【課題】高速条件下の切削においてクレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備え、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＡｌとＺｒとを少なくとも含む硬質酸化物被膜層であり、硬質酸化物被膜層は、ＡｌとＺｒの含有量が該被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ａｌの含有量が極大となるＡｌ極大点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ａｌ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ａｌ極大含有点におけるＡｌの含有比率Ａｌ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９９９＜Ａｌ≦１であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）≦０．２であり、該被膜層は酸化ジルコニウムを含有しない。 （もっと読む）

【課題】高速条件下の切削においてクレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＡｌとＺｒとを少なくとも含む硬質酸化物被膜層であり、ＡｌとＺｒの含有量が該被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ａｌの含有量が極大となるＡｌ極大点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ａｌ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ａｌ極大含有点におけるＡｌの含有比率Ａｌ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９９９＜Ａｌ≦１であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）≦０．２であり、該被膜層は、酸化ジルコニウムを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板を加熱しながら第１の反応物質と酸素原子を含む第２の反応物質とを前記処理室内に交互に供給して前記基板上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する基板搬出工程と、備え、前記酸化膜形成工程では、基板温度が前記第１の反応物質の自己分解温度以下であり、前記第２の反応物質に紫外領域の光を照射することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

本発明は、金属機械加工用の工具およびその製法に関し、該工具は、超硬合金、サーメット、セラミックス、または超硬質材料の基材、およびコーティングを含み、該コーティングは、内側アルミナ層および外側チタンホウ窒化物層を含み、ここで前記層が、アルミナ層以外の酸化物層を含む一以上の層によって分離されている。 （もっと読む）

【課題】広範囲の硬度や強度を有する被削材を切削することができ、かつ表面被覆切削工具の交換回数を減らすことのできる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、該被膜は、少なくとも１層の被覆層を含み、該被覆層のうち少なくとも１層は、Ｚｒを含有するＺｒ含有被覆層であり、さらに上記表面被覆切削工具は、２以上の切れ刃部を有し、この切れ刃部のうち１の切れ刃部である第１切れ刃部における被膜のＺｒ含有量は、該第１切れ刃部を除く他の切れ刃部のうちの少なくとも１の切れ刃部における被膜のＺｒ含有量と異なることを特徴とする表面被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、基材と被覆層との密着性が向上した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、超硬合金からなる基材とそれを被覆する１層以上の被覆層とを備えるものであって、該基材は、該被覆層と接する表面部にＷとＣｏとの複炭化物を主成分とする、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の基材表面層を有し、該被覆層のうち該基材と接する最下層は、Ｃｏを含む層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、基材と被覆層との密着性が向上した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、超硬合金からなる基材とそれを被覆する１層以上の被覆層とを備えるものであって、該被覆層のうち該基材と接する最下層は、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ以下であり、かつ化学式Ｍ_1-XＺ_X（ただし、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、およびＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｚは塩素を示し、Ｘは原子比を示し、０＜Ｘ≦０．５である。）で示される第１化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶化しており、かつリーク電流も小さいジルコニア系膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とを交互的に複数回供給して基板上にＺｒＯ_２膜を成膜する工程と、処理容器内にシリコン原料と酸化剤とを交互的に１回または複数回供給して基板上にＳｉＯ_２膜を成膜する工程とを、膜中のＳｉ濃度が１〜４ａｔｍ％になるように供給回数を調整して行い、これら供給回数のＺｒＯ_２膜成膜とＳｉＯ_２膜成膜とを１サイクルとし、このサイクルを１以上行い所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

本発明は、ＹＳＺ／Ｘ／ＹＳＺ材料であって、ＸがＹＳＺとは異なる材料である少なくとも３層のスタックを、基板上に、ＣＶＤ（化学気相堆積）堆積する段階を含む、ＳＯＦＣ電池用電解質の製造方法に関する。
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本発明の実施形態は、原子層堆積（ＡＬＤ）または化学気相堆積（ＣＶＤ）などの気相堆積プロセス中に、プロセッシングチャンバの内面を処理し、材料を堆積させる方法を提供する。一実施形態では、前処理プロセス中に、プロセッシングチャンバの内面および基板を、水素化配位子化合物などの試薬にさらすことができる。この水素化配位子化合物は、次の堆積プロセス中に使用される有機金属前駆体から形成される遊離配位子と同じ配位子とすることができる。この遊離配位子は、堆積プロセス中に、通常、水素化または熱分解によって形成される。一例では、プロセッシングチャンバおよび基板は、ペンタキス（ジメチルアミノ）タンタル（ＰＤＭＡＴ）などのアルキルアミノ配位子を有する有機金属化学前駆体を利用した気相堆積プロセスを行う前に、前処理プロセス中に、アルキルアミン化合物（例えば、ジメチルアミン）にさらされる。
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【課題】良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。
【解決手段】反応空間である反応室上部からシャワーヘッドを介して反応室内に成膜ガスを導入し、加熱基板上で成膜するＣＶＤ装置である薄膜製造装置において、上部の反応空間が回転又は昇降しない基板ステージとシャワーヘッドと防着板とで構成され、防着板と基板ステージとで構成される同心円の隙間をガス排気経路として設け、このガス排気経路の上方から防着板に沿って不活性ガスが流れるように構成し、そしてガス排気経路の２次側に下部空間を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板１０１が収容されるインナチューブ２０４と、インナチューブ２０４を取り囲むアウタチューブ２０３と、インナチューブ２０４内に配設されたガスノズル２３３ａ，ｂと、ガスノズル２３３ａ，ｂに開設されたガス噴出口２４８ａ，ｂと、ガスノズル２３３ａ，ｂを介してインナチューブ２０４内にガスを供給するガス供給ユニットと、インナチューブ２０４の側壁に開設されたガス排気口２０４ａ，ｂと、アウタチューブ２０３とインナチューブ２０４とに挟まれる空間を排気してガス噴出口２４８ａ，ｂからガス排気口２０４ａ，ｂへと向かうガス流をインナチューブ２０４内に生成する排気ユニットとを備え、基板の外縁とガス排気口２０４ａ，ｂとの間の距離が、ガス噴出口２４８ａ，ｂとの間の距離よりも長くなるようにインナチューブ２０４の側壁が構成されている。 （もっと読む）

【課題】高速条件下の切削においてクレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備え、該被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＡｌとＺｒとを少なくとも含む硬質酸化物被膜層であり、ＡｌとＺｒの含有量が前記硬質酸化物被膜層の厚み方向にそって変化する組成構造を有し、この変化は、Ａｌの含有量が極大となるＡｌ極大含有点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ａｌ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ａｌ極大含有点におけるＡｌの含有量比率Ａｌ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９〜０．９９９９であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１〜０．２であり、硬質酸化物被膜層に酸化ジルコニウムを含まないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速条件下の切削においてクレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備え、該被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＡｌとＺｒとを少なくとも含む硬質酸化物被膜層であり、ＡｌとＺｒの含有量が前記硬質酸化物被膜層の厚み方向にそって変化する組成構造を有し、この変化は、Ａｌの含有量が極大となるＡｌ極大含有点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ａｌ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ａｌ極大含有点におけるＡｌの含有量比率Ａｌ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９〜０．９９９９であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１〜０．２であり、硬質酸化物被膜層に酸化ジルコニウムを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、基材と被覆層との密着性が向上した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、超硬合金からなる基材とそれを被覆する１層以上の被覆層とを備えるものであって、該基材は、該被覆層と接する表面部にＷとＣｏとの複炭化物を主成分とする、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の基材表面層を有し、該被覆層のうち上記基材と接する最下層は、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ以下であり、かつ化学式Ｍ_1-XＺ_X（ただし、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、およびＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｚは炭素、窒素、酸素、硼素、および塩素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｘは原子比を示し、０＜Ｘ≦０．５である。）で示される第１化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板面内及び基板間における基板処理の均一性を向上させる。
【解決手段】 複数枚の基板を水平姿勢で積層した状態で保持する基板保持具と、基板保持具が収容されるインナチューブと、インナチューブを取り囲むアウタチューブと、インナチューブ内に配設されたガスノズルと、ガスノズルに開設されたガス噴出口と、ガスノズルを介してインナチューブ内に原料ガスを供給する原料ガス供給ユニットと、インナチューブの側壁に開設されたガス排気口と、アウタチューブとインナチューブとに挟まれる空間を排気してガス噴出口からガス排気口へと向かうガス流をインナチューブ内に生成する排気ユニットと、基板保持具における基板が積層される領域より下方側の領域の外周を囲うガス侵入抑制筒と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 気化器を分解することなく気化器内部における残留物の蓄積具合を把握し、気化器内部をメンテナンスすべきタイミングを事前に把握する。
【解決手段】 基板が収容される処理室と、気化空間を有し気化空間内に供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化空間内に液体原料を供給する液体原料供給ラインを有する液体原料供給系と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ラインを有する気化ガス供給系と、処理室内の雰囲気を排気する排気系と、気化空間内の圧力を測定する圧力計と、気化空間内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ラインを有するキャリアガス供給系と、気化空間内へキャリアガスが供給されている時の圧力計の測定値に基づいて気化器の状態を判断する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】十分な蒸気圧を有し、配管輸送上のトラブルが生じ難い、基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料を用いて基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を成膜する成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、ＨｆまたはＺｒを含むアミン系の有機金属化合物からなる成膜原料と、酸化剤とを処理容器内に供給してこれらを反応させることにより基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を形成する成膜方法において、有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第１有機金属化合物に、常温で液体の第２有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜の耐酸化性を向上させることにより半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜と前記絶縁膜に囲まれた金属膜とが露出する基板を加熱した状態で収容する成膜室３１Ｓと、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４と励起した窒素とを前記成膜室３１Ｓへ供給して加熱下である基板Ｓの表面に硼窒化ジルコニウム膜を成膜する成膜部とを備えた半導体装置の製造装置であって、前記成膜部が、成膜時間が経過するに連れて前記励起した窒素の供給量を低くすることを要旨とする。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜と下地膜との間の密着性を向上させることにより半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１メタルキャップ膜ＭＣ１と第２メタルキャップ膜ＭＣ２とが成膜される際に、まず基板Ｓの表面に水素ラジカルが供給されて、表面処理である微粒子のエッチング処理や未結合手への末端処理、さらには酸化層の還元処理が実行される。そして、この表面処理が基板Ｓに施された後、基板Ｓの表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４と励起状態の窒素とが供給されて、第１メタルキャップ膜ＭＣ１及び第２メタルキャップ膜ＭＣ２である硼窒化ジルコニウム膜が成膜される。 （もっと読む）