【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】上部層として酸化アルミニウム層、下部層としてＴｉ化合物層と改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、Ｔｉ化合物層のうちの少なくとも１層は、｛１１２｝面の法線がなす傾斜角を測定・集計した傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該区分内の度数合計が度数全体の４５％以上の割合を占める改質ＴｉＣＮ層で構成し、さらに、前記改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層は、｛１１１｝面の法線がなす傾斜角を測定・集計した傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該区分内の度数合計が度数全体の４５％以上の割合を占める改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層で構成する。 （もっと読む）

原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は、少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシである）に対応する。さらに液体注入原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、Ｌはアミノであり、アミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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【課題】構成材料の一部に熱伝導性が高い材料を用いてこれを爆着により接合し、構造が簡単で熱効率を向上させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】液体原料をキャリアガスによりミスト状にするノズル部７２と、原料ミストを気化させて原料ガスを形成する複数の気化通路７４を有する気化部７６と、原料ガスを後段へ送り出す排出ヘッド７８とを有する気化器８において、気化部は、気化通路が形成された気化部本体１０８と、その両端が気化部本体よりも長く形成された本体収容容器１１０と、気化通路を通過する原料ミストを加熱する加熱ヒータ手段１１２と、本体収容容器の両端に設けられた連結用フランジ部１１４，１１６とよりなり、気化部本体と本体収容容器とは連結用フランジ部の構成材料よりも熱伝導性が高い材料により構成されると共に、本体収容容器の端部と連結用フランジ部とは爆着により接合される。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜素子の圧電性能を損なうことなく、電極と圧電薄膜との膜の密着性を上げ、圧電体薄膜素子を用いたデバイスの作成プロセスで安定した品質と歩留まりを有す圧電体薄膜素子を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜１４を備える圧電体薄膜素子１５であって、圧電体薄膜１４は膜厚方向に、複数の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第１の圧電体薄膜１４ａ）と、単一の結晶配向を有する多結晶体で構成された層（第２の圧電体薄膜１４ｂ）を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく金属酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。ＨｆＯ_２膜を形成する工程では、ＴＥＭＡＨの加熱温度とＯ_３の加熱温度とを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】α型酸化アルミニウム膜の機械強度を高め、高速切削性に優れ、靭性と耐チッピング性に優れたジルコニウム含有酸化アルミニウム膜を被覆した被覆工具を提供する。
【解決手段】工具基体にα型酸化アルミニウム層、その直上にジルコニウム含有酸化アルミニウム層を被覆した被覆工具であって、該ジルコニウム含有酸化アルミニウム層はα型酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムを含有し、該α型酸化アルミニウム層と該ジルコニウム含有酸化アルミニウム層はα型酸化アルミニウムの結晶粒子が連続しており、該ジルコニウム含有酸化アルミニウム層のα型酸化アルミニウムの結晶粒子は略膜厚方向に縦長に成長しており、該酸化ジルコニウムは該α型酸化アルミニウムの結晶粒子間を埋めるように存在していることを特徴とする被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】耐熱合金の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層の下部層はＴｉ化合物層、同上部層は、化学蒸着で形成した島状のＡｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２混合組織層（縦断面観察による）と、該島状Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２混合組織層の間隙を埋める物理蒸着で形成された耐熱性高強度硬質膜からなる層構造を有し、上部層表面に平行な横断面において上記Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２混合組織層が占める面積（Ａ_ＣＶＤ）と、上記耐熱性高強度硬質膜が占める面積（Ａ_ＰＶＤ）との面積比（Ａ_ＣＶＤ／Ａ_ＰＶＤ）は、０．９〜１６である層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は高速切削速度での鋼の旋削加工のための被覆切削工具（コーティング・チップ）に関するものであり、優れた変形抵抗、高い耐摩耗性、及び強靱性をもつ切削チップを提供することを目的とする。
【解決手段】被覆切削工具は(006)配向のα-Al₂O₃でコ-ティングされた超硬合金体を有する。該超硬合金体は、4.5-6.5 wt% のCo、3-10 wt%の立方晶炭化物を形成する金属、を含み、S値が0.77-0.92、保磁力が10-20 kA/mである。α-Al₂O₃層の厚さは、7-12μmの範囲にあり、長さ／幅の比が2から12までの範囲にある柱状結晶粒で構成され、厚さが4-12μmまでのMTCVD Ti(C,N)層の上に蒸着形成されている。アルミナ層は、前述したように (006)配向されている。アルミナ層は最上層となり、湿式ブラストによりRa1μm未満であり、黒色の輝く外観を持つ工具である。 （もっと読む）

【課題】金属アミド、ケイ素前駆体及び窒素源ガスガスを前駆体として用いてプラズマ雰囲気下で循環式膜被着によって金属ケイ素窒化物膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】金属アミド前駆体をパルス送りする工程、未反応金属アミドをパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、未反応窒素源ガスをパージ除去する工程、ケイ素前駆体をパルス送りする工程、未反応ケイ素前駆体をパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、及び未反応窒素源ガスをパージ除去する工程を含む被着方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】アウタチューブ３１内に円筒形状のインナチューブ３８を、アウタチューブ３１の下端部に突設した受け部３１ａにインナチューブ３８の下端開口縁辺に突設した突出部３８ａを載置して同心円に配置する。インナチューブ３８外周とアウタチューブ３１内周との間には上下方向に連なる間隙３９を形成する。インナチューブ３８に形成した収容部４０に複数のガス噴出口４３を備えたガスノズル４２を収容し、複数の排気孔４１をガスノズル４２に対向したインナチューブ３８の位置に設ける。排気管３５を間隙３９よりも下側に設ける。各ウエハに対して水平フローを形成できるので、各ウエハの面内膜厚均一性を向上できる。間隙を通った後の処理ガスとインナチューブの開放端からの処理ガスとの両方を排気できるので、ガスの置換効率を向上ができる。
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【課題】２以上のガスを用いる成膜装置において、均一な膜を形成できるシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドは、原料ガス拡散室１８及び反応ガス拡散室１６を備え、前記原料ガス拡散室と原料ガス導入管とを接続するガス通路は、１段以上の多段に構成され、各段は、２^ｎ−１（ｎは段数）で表されるガス通路１７を有し、１段目のガス通路は、前記原料ガス導入管１１１に接続され、２段目以降の各ガス通路は、前段のガス通路と連通し、最終段の各ガス通路は、原料ガス拡散室に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低温域で副生成物であるフッ化物が形成されず、継続可能なエッチングを行うことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法及び基板処理装置は、基板２００を処理室２０１内に搬入する工程と、処理室２０１内に原料ガスを供給して基板２００上に高誘電率膜を成膜する工程と、成膜後の基板２００を処理室２０１内より搬出する工程と、処理室２０１内にＯ_３ガスとＣｌ含有ガスとを供給すると共に、前記Ｃｌ含有ガスに含まれるＣｌ原子の数をｎとした場合に前記Ｃｌ含有ガスの流量に対する前記Ｏ_３ガスの流量を２ｎ倍以上として前記処理室内に付着した膜を除去して前記処理室内をクリーニングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の反りの発生を抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置は、気相成膜法により基板（２５）上に膜を成膜する成膜装置であって、基板（２５）を基板（２５）の面方向に摺動可能に保持する保持手段（１０）を備えることを特徴とするものである。本発明に係る成膜装置によれば、基板（２５）は、保持手段（１０）によって基板（２５）の面方向に摺動可能に保持されている。この場合、基板（２５）と膜との間の熱膨張率差に起因する応力が基板（２５）の摺動によって分散される。それにより、基板（２５）の反りが緩和される。その結果、膜に欠陥が生じることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】従来の熱酸化技術ないしプラズマ酸化技術を用いて、薄い下地膜を直接に電子デバイス用基材上に成膜速度や面内均一性を制御しながら形成することは、極めて困難であった。
【解決手段】電子デバイス用基材上に配置された絶縁膜の表面に、少なくとも酸素原子含有ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜と電子デバイス用基材との界面に下地膜を形成する。絶縁膜と、電子デバイス用基材との間の界面に、該絶縁膜の特性を向上させるべき良質な下地膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】ガス処理装置のガスラインに設けられたバルブの開閉状態を簡易にかつ正確に確認することができる方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内のベース圧を形成し、バルブを閉じた状態で、複数のガスラインにラインフィルモードでガスを流し、チャンバ内圧力がトレランスを超えたか否かを判断し、トレランスを超えた際に、実際には閉じていないバルブが存在すると判断してアラームを発生し、 トレランスを超えていない場合に、複数のバルブを開いた状態で複数のガスラインに流量を制御しつつガスを流し、ガス流量がトレランスを下回ったか否かを判断し、トレランスを下回った際に、そのガスラインのバルブが実際には開いていないと判断し、アラームを発生し、ガス流量がトレランスを下回ったラインが存在しない場合に異常なしとする。 （もっと読む）

【課題】空間的に離散され且つサイズ制御される粒子を基材表面上で成長させる方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、基材表面の化学改質、原子層堆積（ＡＬＤ）装置、基材表面への改質層の形成及びナノ粒子堆積のためのＡＬＤ材料の供給を利用する。また、Volmer-Weber成長法を用いて、基材表面上でナノ粒子を島状に形成する。改質層により基材表面上の核形成部位の数を制御し、ＡＬＤサイクルの回数を制御することにより、離散したナノ粒子に対して堆積される材料の量を制限する。改質層は、自己組織化単分子層、基材表面の改質疎水性、水素終端表面及び改質層内の種々の官能基を含み得る。水素終端表面には、熱的に付着されるアルケン、光化学的に付着されるアルケン、熱的に付着されるアルキン又は光化学的に付着されるアルキンが付着され、それによってナノ粒子の核形成部位の密度が制御される。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、硬質被覆層として、少なくとも、下部層と上部層とを設けた表面被覆切削工具において、該上部層は、一層平均層厚が０．５〜５μｍの酸化アルミニウム主体相と酸化ジルコニウム相からなる２相混合酸化物層と、一層平均層厚が０．０５〜０．５μｍのＴｉＣＯ層、ＴｉＣＮＯ層、（Ｔｉ，Ｃｒ）ＣＯ層、（Ｔｉ，Ｃｒ）ＣＮＯ層のうちのいずれかの層を交互に積層した平均総層厚が２〜１５μｍの積層硬質層、で構成する。 （もっと読む）

high-k膜を堆積させるための方法および組成物がここに記載される。一般に、開示された方法はTaまたはNbを含む前駆体化合物を利用する。より具体的には、開示された前駆体化合物は、揮発性を増大させるために、1-メトキシ-2-メチル-2-プロパノラート (mmp)のようなTaおよび/またはNbに結合される幾つかの配位子を利用する。さらに、TaドープHfまたはNbドープHfおよび/またはTaドープZrまたはNbドープZrを堆積させるために、Hfおよび/またはZr前駆体の使用とともに、TaまたはNb化合物を堆積させる方法が開示される。本方法および組成物はCVD、ALD、またはパルスCVD堆積プロセスにおいて使用され得る。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容するチャンバー１１内に、複数の基板Ｗを平面的に円周状に配置された状態で支持する基板支持部材１２を設け、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１とを複数交互に配置し、基板Ｗ上に吐出されたＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を基板Ｗ上で交互に走査させ、ＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を交互に吸着させて、基板Ｗに、ＴｉＣｌ_４による単原子層とＮＨ_３による単原子層とを交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスと酸化性ガスを交互に複数回供給して、基板上に例えば高誘電率膜などの酸化膜例えばＺｒＯ2膜を成膜するにあたり、ガスを基板の表面から均等に排気すると共に、大量のガスが供給された場合でも、ガスの流れの乱れを抑えて速やかに排気すること。
【解決手段】基板に対向するように設けられたシャワーヘッドから、処理ガスや処理容器内の処理雰囲気を置換するためのパージガスを供給して、このガスを載置台を囲むように形成されたリング状の排気空間を介して、処理容器の下面に周方向に等間隔に４カ所以上設けられた排気口から排気する。 （もっと読む）