本発明の金属化合物は、下記一般式（I）で表されるもので、融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、しかも他の金属化合物と混合しても配位子交換や化学反応により変質せず、金属化合物を気化させて薄膜を形成するＣＶＤ法等の薄膜製造方法に用いられる原料に適している。
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【課題】バッチタイプ処理システムにおいて順次ガス露出処理によって基板上に金属含有膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】バッチタイプ処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、金属含有前駆体ガスのパルスと反応ガスのパルスを処理チャンバーに順に流し、これらの流し処理を所望の膜特性を有する金属含有膜が基板上に形成されるまで繰り返す。この方法によって、ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２などの酸化金属膜、Ｈｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗやＨｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗなどの酸窒化金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚなどのケイ酸金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮ_ｗやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮなどの窒素含有ケイ酸金属が形成できる。 （もっと読む）

酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。 （もっと読む）

集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて切削時の耐摩耗性、耐衝撃性などの耐久特性を顕著に改善したジルコニクム化合物膜被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体表面にジルコニウムを必ず含む周期律表のIVａ、Vａ、VIａ族金属の一種または二種以上からなる炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸化物、窒酸化物、炭窒酸化物のいずれか一種の単層皮膜または二種以上の多層皮膜からなるジルコニウム化合物膜、並びに少なくとも一層の酸化アルミニウム膜を被覆してなるジルコニウム化合物膜被覆工具であって、刃先部の最外層が酸化アルミニウム膜で構成され、刃先部以外の最外層がジルコニウム化合物膜で構成されていることを特徴とするジルコニウム化合物膜被覆工具。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層がすぐれた初期なじみ性を発揮する表面被覆超硬合金製切削チップを提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削チップが、ＷＣ基超硬合金基体の表面に、（ａ）１．５〜２０μｍの平均層厚を有し、かつＴｉＣ層、ＴｉＮ層、ＴｉＣＮ層、Ｔｉ₂ Ｏ₃ 層、ＴｉＣＯ層、ＴｉＮＯ層、およびＴｉＣＮＯ層のうちの１種または２種以上からなるＴｉ化合物層の内層と、（ｂ）１〜２０μｍの平均層を有し、かつ表面側に、表面から前記１〜２０μｍの平均層厚の１０〜４０％に相当する深さに亘って、Ａｌ₂ Ｏ₃ の素地に、Ａｌ₂ Ｏ₃ との合量に占める割合で、１〜１５重量％のＺｒＯ₂ と同じく１〜１５重量％の遊離炭素（ただし、ＺｒＯ₂ と遊離炭素の合量で２０重量％以下）が分散分布した組織を有する靭性化潤滑化帯域が存在し、残りの基体側が実質的にＡｌ₂ Ｏ₃ からなる外層と、（ｃ）必要に応じて０．１〜５μｍの平均層厚を有するＴｉＮ層の最外層と、で構成された硬質被覆層を３〜３５μｍの全体平均層厚で化学蒸着および／または物理蒸着してなる。 （もっと読む）