【課題】 処理チャンバに前駆物質を分配するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】 装置は、複数のガス分配ゾーンを持つガス分配アセンブリを含む。各ゾーンは、前駆ガスを受容するための入口を持つプレナムと、赤外光源のような少なくとも一つの非熱エネルギー源とを含んでもよい。少なくとも一つの非熱エネルギー源は、赤外光源からの波長の強度を制御するために変動してもよい。 （もっと読む）

対応する金属含有薄膜のＣＶＤ／ＡＬＤに有用なアンチモン、ゲルマニウム、およびテルル前駆体、ならびに該前駆体を含む組成物、該前駆体を作製する方法、ならびに該前駆体を使用して製造される膜およびマイクロ電子デバイス製品、さらに対応する製造方法が記載される。本発明の前駆体は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧＳＴ）膜、および該膜を含む相変化メモリデバイス等のマイクロ電子デバイス製品の形成に有用である。
（もっと読む）

【課題】相変化メモリ素子の製造方法及びこれに適用された相変化層の形成方法を提供する。
【解決手段】相変化層が形成される下部膜上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含む二価の第１前駆体を供給する段階を含むことを特徴とする相変化メモリ素子の製造方法を提供する。相変化層は、ＭＯＣＶＤ、サイクリック−ＣＶＤ及びＡＬＤのうちいずれかの方法で形成し、このとき、相変化層の組成は、圧力、蒸着温度または反応ガス供給量で調節でき、圧力範囲は、０．００１Ｔｏｒｒ−１０Ｔｏｒｒ、蒸着温度の範囲は、１５０℃−３５０℃、反応ガスの供給量は、０−１ｓｌｍでありうる。 （もっと読む）

【課題】傾斜ＳｉＧｅ含有膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤチャンバ内に配置された基板を用意するステップと、所定量のトリシラン及びゲルマニウム前駆体を含み、上記量を堆積中に変化させる堆積ガスを用いて、熱ＣＶＤによって基板上に傾斜ＳｉＧｅ含有膜を堆積するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造装置に於ける不純物の原子層成長及び原子層ドーピングに関して、原子レベルでの制御性を向上し、又高濃度ドーピングを可能とするものである。
【解決手段】
Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面を有する基板を処理室に搬入する工程と、少なくとも前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面に不純物がドーピングされたエピタキシャル膜を成長させる工程とを有し、該エピタキシャル膜を成長させる工程は、不純物の成長とエピタキシャル膜の成長工程とを交互に所要数繰返す工程を含み、前記ドーピングは、少なくとも所要の不純物を含むドーピングガスとキャリアガスとを前記処理室に供給する工程であり、前記成長工程は少なくとも、シリコンを含むガスを前記処理室に供給する工程である。
（もっと読む）

【課題】 平坦化したＳｉＧｅ層上に、該ＳｉＧｅ層表面の平坦性を悪化させずに、歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させることを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板上にＳｉＧｅ組成傾斜層、ＳｉＧｅ組成一定層を形成する工程と、該ＳｉＧｅ組成一定層の表面を平坦化する工程と、該平坦化されたＳｉＧｅ組成一定層の表面上の自然酸化膜を除去する工程と、該表面の自然酸化膜が除去されたＳｉＧｅ組成一定層上に歪みＳｉ層を形成する工程とを備える半導体基板の製造方法において、前記ＳｉＧｅ組成傾斜層の形成及び前記ＳｉＧｅ組成一定層の形成は、８００℃より高い温度Ｔ_１で行い、前記ＳｉＧｅ組成一定層の表面の自然酸化膜の除去は、還元性ガス雰囲気下において８００℃以上かつ前記温度Ｔ_１よりも低温である温度Ｔ_２で熱処理することによって行い、前記歪みＳｉ層の形成は、前記温度Ｔ_１よりも低温である温度Ｔ_３で行う半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温で自然酸化膜または有機物等の汚染物を除去できる基板処理装置、基板処理方法、および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】一部分にＳｉ面が露出した基板を処理室内に搬入する工程と、前記基板を所定の温度に加熱する工程と、前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記Ｓｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程と、前記処理室内に少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガスを供給し、前記エッチング処理が施された前記Ｓｉ面の上に、ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜を成長する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

３５０℃よりも低い温度で基板上に相変化メモリカルコゲニド合金の堆積を生じさせる条件下で相変化メモリカルコゲニド合金の前駆体に基板を接触させる、基板上に相変化メモリ材料を形成するシステム及び方法であって、接触が化学蒸着又は原子層堆積を介して行われるシステム及び方法。基板上にＧＳＴ相変化メモリ膜を形成するために有用である種々のテルル前駆体、ゲルマニウム前駆体及びゲルマニウム−テルル前駆体が記載されている。 （もっと読む）

厚い傾斜バッファ層中の貫通転位のパイル−アップは、転位映進を促進することにより低減される。傾斜ＳｉＧｅバッファ層の形成中に、シリコン前駆体及びゲルマニウム前駆体からのＳｉＧｅ堆積は、１つ以上の期間において中断される。該期間においては、基板へのゲルマニウム前駆体のフローが維持されているが、基板へのシリコン前駆体のフローが止められている。 （もっと読む）

【課題】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。
【解決手段】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。本発明によれば、相変化物質層を選択的に形成することによって、ボイド及びシームなしにホールを満たす相変化パターンを実現することができる。これによって、相変化記憶素子の特性低下を防止し、高集積化及び低消費電力化の少なくともいずれか一方に最適化された相変化記憶素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上に自然酸化膜が形成されるのを抑制することができる基板処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】処理装置１０１は、ウエハを熱処理する処理室２０１と、処理室２０１内を加熱するヒータ２０６と、処理室２０１と炉口を介して連接するロードロック室１４１と、処理室２０１内へ水素ガスを供給する第３のガス供給源１８２と、前記炉口を開閉するための炉口ゲートバルブ１４７と、ロードロック室１４１内のガスを排出する排気装置３００と、コントローラ２４０と、を備えている。そして、コントローラ２４０は、処理室２０１内が所定温度に加熱されている状態で、炉口ゲートバルブ１４７の開放、第３のガス供給源１８２によるガス供給、および、排出装置３００によるガス排出を実行することで、処理室２０１内で加熱されたガスでロードロック室１４１内の壁面を加熱させる。 （もっと読む）

基板の表面上にシリコン含有材料をエピタキシャルに形成する方法は、プロセスチャンバー温度及び圧力の調整を通じてハロゲン含有ガスをエッチングガス及び担体ガスの両方として使用する。ＨＣｌをハロゲン含有ガスとして使用するのが有益である。なぜなら、ＨＣｌを担体ガスからエッチングガスへ変換することが、チャンバー圧力の調整で容易に遂行できるからである。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶質の半導体薄膜を成膜する際、膜質の良好な結晶性の半導体薄膜を得ることが可能な半導体薄膜の成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】エッチング性ガスと半導体材料を含有する成膜ガスとを加熱した基板表面に供給することにより、基板表面においてエッチング性ガスと成膜ガスとを熱化学反応させ、基板表面に結晶質の半導体薄膜を成膜する成膜方法において、エッチング性ガスと成膜ガスとは、基板表面に対向配置され冷媒管１８によって冷却状態に保たれたシャワープレート１７から基板表面の全面に対して供給される。 （もっと読む）

【課題】相変化物質薄膜の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバ内でＧｅを含む第１前駆体とＴｅを含む第２前駆体とを同時に供給してＧｅＴｅ膜を形成する第１工程と、Ｔｅを含む第２前駆体とＳｂを含む第３前駆体とを同時に供給してＳｂＴｅ膜を形成する第２工程と、第１工程及び第２工程を反復的に行ってＧｅＳｂＴｅ膜を形成する第３工程と、を含む相変化物質薄膜の形成方法である。本発明によれば、相変化半導体メモリの製造時に前記形成方法で相変化層を形成すれば、メモリ特性が向上し、また、製造工程が簡単でコストが低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ金属酸化物強誘電体薄膜の形成のために均一種を提供すること。
【解決手段】１トランジスタメモリを製造する方法であり、単結晶シリコン基板を準備する工程と、基板上にデバイス領域を形成する工程と、基板の表面上にゲート酸化物層を成長させる工程と、ゲート酸化物層上に下部電極構造を堆積する工程と、ソース領域およびドレイン領域を形成するためにイオンを注入し、注入されたイオンを活性化させる工程と、約５ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第１の強誘電体層を有する構造をスピンコーティングする工程と、第２の強誘電体層を約５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さに堆積する工程と、構造をアニーリングしてｃ軸配向した強誘電体を提供する工程と、構造をエッチングして余分な強誘電体材料を取り除く工程と、保護層を堆積する工程と、シリコン酸化物の層を堆積する工程と、構造を金属化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ナノチューブと量子ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】主に以下のステップを含む。すなわちシリコン基板を提供し、誘導結合プラズマ設備を提供し、該シリコン基板を該誘導結合プラズマ設備の反応室中に置き、気体水素を該反応室内に入れ、予め設定する操作プラズマ周波数を使用し、同時に該シリコン基板に対して適当なバイアス電圧(bias pressure)を加え、200〜400℃で該シリコン基板に対して乾蝕刻（ｄｒｙ etching）を行う。 （もっと読む）

【課題】高性能で均一な薄膜を、効率的に、かつ常温でも形成可能な薄膜形成方法とそれにより得られる薄膜を提供する。
【解決手段】ナノ粒子を基材に付与し、基材上に付与された該ナノ粒子を大気圧プラズマ処理することにより、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、該大気圧プラズマ処理が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間にガスを供給し、該電極間に高周波電界を発生させることによって該ガスを励起ガスとし、該励起ガスに基材上に付与された該ナノ粒子を晒す処理であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 短絡電流密度が向上した光電変換素子を提供することを目的とする。また短絡電流密度が向上した光電変換素子を製造するための製造方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐｉｎ接合またはｎｉｐ接合からなる光電変換層を有する光電変換素子において、光電変換層における真性半導体層を微結晶シリコンゲルマニウムにより形成し、この真性半導体層中の酸素濃度を１０^２０個／ｃｍ^３未満とする。 （もっと読む）

【課題】有機金属組成物の提供
【解決手段】ゲルマニウム含有膜の蒸着前駆体として用いるのに好適なゲルマニウム化合物を含有する組成物が提供される。かかる組成物を用いる、ゲルマニウムを含有する膜の堆積方法も提供される。かかるゲルマニウム含有膜は電子装置の製造において特に有用である。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、透明基板を用いた多結晶シリコン薄膜の製造方法及び製造装置であり、ＲＴＰ光源を、熱処理源ではなく、多結晶シリコン蒸着のためのエネルギー源として用いるものであり、その方法は、透明基板上に光吸収層を形成し、ＲＴＰ（Rapid Thermal Process）光源の照射により光吸収層を加熱しながら、光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着することを行うことで、電気的特性が良好な多結晶シリコン薄膜を製造することができる。 （もっと読む）