【課題】石英製の反応炉の損傷を抑制することができ、副生成物の生成を抑制できるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物テンプレートの製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶及びＩＩＩ族窒化物テンプレートを提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物結晶は、ＩＩＩ族窒化物結晶中に１×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３未満の炭素を含み、前記炭素がＶ族サイトを置換しており、かつ、前記ＩＩＩ族窒化物結晶内でアクセプタとして働く他の不純物を含まないものである。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板２００を収容する処理室２０１を加熱する加熱手段２０６と、第１の熱電対２６３により基板の近傍の温度を検出する第１の温度検出手段と、第２の熱電対２６４により加熱手段の近傍の温度を検出する第２の温度検出手段と、第１の温度検出手段により検出された温度、及び第２の温度検出手段により検出された温度に基づき制御する第１の制御手段と、第２の熱電対により検出された温度に基づき制御する第２の制御手段と、検出された温度に従って、第１の制御手段と第２の制御手段による制御とを切り替える制御切り替え手段を有し、第１の熱電対２６３は第２の熱電対２６４に比べて耐熱性に優れた特性を有し、第２の熱電対２６４は第１の熱電対２６３と比べて温度検出性能が優れた特性を有する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスおよび窒素含有ガスを用いて形成した窒化膜の特性の均一性を向上できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供するこ。
【解決手段】基板２００を支持する基板支持部材２１７と、基板支持部材２１７を収容可能な処理室２０１と、基板支持部材２１７を回転させる回転機構２６７と、基板支持部材２１７を処理室２０１から搬出する搬出機構１１５と、処理室２０１に原料ガスを供給する原料ガス供給系３０１と、処理室２０１に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系３０２と、原料ガスと窒素含有ガスを用いて基板２００に窒化膜を形成した後、処理室２０１から基板２００を支持した基板支持部材２１７を回転させながら搬出するよう原料ガス供給系３０１、窒素含有ガス供給系３０２、搬出機構１１６および回転機構２６７を制御する制御部２８０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いられるキャパシタを効率よく、しかも少ない占有床面積で行うことができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上に下電極を形成する工程（Ｓ１０４）と、下電極の上に、それぞれ異なる金属元素を含む３種の金属酸化膜を積層して誘電膜を形成する工程（Ｓ１０６、Ｓ１０８、Ｓ１１０）と、誘電膜の上に、上電極を形成する工程（Ｓ１１２）と、を有し、各工程は同一の装置で行う。 （もっと読む）

【課題】処理領域に達する前にガスを混合することなく、シャワーヘッドへのガスを密閉するためＯリングを使用することなく、処理ガスに少なくとも２つのガスを供給するシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】シャワーヘッドのための上下続きのガス分配フェースプレートは、第１表面、第２表面、及び第３表面を含み、第１表面と第２表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って延びる複数の第１ガス孔を備えている。上下続きのガス分配フェースプレートは複数の相互連結溝により規定された内部ガスの分配空洞部を有している。複数の第２ガス孔は第１表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って複数の相互連結溝に延びている。相互連結溝は少なくとも１つのガス導管に順番に接続されるプレナムに滑らかに結合されている。ガス導管は第３表面に延びている。 （もっと読む）

【課題】高誘電率を有する薄膜を改質する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】高誘電体膜が形成された基板を処理室へ搬入する工程と、基板にマイクロ波を照射することにより、高誘電体膜を加熱して改質する工程と、基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（Ａｌ_２Ｏ_３層）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ｔｉ化合物層側の結晶粒の数ａと上記Ａｌ_２Ｏ_３層側の結晶粒の数ｂとの比率ｂ／ａを切れ刃部においては０．８＜ｂ／ａ＜１．２を満足し、さら上記Ａｌ_２Ｏ_３層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径が０．１μｍ以下であり、逃げ面部およびすくい面部においては、４＜ｂ／ａ＜２０を満足し、さら上記Ａｌ_２Ｏ_３層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径が０．１〜０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、下部層（Ｔｉ化合物層）と上部層（酸化アルミニウム層）からなる硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、上記下部層と上記上部層との隣接界面に存在する上記Ｔｉ化合物層側の結晶粒の数ａと上記酸化アルミニウム層側の結晶粒の数ｂとの比率ｂ／ａは４＜ｂ／ａ＜２０であり、さらに、上記酸化アルミニウム層直下のＴｉ化合物層の結晶粒の平均粒子径は０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 鋼や鋳鉄等の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層（但し、上部層と接する下部層は改質ｌ−ＴｉＣＮ層）と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、上記改質ｌ−ＴｉＣＮ層は、上記Ａｌ_２Ｏ_３層との界面から改質ｌ−ＴｉＣＮ層内部側の深さ０．５〜２．０μｍの範囲内において、酸素含有量のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％である酸素濃化領域を備え、また、上記Ａｌ_２Ｏ_３層は、測定領域の粒界の全長ＧＢ_Ｌ（μｍ）と、測定領域の面積Ｇ_Ａ（μｍ^２）が、ＧＢ_Ｌ／Ｇ_Ａ＝１２〜２８の関係を満足する微細結晶Ａｌ_２Ｏ_３層である。 （もっと読む）

【課題】鋼や鋳鉄等の高速連続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層（但し、上部層と接する下部層は改質ｌ−ＴｉＣＮ層）と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、前記改質ｌ−ＴｉＣＮ層は、Ａｌ_２Ｏ_３層との界面から改質ｌ−ＴｉＣＮ層内部側に深さ０．５〜２．０μｍの範囲内の間隔をおいて、酸素含有量の複数のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％である少なくとも３つの酸素濃化領域を備え、また、前記Ａｌ_２Ｏ_３層は、測定領域の粒界の全長ＧＢ_Ｌ（μｍ）と、測定領域の面積Ｇ_Ａ（μｍ^２）が、ＧＢ_Ｌ／Ｇ_Ａ＝２２〜４１の関係を満足する微細結晶Ａｌ_２Ｏ_３層である。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって、耐熱衝撃性が高く、緻密質な窒化アルミニウム膜を成膜する窒化アルミニウム膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原子（Ａｌ）を含むガスおよび窒素原子（Ｎ）を含むガスに、酸素原子（Ｏ）を含むガスを混合し、窒化アルミニウム膜によって被覆されるべき被処理物に向けて供給する。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法を提供する。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法を提供する。
【解決手段】洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造工程を簡略化させ、金属元素含有膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 金属元素含有膜及び金属元素含有膜上に形成された絶縁膜を備える基板を処理室内に搬入し、処理室内に設けられた基板支持部により支持する工程と、励起状態の水素と励起状態の窒素のいずれか又は両方と、励起状態の酸素と、を含む反応ガスを処理室内で基板上に供給して基板を処理する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の欠陥を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置システムを提供する。
【解決手段】金属膜としてのTiN膜及び絶縁膜としてのZrO₂膜が形成されたウエハを処理室へ搬入し、この処理室にZrO₂膜を改質する改質ガスとしてO₂を供給し、このウエハに電磁波を照射することにより、ZrO₂膜を構成する双極子を励起してZrO₂膜を改質し、ウエハを処理室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】２段階成長法と同等以上の膜質のＧａＮ層をサファイア基板上に成長させることができると共に、高い生産効率及び成長安定性を得ることのできる窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にプラズマによる窒化処理を施し、その処理面に表面改質層２を形成する。その後、表面改質層２を形成したサファイア基板１を、不活性ガスの雰囲気または不活性ガスに１０％以下の濃度の水素を混合した雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、ＧａＮ層（窒化物半導体層）３の成長温度（１１００℃）にまで昇温し、表面改質層２の表面にＧａＮ層３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ガス配管部材内でのガスの液化を低減できるガス配管部材を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、半導体基板を処理するガスを供給するためのガス配管部材であって、前記ガスを内側に通過させる内管と、前記内管の外壁に接触しながら前記内管の長手方向に延びたヒータと、前記内管及び前記ヒータの外側に前記内管と同軸に配され、端部が前記内管側に傾斜し前記内管と接続される傾斜部を有する外管と、前記内管と前記外管との間に配された断熱材とを有し、前記ヒータは、前記傾斜部を貫通し他のガス配管部材のヒータと接続できるように構成されていることを特徴とするガス配管部材が提供される。 （もっと読む）

【課題】分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。
【解決手段】真空容器１内において分離領域Ｄを介して処理領域Ｐ１、Ｐ２をウエハＷが順番に通過するように回転テーブル２を回転させるにあたり、回転テーブル２の中央側よりも周縁側の分離ガスの供給量が多くなるように、当該中央側では周縁側よりも分離ガスノズル４１、４２のガス吐出孔３３の配列間隔ｕを広く設定すると共に、分離領域Ｄから処理領域Ｐ１、Ｐ２側に吐出される分離ガスの流速について、各領域Ａ１、Ａ２における回転テーブル２の最大周速度よりも夫々僅かに速くなるように設定する。 （もっと読む）