【課題】カソード電極およびアノード電極が大面積化したときにも両電極の間にガスを均一に供給することができ、かつ、両電極の厚みを薄く抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置のチャンバー内に、アノード電極とカソード電極１２とが２組、対向状に配置されている。カソード電極１２はシャワープレートと裏板と中空室１７とを有している。シャワープレートに、中空室１７に導入されたガスを両電極の間に噴出させる第１ガス噴出孔１８が設けられている。裏板の下面（シャワープレートに対向する中空室内壁）の電極端面部に、外部からガスを導入するガス導入口３１が設けられている。中空室内壁に、中空室１７にガスを噴出させる第２ガス噴出孔３２と、ガス導入口３１から第２ガス噴出孔３２へガスを案内するガス案内部３３とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】シリルテルル前駆体がゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜のためのテルル源として用いられ、堆積プロセスの際にアルコールと反応する、原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、ＧａＮ層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】（１１１）シリコン基板３上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層７をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板３上のゲルマニウム層７を７００〜９００℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層７上にＧａＮ層９をヘテロエピタキシャル成長させるＧａＮ成長工程、を含むＧａＮ層含有積層基板１の製造方法、及びこの製造方法により得られるＧａＮ層含有積層基板１、並びに基板１を用いて製造されたデバイス。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンゲルマニウム膜の表面モフォロジを改善し、結晶粒サイズを微小化することを可能とする。
【解決手段】基板上にアモルファスシリコン膜を第１の圧力で成膜する工程と、前記アモルファスシリコン膜の上にポリシリコンゲルマニウム膜を第２の圧力で成膜する工程とを有し、前記第２の圧力に関しては成膜初期圧力は１００Ｐａ以上１５０Ｐａ以下であり、成膜終期圧力は３０Ｐａ以上６０Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＧＳＴ、ＧｅＴｅ、及び他の膜を非晶質の形態で、ただし比較的高い蒸着速度で形成する新規な方法を提供すること。
【解決手段】ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン前駆体は、ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン含有膜、例えば、ＧｅＴｅ、ＧＳＴ、及び熱電ゲルマニウム含有膜を形成するために、有用に使用される。これらの前駆体を用いて非晶質膜を形成する方法もまた記載されている。さらに、相変化型メモリー用途用のＧｅＴｅ平滑非晶質膜を形成するための、［｛ｎＢｕＣ（ｉＰｒＮ）₂｝₂Ｇｅ］又はＧｅブチルアミジネートの使用が記載されている。 （もっと読む）

【課題】排気手段内の汚染物質が処理室内へ逆拡散（逆流）することを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】減圧下で基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に所望のガスを供給するガス供給手段２３２と、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気手段２３１と、ガス供給手段２３２に設けられる第１のバルブ１７７等と、排気手段に設けられる第２のバルブ２４２と、処理室２０１内の圧力を検知する圧力検知手段と、第１のバルブ１７７等、第２のバルブ２４２、及び圧力検知手段をそれぞれ制御する制御手段２４０と、を有し、制御手段２４０は、第１のバルブ１７７等を開けて処理室２０１内に不活性ガスを供給しつつ、第２のバルブ２４２を開けて処理室２０１内の雰囲気を排気し、所定時間の経過後に圧力検知手段にて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、検知した圧力が所定の基準圧力以上であればリーク有と判定する。 （もっと読む）

１つの実施形態は、単結晶膜を選択的に堆積するための方法を提供する。この方法は、第１の表面形態を有する第１の表面およびこの第１の表面形態とは異なる第２の表面形態を有する第２の表面を含む基体を準備する工程を含む。シリコン前駆体［１０８］およびＢＣｌ_３［１３４］は相互混合され、これにより供給ガスが形成される。この供給ガスは、化学気相成長条件［１２２］下でこの基体へ導入される。Ｓｉ含有層は、供給ガス［１２０］を導入することにより、第２の表面上に堆積することなく、第１の表面上に選択的に堆積される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系半導体多結晶基材の製造において、ＣＶＤ装置内での粉の発生を抑制し、かつ、５００℃以下の低温において結晶性に優れた半導体素子の製造に有用なＳｉ系結晶質半導体を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｉに対して２００〜５００℃の範囲において化学的エッチング性を有するエッチング性ガスと、シラン系原料ガスと、該シラン系原料ガスの希釈率を上げるキャリアガスの存在下、前記シラン系原料ガスを加熱された基体により熱的に活性化させることにより、前記エッチング性ガスがＳｉのネットワーク構造の緩和と結晶化を促進させて、Ｓｉを主たる組成とする結晶質半導体材料を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、分子式Ｓｉ_ｘＧｅ_ｙＨ_ｚ−ａＸ_ａの化合物と、この化合物を調製するための方法と、本発明の化合物を用いてシリコン基板上に高Ｇｅ含有量のＳｉ膜を堆積させるための方法とを提供する。ここで、Ｘはハロゲンであり、ｘ、ｙ、ｚ、およびａは、本明細書において規定される。
（もっと読む）

指向された反応物質流、および、この流れに対して移動する基板による低大気圧化学蒸着が記述される。故に、このCVD構成を用い、所望レベルの被覆均一性を獲得し乍ら、比較的に高い析出速度が達成され得る。孔質の粒子性剥離層の如き剥離層上にひとつ以上の無機層を載置する析出手法が記述される。幾つかの実施例において、上記剥離層は、基板上へと被覆されるサブミクロン粒子の分散液から形成される。記述されるプロセスは、剥離層の使用により分離されてケイ素箔体とされ得るケイ素薄膜の形成に対して有効であり得る。上記ケイ素箔体は、ディスプレイ回路もしくは太陽電池の如き、種々の半導体系デバイスの形成に対して使用され得る。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有組成物を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｔｅ−Ｄの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Ｒが、１〜１０個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基；Ｃ_6-12の芳香族基；ジアルキルアミノ基；有機シリル基；及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含むＴｅ含有組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】 ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体を光電変換層に用いる光デバイスであり、光電変換層を構成する四面体結合される半導体の格子点サイトのゲルマニウム原子を置換するｎ型ドーパントＤまたはｐ型ドーパントＡと、前記ドーパントに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚを含み、異種原子Ｚはドーパントとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となる光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 形成する膜の物性を容易に制御でき、また、生産性良く膜の形成が可能な制御性の良い成膜装置を提供する。
【解決手段】 膜を形成すべき基板５をアノード電極３に載置し、反応室１中に原料ガスを供給し、前記アノード電極３と、該アノード電極３に対向して配置してあるカソード電極４との間に高周波電圧を印加して原料ガスのプラズマを発生させ、制御部９を用いて駆動部８を制御することによって、成膜中にカソード電極４をアノード電極３に接近又は離隔させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

本発明は、シリコン、ゲルマニウム、及びこれらの元素の酸化物であるＳｉＯ_xまたはＧｅＯ_xを含む群から選択される少なくとも１種の材料に基づくコーティング（６）の製造方法であって、これらの材料は必要に応じてドープされ、特にアモルファスで金属基板（２）の表面（３）の少なくとも一部分上に形成され、必要に応じて、コーティング（６）の堆積よりも前に基板（２）中の少なくとも上記一部分の領域において窒素濃度が増加し、この一部分がコーティング（６）の堆積よりも前に酸化される、方法について記載する。
（もっと読む）

【課題】相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】相変化層の形成方法において、電気化学蒸着法で相変化層を形成することを特徴とし、相変化層を構成する元素をそれぞれ含む前駆体と溶媒とを混合して電解質を形成する第１ステップ、陽極板と相変化層の蒸着される基板が設けられた陰極板とを離隔した状態で電解質に漬ける第２ステップ、相変化層の蒸着条件を設定する第３ステップ、及び陽極板と陰極板との間に電圧を印加する第４ステップを含む相変化層の形成方法である。 （もっと読む）

原子層堆積技術を開示する。ある特定の例示的実施形態においては、この技術は、ひずみ薄膜を形成する方法によって実現することができる。この方法は、基板表面に少なくとも１つの第１種原子および少なくとも１つの第２種原子を有する１つまたはそれ以上の前駆物質を供給して、それによって基板表面上に前駆物質の層を形成するステップを備える。この方法は、さらに、基板表面に第３種のプラズマ生成した準安定原子を照射するステップであって、この準安定原子が基板表面から少なくとも１つの第２種原子を脱離させて、少なくとも１つの第１種の原子層を形成するようにしたステップも備える。少なくとも１つの第１種の原子層における所望応力量は、原子層堆積プロセスにおける１つまたはそれ以上のパラメータを制御することによって得ることができる。
（もっと読む）

【課題】ｐ型またはｎ型に制御された低抵抗のＳｉＧｅからなる導電性パターンを基材上に選択的に５００℃以下の低温で形成することを可能にする。
【解決手段】ガラス又は酸化ケイ素からなる非晶質基材上にアルミニウム薄膜又はクロム薄膜をパターン状に形成し、フッ化ゲルマニウムとジシランを原料とした熱ＣＶＤ法によって、前記パターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的にＳｉＧｅを堆積する。得られた導電性パターンは、ＳｉＧｅ膜が、非晶質基材上にパターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的に形成され、非晶質基材上には形成されない。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上単結晶Ｓｉ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハ上にゲルマニウム含有材料を堆積させて犠牲Ｇｅ含有膜を形成させたあと、単結晶Ｓｉ膜を、犠牲Ｇｅ含有膜上に形成する。前記単結晶Ｓｉ膜表面に透明基板を接着することによって、接着基板を形成する。前記接着基板をＧｅエッチング溶液に浸漬し、犠牲Ｇｅ含有膜を除去することにより、透明基板をＳｉウエハから分離する。その結果、上部に単結晶Ｓｉ膜が形成された透明基板が得られる。任意で、Ｇｅエッチング溶液を分散させるための溝を形成し、Ｇｅ含有膜の除去を促進してもよい。 （もっと読む）

【課題】 選択エピタキシャル成長の成長速度とエッチング速度の両方を調整することが可能であり、ノズルからのパーティクル発生を回避でき、良好なエッチング特性を得ることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 シリコンを含む原料ガスとエッチングガスとを交互に繰り返して処理室２４内に供給して基板の表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置１０であって、処理室２４内で基板を支持する基板支持部材１６と、基板及び処理室２４内の雰囲気を加熱し、処理室２４の外部に設けられる加熱部材２２と、処理室２４内に配置されるガス供給手段と、処理室２４に開口する排気口２７と、を備え、ガス供給手段は、原料ガスを供給する第１のガス供給ノズル４２ａ、４２ｂ、４２ｃと、エッチングガスを供給する第２のガス供給ノズル４４ａ、４４ｂ、４４ｃと、を含む基板処理装置１０とする。 （もっと読む）