【課題】被処理体の膜厚の面内均一性を向上させることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Ｗを収容した状態で処理ガスを一端から他端に向けて流して所定の処理を行うようにした処理容器構造４２内で前記被処理体を支持する支持体構造において、天板部４８と、底部５０と、前記天板部と前記底部とを連結し、前記被処理体を支持する複数の支持部８８がその長さ方向に沿って形成されると共に前記支持部のピッチは前記処理ガスの流れ方向の上流側よりも下流側が大きくなるように設定された複数の支持支柱６０とを備える。これにより、被処理体の膜厚の面内均一性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】排気能力の向上を図り、大流量のガス供給時においても処理容器内の圧力を迅速に且つ効率的に減圧雰囲気にすることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗに所定の処理を施すための処理装置において、処理空間の一側にノズル収容エリア４８が設けられると共に、他側にノズル収容エリアより水平方向に放出されたガスを排気させるための排気口５２が形成された処理容器４４を有する処理容器構造３４と、該処理容器構造の下端の開口部側を塞ぐ蓋部３６と、前記被処理体を支持すると共に、前記処理容器構造内へ挿脱可能になされた支持体構造３８と、ノズル収容エリア内に収容されてガスを導入するガスノズルを有するガス導入手段４０と、処理容器構造内の雰囲気を排気するための複数の排気系４１Ａ，４１Ｂを有する排気手段４１と、前記被処理体を加熱するための加熱手段４２と、装置全体を制御する制御手段１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体を支持する支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制して形成される薄膜の膜厚の面内均一性及び膜質の改善を図ることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】処理ガスを一側から他側に向けて水平方向に流すようにした処理容器構造内で処理すべき複数枚の被処理体Ｗを支持する支持体構造において、天板部９２と、底部９４と、天板部と底部とを連結し、被処理体を支持する複数の支持部１００がその長さ方向に沿って所定のピッチで形成されると共に複数の支持部の内の最上段の支持部と天板部９２との間の距離と複数の支持部の内の最下段の支持部と底部９４との間の距離とが共に支持部間のピッチ以下の長さに設定されている複数の支持支柱９６とを備える。これにより、支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＴｉおよびＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、ＴｉおよびＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】各基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させ、処理速度を増大させ、基板処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】複数の基板２００を水平姿勢で所定の間隔で多段に積層して収容する処理室２０１と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系２２２ａ，２２２ｂと、を有し、処理ガス供給系は、基板の上表面に対してそれぞれ垂直に処理ガスを供給するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板処理面と基板周縁部との流速差の増大を抑制し、成膜処理の均一性を向上させ、処理品質の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】基板２００を保持する基板保持具１８と、前記基板及び基板保持具を収納する反応管２０５と、前記基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給系２３３ａ，２３３ｂ，２４０ａ，２４０ｂと、前記反応管内の雰囲気を排気する排気系２３１とを有し、前記基板保持具は複数の支柱１１３と、該支柱に設けられ、前記基板を載置する円環状の部材であって、円環の一部に欠切部が形成された整流部材とを備え、該整流部材の外周と前記反応管の内壁面との間の距離が、前記支柱と前記反応管の内壁面との距離より短い。 （もっと読む）

【課題】従来の膜種を改質することで、従来の膜質よりも優れた膜質を実現する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素を含む第１の層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素を含む層を形成して、所定元素および炭素を含む第２の層を形成する工程と、処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で原料ガスを供給することで、第２の層の上に所定元素を含む層を更に形成して、所定元素および炭素を含む第３の層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、第３の層を窒化して、所定元素、炭素および窒素を含む第４の層として炭窒化層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラスチックの質感を避けるため、物品の変色を防止するためそして調節可能な着色効果または完全に透明なコーティングを同時に提供するために、物品上に非常に薄いフィルムを形成することができる、金属物品を着色するための表面処理方法を提供する。
【解決手段】基板を用意することと、原子層析出（ＡＬＤ）によって基板の表面にセラミック層を形成することとからなり、セラミック層は１〜１０００ｎｍの厚さを有する表面処理方法。処理された基板表面は、基板の表面と同じ色または異なる色を有することができ、同時に酸化／変色の発生を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層を有し、インクジェットヘッド用の圧電体等に好適に用いることのできる誘電体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板５上に、（１１１）配向性の金属自然配向膜３６と、金属自然配向膜３６上に該金属自然配向膜３６に接して設けられた、｛１００｝配向性のＬａがＡサイトに入ったABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第１の下部電極３１と、第１の下部電極３１上に該第１の下部電極３１に接して設けられた、｛１００｝配向性の（Ｓｒ_x，Ｃａ_y，Ｂａ_z）ＲｕＯ₃（但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１）系ABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第２の下部電極３２と、第２の下部電極３２上に該第２の下部電極３２に接して設けられた、｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層７と、該誘電層上に設けられた上部電極８とを設けて誘電体を構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、逃げ面および切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、逃げ面および切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】分散安定剤を使用せずに金属ナノ粒子を成膜する。
【解決手段】内部が真空状態に保持され、ウエハＷが載置された処理容器１５０と、金属含塩溶液を超音波により霧化し、霧化された金属塩溶液の液滴Ｍｂを処理容器１５０内に放出する超音波噴霧器１１０と、放出された金属塩溶液の液滴Ｍｂが処理容器１５０の内部をウエハＷに向けて移動する際に通過する空間Ａに配設され、放出された金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂを熱分解する温度調整器１５２とを備える。これにより、熱分解により金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂから生成された金属ナノ粒子ＭａをウエハＷに成膜する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、すくい面および切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、すくい面および切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続重切削加工ですぐれた耐剥離性、耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層としてＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、切刃部の中間層及び上部層は、すくい面、逃げ面に比して相対的に（０００１）面配向率の小さいα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、すくい面および逃げ面の上部層は、面積比率で３５％以上６０％未満の結晶粒の内部が、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有し、一方、切刃部の上部層は多角錐形状の結晶組織構造からなる。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速断続切削加工で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】成膜に要する時間短縮と生産性向上を両立可能なＡＬＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に複数のウェハ３を保持するウェハボ−ト２を有する中空筒状の反応室１と、前記各ウェハに対応した位置にそれぞれ第一のガス吹出し孔が設けられた、前記反応室内に原料ガスを供給する原料ガス供給管と、前記各ウェハに対応した位置にそれぞれ第二のガス吹出し孔が設けられた、前記反応室内にパ−ジガスを供給するパ−ジガス供給管と、前記反応室内において前記原料ガス供給管と前記ウェハボ−トを挟んで対抗する位置に配置されるとともに、前記各ウェハに対応した位置にそれぞれ排気孔１１が設けられた、前記原料ガスの供給時に使用される第一の排気管７と、前記反応室に連通され、前記第一の排気管７よりも大口径の、前記パ−ジガスの供給時に使用される第二の排気管１９と、を具備するＡＬＤ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積によって、第四族金属含有フィルムを形成する前駆体及び方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ⁴）Ｃ（Ｏ）ＸＲ⁵_y）₂（ここで、Ｍは、第四族金属であり；Ｒ¹及びＲ²は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ；Ｒ³は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択されることができ；Ｒ⁴は、水素、Ｃ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；Ｒ⁵は、Ｃ_1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；ＸはＯ又はＮであるが、Ｘ＝Ｏの場合、ｙ＝１であり且つＲ^１、Ｒ^２及びＲ^５が同じとなり、Ｘ＝Ｎの場合、ｙ＝２であり、且つ各Ｒ⁵は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる）。 （もっと読む）

【課題】第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を効果的に抑制することにより、回転テーブルの回転速度の増大を通してスループットの向上を図る。
【解決手段】本成膜装置は、回転テーブルの中心と外周上の異なる２つの点とをカバーするように延び第１及び第２の領域に分ける分離領域であり、第１分離ガスで分離領域を第１及び第２の領域より高圧に維持可能な分離領域；第１分離ガスの回転テーブルの中心から外周への流れを抑制して、分離領域を第１及び第２の領域より高圧に制御する圧力制御部；第１の領域にて回転テーブルへ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２の領域にて回転テーブルへ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第１の領域を通して排気する第１排気口；及び第２反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第２の領域を通して排気する第２排気口を備える。 （もっと読む）

【課題】第１反応ガスと第２反応ガスとの混合を抑制する分離ガスによって第１及び第２反応ガスが希釈されるのを低減できる成膜装置を提供する。
【解決手段】本成膜装置は、基板載置領域を一の面に含む回転テーブル；容器内の第１供給領域に配置され、一の面へ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２供給領域に配置され、一の面へ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１及び第２反応ガスを分離する分離ガスを吐出する分離ガス供給部と、分離ガス供給部からの分離ガスを第１及び第２の供給領域へ向けて供給する分離空間を形成する天井面とを含み、第１及び第２供給領域の間に配置される分離領域；第１及び第２供給領域に設けられる第１及び第２排気口；を備え、第１及び第２排気口の少なくとも一方が、対応する供給領域へ向かって分離領域から供給される分離ガスを、反応ガス供給部が延びる方向に沿った方向に導くように配置される。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着システム及び薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜蒸着システムは、原料物質を提供する原料物質供給部２１０と、前記原料物質供給部に連結されて、前記原料物質供給部から原料物質を受け取って気化させる気化器２３１が設けられた原料ガス供給部２３０と、前記原料ガス供給部に連結されて、気化された原料物質を受け取って被処理物上に薄膜を蒸着する薄膜蒸着装置１００と、一端が前記気化器に連結されて、前記気化器の内部を排気する気化器排気ユニット３００と、前記気化器排気ユニットに連結されるように設けられて、前記気化器排気ユニットの圧力を調節することによって、前記気化器の内部に供給された原料物質の流速を制御する圧力調節部３５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】溝や穴の開口部と深さとの比（開口部／深さ）が１／５〜１／７のような条件を要求されても、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。
【解決手段】ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ｔａ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、Ｔａを持つ金属有機化合物と、Ｚｒを持つ金属有機化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料、および、前記Ｔａ有機化合物、前記Ｚｒ有機化合物の一方または双方を溶解する溶媒とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。 （もっと読む）