【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基材シートとゲルマニウム蒸着層との密着性、耐水性に優れるゲルマニウム蒸着シートを提供する。
【解決手段】基材シート１０に、水素原子含有量が１〜２０原子％のゲルマニウム蒸着層２０が形成されることを特徴とする。前記ゲルマニウム蒸着層は、ゲルマニウムの水素化物を供給源とするプラズマ化学気相成長法によって形成することができる。ゲルマニウム蒸着膜に水素原子が含有されるため、酸化劣化に対する耐性が向上する。 （もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長を用いて基板上に半導体膜を選択的に形成する際に、半導体膜の形状制御が可能で、かつ、再現性・安定性の高い成膜手法を提供する。
【解決手段】基板３００の表面に露出したシリコン表面にシリコン系の堆積膜を選択成長させる基板処理方法において、基板を処理室２０１内に搬入する工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第１の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともシラン含有ガス、又は、シラン含有ガス及びゲルマン含有ガスを供給して前記基板３００に堆積膜を成長させる工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第２の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともエッチングガスを供給して表面に露出したシリコン表面以外の部分をエッチングする工程と、を有する基板処理方法である。 （もっと読む）

【課題】ARTおよびELOを用いて、格子不整合材料などを含む基板上に、太陽電池などのデバイスを形成する方法および構造を提供する。
【解決手段】構造を形成する方法であって、第１の半導体材料を含む基板上に配置されたマスク層に第１開口を形成するステップ、第１開口内に、第１の半導体材料と格子不整合の第２の半導体材料を含み、マスク層の上面上に延伸する十分な厚さを有する第１の膜層を形成するステップ、および第１の膜層上、かつマスク層の少なくとも一部の上に第２の半導体材料を含む第２の膜層を形成するステップ、第１の膜層の縦方向成長速度は、第１の膜層の横方向成長速度より大きく、第２の膜層の横方向成長速度は、第２の膜層の縦方向成長速度より大きい方法。 （もっと読む）

静止する基板上または連続する基板上に薄膜材料を高速蒸着するための方法および装置を提供する。この方法は、あらかじめ選択された前駆体中間生成物を蒸着チャンバへと供給することと、中間生成物から薄膜材料を形成することと、を含む。中間生成物は、蒸着チャンバの外部で形成され、自由ラジカル等の準安定化学種を含む。中間生成物は、低い欠陥濃度を有する薄膜材料の形成に貢献する準安定化学種を含むよう、あらかじめ選択される。低欠陥濃度の材料を形成することにより、蒸着速度と材料品質の関係は分断され、先例のない蒸着速度が達成される。１つの実施形態において、好適な前駆体中間生成物はＳｉＨ３である。この方法は、あらかじめ選択された中間生成物とキャリアガスとを、好ましくは不活性化状態において、混合することを含む。キャリアガスは、薄膜材料を蒸着するために、好適な中間生成物の基板への送給を導く。 （もっと読む）

【課題】相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法に関し、チャンバにソースを供給し、そして前記チャンバから前記ソースをパージし、前記ソースの供給及びパージによって前記チャンバの圧力を変動させることを特徴とする。本発明によると、所望の組成と厚さによる組成分布により、優れた相変化膜を形成することができるようされる。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の周期表１４族元素の高純度な多結晶体を高速で得ることが可能な製造装置を提供する。
【解決手段】多結晶体の製造装置であって、内部に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成するための反応容器１０と、反応容器１０の内部に設けられプラズマ放電を行うための電極１１，１２と、反応容器１０本体の内部に設けられプラズマ放電で分解したシリコンを表面上で析出させる種結晶３０と、を有することを特徴とする多結晶体の製造装置Ｉ。 （もっと読む）

【課題】 ドーパントの活性化率の高いシリコンゲルマニウム膜を成膜するにあたり、シリコンゲルマニウム膜のマイグレーションを抑えること。
【解決手段】 反応容器内に処理ガスを供給すると共に処理雰囲気の温度を所定の温度に設定して基板上にシリコンゲルマニウム膜を成膜する工程（Ｐ４）と、次いで反応容器内に水素ガスを供給してシリコンゲルマニウム膜をアニールする工程（Ｐ５）と、その後、反応容器内を真空排気し続いてパージガスによりパージする工程を１回行うかまたは複数回繰り返す工程（Ｐ６）と、しかる後に基板を反応容器内から搬出する工程（Ｐ７）と、を含む。 （もっと読む）

一実施例に係る、基板上に均一に材料を形成する堆積装置が与えられる。本堆積装置は、エネルギー源と、当該基板と対向かつ離間する関係にある電極と、当該電極に連結したインターフェイス構造とを含む。インターフェイス構造は、当該インターフェイス構造を通り及びこれのまわりにある、エネルギー源からのエネルギーを当該電極と電気的に結合するべく構成される。これにより、エネルギー源からのエネルギーが当該インターフェイス構造に供給される場合に、当該電極と当該基板の所定面積との間に実質的に均一な電界が形成される。
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【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に密着して支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けると基板表面のみをアニールできる。 （もっと読む）

【課題】周期表１４族元素の多結晶体を高速で得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】周期表１４族元素の多結晶体の製造方法であって、所定の電極１１，１２を備えた反応容器１０中に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成する超臨界形成工程と、超臨界形成工程で形成された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態において電極１１，１２間に印加することによりプラズマ放電を発生させ周期表１４族元素の多結晶体を生成させるプラズマ放電工程と、を有する周期表１４族元素の多結晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド材料を製造するための新規なセットの化学物質を提供すること。
【解決手段】基板上に金属カルコゲナイド合金膜を作製する一実施態様として（ａ）上記基板をシリルテルリウム及びシリルセレニウムからなる群から選択されるシリル−カルコゲンに接触させるステップ；並びに（ｂ）上記基板を、一般式ＭＸ_n（式中、ＭはＧｅ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ，Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｚｎ、及び貴金属からなる群から選択される；ＸはＯＲ（アルコキシ）、Ｆ（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｂｒ（臭素）、ＮＲ₂（アミノ）、ＣＮ（シアノ）、ＯＣＮ（シアネート）、ＳＣＮ（チオシアネート）、ジケトネート、カルボン酸基、及びそれらの混合物からなる群から選択される求核基である；そしてｎ＝１〜５である）を有する少なくとも一種の金属化合物に接触させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上の膜を効率よく加熱することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】高温ガスを絞ってビーム状にして基板に垂直に入射させると停滞層が出来ない、または、薄いので効率よくガスの温度を基板に伝えられる。この現象を別の言い方をすると基板の温度は垂直に入射する高温ガスに対してよく伝わる。この原理を用いて、ガスを急速に効率よく加熱するガス加熱装置である。支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い単一の高温ガスビームを垂直に吹き付けて高温に加熱する。 （もっと読む）

Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｂｉ−Ｔｅ、およびＺｎ−Ｔｅ薄膜などのＴｅ含有薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。Ｓｂ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−Ｓｅ、およびＺｎ−Ｓｅ薄膜などのＳｅ含有薄膜を形成するためのＡＬＤプロセスも、提供される。式（Ｔｅ、Ｓｅ）（ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３）_２のＴｅおよびＳｅ前駆体が使用されることが好ましい（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３はアルキル基である）。これらのＴｅおよびＳｅ前駆体を合成するための方法も提供される。相変化メモリ素子において当該ＴｅおよびＳｅ薄膜を使用するための方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

相変化メモリ用のカルコゲナイド薄膜の形成方法が開示される。本発明によるカルコゲナイド薄膜の形成方法は、反応器の内部にパターンが形成されている基板をローディングし、ソースガスを基板上に供給する。このとき、ソースガスは、Ｇｅ原料ガス、Ｇａ原料ガス、Ｉｎ原料ガス、Ｓｅ原料ガス、Ｓｂ原料ガス、Ｔｅ原料ガス、Ｓｎ原料ガス、Ａｇ原料ガス及びＳ原料ガスから選択された１種以上からなる。そして、基板上に供給されたソースガスをパージするために基板上に第１パージガスを供給し、基板上にソースガスを還元させるための反応ガスを供給し、基板上に供給された反応ガスをパージするために基板上に第２パージガスを供給する。そして、パターン内部の蒸着速度がパターン上部の蒸着速度より大きくなるように、第１パージガスの供給時間変更及び前記反応器の内部の圧力調節のうち少なくとも一つを行う。本発明によれば、パターンの上部に薄膜が形成される速度よりパターンの内部に薄膜が形成される速度が大きくなるように、ソースガスをパージする時間を変更するか、または反応器の内部の圧力を調節することによって、ギャップ・フィル特性の優秀なカルコゲナイド薄膜を形成できる。
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【課題】基板処理装置に於いて、処理室に処理ガスを導入するガス供給ノズル接続部からの処理ガスの外部へのリークを防止し、ガス供給ノズル取付け時の破損を防止すると共に取付けが容易に行える様にする。
【解決手段】基板４を積層して収納する処理室６１と、該処理室内を所望の温度迄加熱する加熱手段５８と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段６２，６３，６４とを具備し、前記ガス供給手段は、前記基板の積層方向に立設された直管のガス供給ノズル６６と、該ガス供給ノズルを支持する金属配管６５と、前記処理室の下部を形成するマニホールド２とを有し、前記金属配管は、前記処理室外から前記マニホールドを貫通して前記処理室内に延在する第１の部位と、該第１の部位に接続され、前記積層方向に沿って延在する第２の部位とを有し、前記ガス供給ノズルは前記第２の部位に嵌合して支持される。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。新規のシリルアンチモン化合物もまた開示される。 （もっと読む）

基板上に金属含有薄膜を堆積する方法および組成物は、気相金属−有機前駆体を１つまたはそれ以上の基板を含む反応チャンバに導入することを含む。前記前駆体は、少なくとも１つのβ−ジケチミナト配位子を有し、かつ一般式：M(R¹C(NR⁴)CR²C(NR⁵)R³)₂L_nを有する。
ここで、Ｍはニッケル、コバルト、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀および金から選ばれる金属である。それぞれのR^1-5はH; および C₁ − C₄直鎖または分岐アルキル基、アルキルシリル基、アルキルアミド基、アルコキシ基、またはアルキルシリルアミド基から別個に選択される有機配位子である。各Ｌは炭化水素；酸素含有炭化水素：アミン；ポリアミン；ビピリジン；酸素含有へテロ環、窒素含有ヘテロ環、およびそれらの組合せから別個に選択され、およびｎは０も４も含めて０から４の範囲の整数である。
金属含有膜は、前記基板が約100℃と約 500℃の間の温度に維持しながら前記基板上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜を有する半導体装置及び該半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜を用いて形成される薄膜トランジスタにおいて、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、ゲート絶縁膜最上層に、蛍石型構造を持つイットリア安定化ジルコニア膜を形成する。その上に微結晶半導体膜を堆積させることにより、特に下地との界面付近は下地の結晶性に影響を受け良好な結晶性が得られる。また、微結晶半導体膜を形成する前に、表面プラズマ処理を行い、下地の結晶性に影響されやすい状態で微結晶半導体膜を堆積する。さらに、下地のイットリア安定化ジルコニアと微結晶半導体膜の結晶が一致しやすいように、微結晶半導体膜にゲルマニウムを添加する。 （もっと読む）