【課題】動作電圧が低い半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置の抵抗可変素子を作製する際に、タングステンからなる導電膜３１上にチタンシリコン窒化物からなる非晶質膜３２を堆積させ、その上にチタン窒化物からなる多結晶導電膜３３を堆積させることにより、下部電極２５を形成する。次に、ニッケル酸化物からなる抵抗可変膜２６を堆積させ、その後加熱処理を行い、多結晶導電膜３３の結晶を成長させると共に、多結晶導電膜３３に含まれるチタンと抵抗可変膜２６に含まれる酸素とを反応させる。これにより、多結晶導電膜３３の結晶粒が不均一に成長して突起３４が形成されると共に、酸化膜３５が形成されることにより、抵抗可変膜２６の下層部分２６ａに酸素欠損が生成される。 （もっと読む）

自己制御型の等角法でＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を成長させるためのＡＬＤプロセスにおいて用いるための酸素を含まない溶液ベースのジルコニウム前駆体を開示する。（ｔ−ＢｕＣｐ）_２ＺｒＭｅ_２の酸素を含まない溶液ベースのＡＬＤ前駆体が、ＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を堆積させるために特に有用である。 （もっと読む）

【課題】 ジルコニウム含有膜の原子層堆積に有用なジルコニウム前駆体を提供する。
【解決手段】 式


で示されるジルコニウム前駆体。そのような前駆体は、室温で液体であり、ジルコニウム含有膜、たとえば高κ誘電体膜をマイクロ電子デバイス基板上に形成するためのＡＬＤなどの気相堆積プロセスで利用されうる。ジルコニウム前駆体は、熱安定化用アミン添加剤によりそのような気相堆積プロセスにおいて安定化されうる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させることを特徴とする透明ガスバリア性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題手段】長期にわたって優れた転写性およびクリーニング性を維持できる中間転写体およびその製造方法、ならびに画像形成装置を提供すること。
【解決手段】ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に、体積固有抵抗１×１０^７〜１×１０^１３Ωｃｍの半導電性無機層１７６を有する中間転写体１７０。ポリフェニレンスルフィドおよびポリアミドを含有する基材１７５上に無機層１７６をプラズマＣＶＤ法により形成する中間転写体の製造方法。上記中間転写体を備えた画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】新規な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る成膜装置は、原料ガスの噴出口が設けられたガス導入管と、前記原料ガス中の原料を堆積させる基板が配置される基板配置場所と、前記噴出口と前記基板配置場所との間に設置された、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を堆積させる堆積部材とを、処理室内に備えている。本実施形態に係る成膜方法は、処理室内に原料ガスを導入し、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を基板に到達する前に堆積部材に堆積させ、前記基板上に前記原料ガス中の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】耐プラズマ性に優れ、安定した酸化物膜を提供する。
【解決手段】大気開放型ＣＶＤ法により、加熱した基材１０の表面に金属酸化物原料５を吹き付けて酸化物膜を成膜する。その際、ＸＲＲ法によって測定した膜密度が理論密度（ＴＤ）の７５．０〜９８．０％未満の範囲となるように成膜条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】基板が積層されていない領域への処理ガスの流入を抑制し、基板が積層されている領域への処理ガスの供給を促進させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を収納して処理する処理室４と、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂと、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄと、処理室内を排気する排気ライン７ａと、を有し、一対の不活性ガス供給ノズルは、基板が積層されている領域に対向する位置及び前記基板が積層されていない領域に対向する位置に各１箇所以上の不活性ガス噴出口２４ｃ，３１ｃ，３１ｄ，３２ｃ，３２ｄをそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタに対するスレショルド電圧制御および駆動電流改良のための方法および構造体を提供する。
【解決手段】デバイスを形成する方法は、基板を用意するステップと、基板上に界面層を形成するステップと、界面層上にＨｉｇｈ−ｋ誘電体層を堆積するステップと、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上に酸素除去層を堆積するステップと、アニールを実施するステップとを含む。Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタは、基板と、基板上の界面層と、界面層上のＨｉｇｈ−ｋ誘電体層と、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上の酸素除去層とを含む。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜中に膜厚をリアルタイムにモニターすることが可能な成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する成膜装置２００は、真空容器１の天板１１に透過窓２０１を有しており、この透過窓２０１を通してサセプタ２上のウエハＷに光を照射することにより、上に成膜される膜の膜厚が測定される。具体的には、膜厚測定システム１０１は、透過窓２０１の上面に配置される３つの光学ユニット１０２ａから１０２ｃと、光学ユニット１０２ａから１０２ｃのそれぞれに光学的に接続される光ファイバ線１０４ａから１０４ｃと、これらの光ファイバ線１０４ａから１０４ｃが光学的に接続される測定ユニット１０６と、測定ユニット１０６を制御するため測定ユニット１０６と電気的に接続される制御ユニット１０８とを有している。 （もっと読む）

【目的】
ＧａＮ系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくＳｉ基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長のバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にＧａＮ系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 （もっと読む）

【課題】 ビアホールの微細化及び高アスペクト比化が進むと、銅からなるシード層でビアホールの内面を連続的に覆うことが困難になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。絶縁膜に凹部(21)が形成されている。凹部の内面を第１の導電膜(22)が覆う。島状組織(25)が、第１の導電膜の表面に離散的に分布する。島状組織は、銅に対して、第１の導電膜の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。凹部が、銅または銅合金からなる導電部材(31)で充填されている。 （もっと読む）

【課題】低分子量、低融点（１００℃以下）、及び高蒸気圧（０．５ｔｏｒｒ以上）の性質を示す第４族前駆体、及び共形（コンフォーマル）な金属含有膜を基板上に製造するための堆積プロセスの提供。
【解決手段】第４族金属含有前駆体は、下記式Ｉ：


（式中、ＭはＴｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択される金属）により表される。 （もっと読む）

【課題】反応管の内部及びガス供給ノズルの内壁における膜質及び膜厚に差がある場合であっても、効率良く半導体装置のクリーニングが行なえる方法を提供する。
【解決手段】基板２００上に膜を形成する膜形成工程と、ガス導入部の内壁に付着した第１の堆積物を除去する第１のクリーニング工程と、処理室２０１の内部に付着し第１の堆積物と化学組成が異なる第２の堆積物を除去する第２のクリーニング工程とを有し、第１のクリーニング工程では、ガス導入部から処理室２０１内に供給される第１の処理ガスの累積供給時間に応じてクリーニング条件を設定し、第２のクリーニング工程では、基板２００に形成された膜の累積膜厚に応じてクリーニング条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】 疲労特性が改善し、大容量の不揮発性メモリとして好適な強誘電体キャパシタ及びその効率的な製造方法、並びに、該強誘電体キャパシタを有する高性能な半導体装置の提供。
【解決手段】 一対の電極間に強誘電体を挟持させてなり、該強誘電体が、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が１０ｎｍ以上である第１強誘電体層と、該第１強誘電体層上に形成され、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が５ｎｍ以下である第２強誘電体層とを有する強誘電体キャパシタである。一対の電極における一つの電極上に、第１強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度以上の温度で該第１強誘電体層を形成した後、該第１強誘電体層の上に、第２強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度未満の温度で該第２強誘電体層を形成する強誘電体キャパシタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高誘電体膜の成膜プロセスにて、表面に形成される膜からの応力の影響を受けにくい熱処理装置用の構成部品等を提供する。
【解決手段】複数の基板Ｗを基板保持具４１に互いに並列に保持して反応容器２内に搬入し、この反応容器２を囲むように設けられた加熱手段３により加熱しながら処理ガスを供給して基板Ｗに金属酸化物からなる高誘電体膜を成膜する熱処理装置に用いられ、前記反応容器２内に設けられる装置用の構成部品の材質が、チタンを主成分とする金属製である。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０上に、トンネル酸化膜１１１、チャージトラップ膜１１２、ブロッキング酸化膜１１３、ゲート電極１１４が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置であって、ブロッキング酸化膜１１３が、チャージトラップ膜１１２側に設けられた結晶質膜１１３ａと、当該結晶質膜１１３ａの上層に設けられたアモルファス膜１１３ｂとを具備している。 （もっと読む）

【課題】高速切削条件下でクレーター摩耗を低減しかつ高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具の提供。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＴｉとＺｒとを少なくとも含む硬質被膜層であり、この硬質被膜層は、ＴｉとＺｒの含有量が硬質被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ｔｉの含有量が極大となるＴｉ極大含有点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ｔｉ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ｔｉ極大含有点におけるＴｉの含有比率Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９≦Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．９９９９であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速切削条件下でクレーター摩耗を低減しかつ高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具の提供。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＴｉとＺｒとを少なくとも含む硬質被膜層であり、この硬質被膜層は、ＴｉとＺｒの含有量が硬質被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ｔｉの含有量が極大となるＴｉ極大含有点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ｔｉ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ｔｉ極大含有点におけるＴｉの含有比率Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９９９＜Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦１であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．２であることを特徴とする。 （もっと読む）