ビーム形態でイオンを噴射するためのイオン・ガン（１）により、この層を付着させる工程を含むことを特徴とする。この種の方法は、具体的には、低い屈折率を有する外側層を、下にある反射防止スタックの層に粘着させることを改善することを可能にする。本発明は、さらに、前述の方法を実施するのに好適な装置に関する。
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【課題】低抵抗の浅いｐｎ接合を実現すること。
【解決手段】ガス導入２６からＩ（沃素）をアークチャンバー２１内に導入し、アークチャンバー２１の内壁に設置されたＧｅＦ₂ を含む材料板３０を、Ｉによって物理的および化学的にエッチングし、ＧｅＦ₂ イオンを発生させ、このＧｅＦ₂ イオンをｎ型半導体基板の表面に注入し、その後試料内のＧｅＦ₂ を活性化するための熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ表面上を照射するイオンビームに対して最適かつ均一な電子量を供給できるようにして、ウエハ表面でのチャージアップの問題を解消する。
【解決手段】 中和装置は、走査イオンビーム６が紙面の表から裏へ通過する中空部５ａを有するリフレクター５と、リフレクター５の電子導入口５ｂ付近から電子４を供給するアークチャンバー３と、軸２を介してアークチャンバー３を上下移動させるための駆動装置１と、イオンビームの電荷量を測定するためのファラデー箱１１と、電流計１０₁〜１０₃を介して電源１２に接続される電極８₁〜８₃とから構成される。イオン注入の準備段階にて、イオンビームをファラデー箱１１側を通過させ、その電荷量を計測する。その計測値に見合う電流が電流計１０₁〜１０₃に流れるようにチャンバー３の位置を調整する。イオンビームをリフレクター５側を通過させイオン注入を行う。 （もっと読む）