【課題】微細なミストが気化室の内部を飛行する間に溶媒が揮発してパーティクルとなる状況を回避し、微細なミストを確実に気化させることのできる環境を作り出すことにより、パーティクルの生成を抑制することのできる気化器及びこれを備えた成膜装置の構成を提供する。
【解決手段】原料を溶媒に溶解してなる溶液原料を噴霧する噴霧手段４１１と、噴霧された前記溶液原料を気化するための加熱された気化面を備えた気化室４１２と、該気化室にて生成された原料ガスを導出するガス導出口４１３とを有する気化器４１０において、前記噴霧手段の噴霧方向にある前記気化面は、通気性を有するフィルタ４１４によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物を原料に使用して気相成長法により形成される膜内でのパーティクル数を少なくして、膜質を向上することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】含有水分が１．０質量％以下、好ましくは０．８質量％以下の有機溶剤に有機金属化合物を溶解した溶液からなる少なくとも１つの有機金属原料を気化する工程と、気化した有機金属原料の気相成長により基板上に金属を含む膜を形成する工程とを有し、これによりパーティクルの生成を抑制する （もっと読む）

【課題】強誘電体膜、圧電膜等に適用されるジルコン酸チタン酸鉛を有する膜の成膜方法について、成膜時に基板に飛来するパーティクル数を抑制すること。
【解決手段】Pbと(CH₃)₂CHCOCHCOCH(CH₃)₂で示される第１の有機化合物との金属錯体を含む第１の有機金属原料と、Zrと(CH₃)₂CHCOCHCOCH(CH₃)₂で示される第２の有機化合物との金属錯体を含む第２の有機金属原料と、Tiと第３の有機化合物との金属錯体を含む第３の有機金属原料とを含む原料を用いて化学気相成長法により、Pb、Zr、Tiを含む膜を形成することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】堆積チャンバの内部で、異なる物質の複数の膜を連続的なプロセスで堆積する方法を提供する。
【解決手段】堆積チャンバ内に基板を提供する。第１の原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記基板上に、第１の物質の膜を堆積する。これら第１のサイクルは、シクロペンタジエニル金属前駆物質をパルス的に導入することを含む。第２のＡＬＤプロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記第１の物質の膜上に、第２の物質の膜を堆積する。前記第２の物質は、前記シクロペンタジエニル金属前駆物質中の金属とは異なる金属を含む。 （もっと読む）

【課題】高速高送り断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、少なくとも、ＴｉとＺｒの複合炭窒化物層およびＺｒの炭窒化物層のうちの１層または２層以上と、１層以上のＴｉＣＮＯ層とからなる下部層と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記ＴｉＣＮＯ層は、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、層の縦断面研磨面の法線に対して、（００１）面および（０１１）面の法線がなす傾斜角を測定し、（００１）面の法線同士および（０１１）面の法線同士の交わる角度が２度以上の場合を粒界と設定した上で、測定領域において粒界として識別される結晶粒相互間の界面のうち、（００１）面の法線同士、および（０１１）面の法線同士の交わる角度が１５度以上の粒界の長さＧＢＬと、測定したＴｉＣＮＯ層の層厚Ｔの比の値ＧＢＬ／Ｔが３２０〜６００である改質ＴｉＣＮＯ層からなる。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ４０Ｄの内部空間Ｓに吸着期間の間だけＺｒ（ＢＨ_４）_４を導入した。そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。また、吸着期間の経過後、照射管４７の内部に改質期間の間だけマイクロ波を照射し、プラズマ化したＨ_２を、すなわち水素活性種をシリコン基板２の表面に供給した。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４の供給と、水素活性種の供給と、を交互に繰り返した。 （もっと読む）

【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、ターボ機械の金属部品の高温での酸化から保護する気相堆積のアルミ被覆方法に関し、上記部品は外側からアクセスすることのできる開口部を備える空洞を含み、
この方法によれば、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーとの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、上記金属ドナーは少なくとも部分的に上記空洞に置かれ、
金属ドナーは金属粉の混合物の圧力下の高温焼結によって得られるペレットの形である。 （もっと読む）

【課題】高温であっても耐摩耗性を発揮することができる耐摩耗性皮膜およびこれを備えた工具、並びに、高温での耐摩耗性に優れた皮膜を製造するための装置を提供する。
【解決手段】基材上に形成され、金属窒化物とされた表層を備えた耐摩耗性皮膜であって、前記表層上に該表層を皮膜する最表層が設けられ、該最表層が、炭素が固溶された少なくともＬｉとＡｌとを含む複合酸化物であることを特徴とする耐摩耗性皮膜。 （もっと読む）

【課題】金属ケイ酸塩又は酸化物のＣＶＤ又はＡＬＤのための塩素を含まない前躯体を提供する。
【解決手段】反応性金属アミド、アルキル又はアルコキシドと一緒にアルコキシシラノール又はアルキリホスフェートの蒸気を反応させ、加熱された基板上に金属ケイ酸塩又はリン酸塩を被着させる。例えば、トリス−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノールの蒸気がテトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウムの蒸気と反応して、３００℃に加熱された表面上にケイ酸ハフニウムを被着させる。製品膜は、反応装置全体にわたり非常に均一な化学量論量を有する。同様にして、ジイソプロピルホスフェートの蒸気はリチウムビス（エチルジメチルシリル）アミドの蒸気と反応して、２５０℃に加熱した基板上にリン酸リチウム膜を被着させる。交互のパルスの形で蒸気を供給することにより、非常に均一な厚み分布及び優れたステップカバレッジでこれらの同じ組成物が生産される。 （もっと読む）

【課題】薄膜の化学蒸着または原子層堆積に有用な有機金属化合物の提供。
【解決手段】少なくとも１つのホルムアミジナートリガンドを含有するヘテロレプティック有機金属化合物が提供される。これらのヘテロレプティック有機金属化合物は、従来の蒸着前駆体よりも改善された性質を有する。かかる化合物は、直接液体注入をはじめとする蒸着前駆体としての使用に好適である。例えばＡＬＤおよびＣＶＤ等により、かかる化合物またはそれらの有機溶媒中溶液を用いて、薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】前駆体組成物及び方法の提供。
【解決手段】アミド基含有蒸着前駆体及び安定化添加剤を含有する組成物が提供される。このような組成物は、アミド基含有蒸着前駆体自体と比較したとき、改良された熱安定性及び増加した揮発度を有する。これらの組成物は、例えば、原子層堆積による薄膜の堆積において有用である。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスだけではエッチングが難しい高誘電率酸化膜等の膜を効率的に除去する。
【解決手段】原料ガスを供給してウエハ２００上に所望の膜を成膜する基板処理装置のクリーニング方法であって、処理室２０１内に付着した膜を除去するクリーニング方法が開示されている。当該方法は、処理室２０１内にハロゲン含有ガスを供給する工程と、前記ハロゲン含有ガスの供給を開始後、処理室２０１内にフッ素含有ガスを供給する工程と、を有し、前記フッ素含有ガスを供給する工程では、処理室２０１内に前記ハロゲン含有ガスを供給しつつ前記フッ素含有ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】MOCVDに用いるZr代替前駆物質を提供すること。
【解決手段】一般式: Zr_x(OR)_yL_z (式中、Rはアルキル基であり; Lはβ-ジケトネート基であり; x = 1又は2であり; y = 2、4又は6であり; z = 1又は2である。）を有する、MOCVD法を用いて酸化ジルコニウムの薄膜又は酸化ジルコニウムを含む薄膜を堆積させるのに用いるジルコニウム前駆物質。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ手法により酸化膜を形成する際に、酸化不足が生じ難い成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態として、その中に成膜原料を供給する工程（工程Ｓ１）と、その中に酸化剤を供給する工程（工程Ｓ２）とを複数回繰り返し、基板上に酸化膜を形成するにあたり、酸化剤を供給する工程（工程Ｓ２）は、真空引きを挟んで酸化剤の供給を複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度が向上するとともに基材と被覆層との密着性が向上した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、超硬合金からなる基材とそれを被覆する１層以上の被覆層とを備え、該基材は、その表面部にＷとＣｏとの複炭化物を主成分とする、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の表面層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

基板を用意する工程、該基板に堆積阻害材料を適用する工程、ここで、該堆積阻害材料は、有機化合物又はポリマーであり、そして工程（ｂ）の後又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された基板領域を提供する工程を含んで成るパターン付き薄膜を形成するための原子層堆積法。無機薄膜材料は、該堆積阻害材料を有さない選択された該基板領域内だけに実質的に堆積される。
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【課題】高硬度材の切削加工等で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。工具切刃部
【解決手段】表面被覆切削工具の工具切刃部の逃げ面、ホーニング部およびすくい面の表面に蒸着形成する硬質被覆層は、少なくとも、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる内部層とＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆの炭化物、窒化物、炭窒化物のうちの１層または２層以上からなる最表面層とで構成し、また、上記工具切刃部のランド部表面の硬質被覆層はＡｌ_２Ｏ_３層で構成する。 （もっと読む）

原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は、少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシである）に対応する。さらに液体注入原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、Ｌはアミノであり、アミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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【課題】 高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具の硬質被覆層の上部層は酸化アルミニウム層、下部層はＴｉ化合物層と改質（Ｔｉ_１−ＸＺｒ_Ｘ）ＣＮ層（但し、原子比でＸ＝０．０２〜０．２５）と改質（Ｔｉ_１−ＹＣｒ_Ｙ）ＣＮ層（但し、原子比でＹ＝０．００５〜０．０５）で構成し、改質（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層は、｛１１１｝面の傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該傾斜角区分内に存在する度数の合計が、度数全体の４５％以上の割合を占め、また、改質（Ｔｉ，Ｃｒ）ＣＮ層は、｛１１２｝面の傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該傾斜角区分内に存在する度数の合計が、度数全体の４５％以上の割合を占める。 （もっと読む）