【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ホスホアミジネートリガンドを含有する有機金属化合物が提供される。かかる化合物は蒸着前駆体としての使用に特に好適である。かかる化合物を用いた、ＡＬＤおよびＣＶＤなどによる薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】有機金属材料を用いた低温成膜条件下であっても、膜中に水素含有成分が残留し難い高誘電体膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に有機金属原料を用いて３５０℃以下の温度でＡＬＤまたはＣＶＤにより高誘電体膜を成膜する工程と、低圧の酸素含有雰囲気で高誘電体膜に紫外線を照射して膜中の水素を脱離させる工程とを有する。 （もっと読む）

金属炭化物薄膜を形成する方法が提供される。好ましい実施形態によれば、金属炭化物薄膜は、反応空間中で基板を、金属源化学物質、還元剤および炭素源化学物質の空間的にかつ時間的に分離された気相パルスと交互的かつ逐次的に接触させるステップによって、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成される。この還元剤は、好ましくは水素の励起された種およびケイ素含有化合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）、又は（３）及び（４）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
４００≦Ｔｓ（℃）≦４７５・・・（１）、
２０≦Ｖｓ（Ｖ）≦５０・・・・・・（２）、
４７５≦Ｔｓ（℃）≦６００・・・（３）、
Ｖｓ（Ｖ）≦４０・・・・・・（４） （もっと読む）

【課題】高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｃｒ含有割合が０．０１〜０．１（原子比）であるＴｉ−Ｃｒ複合炭窒化物層とＡｌ_２Ｏ_３層とを交互に積層した硬質被覆層を設け、あるいは、この交互積層を上部層とし、上部層と工具基体表面間に、下部層として、ＴｉＮ層、ＴｉＣ層、ＴｉＣＮ層、あるいは前記下部層の少なくとも１層のＴｉ成分をＺｒで置換した（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｎ層、（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｃ層、（Ｔｉ，Ｚｒ）ＣＮ層の１層または２層以上を設け、かつ、上部層の構成層であるＴｉ−Ｃｒ複合炭窒化物層は、表面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒の（００１）面および（０１１）面の法線と、表面研磨面の法線とがなす傾斜角の測定結果に基づいて作成された構成原子共有格子点分布グラフであるＴｉ−Ｃｒ複合炭窒化物層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐剥離性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、化学蒸着した状態で六方晶の結晶構造かつ柱状の結晶粒組織を有するアルミニウムとジルコニウムの複合酸化物層からなり、さらに、該複合酸化物は、結晶面（０００１）面および（０１−１２）面からのＸ線回折強度が１番目及び２番目に大きな値を示し、また、前記表面研磨面の法線に対して、（０００１）面の傾斜角が０〜１０度の範囲にある結晶粒子の総面積Ａと、（０１−１２）面の傾斜角が０〜１０度の範囲にある結晶粒子の総面積Ｂとの比の値Ａ／Ｂが、１〜１０である前記複合酸化物層、からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率材料を化学気相堆積するチャンバー表面の清浄工程の終点を決定する方法を提供する。
【解決手段】金属残渣４０を揮発させかつ生成すると表面から離れる揮発した残渣生成物７０を生成させるために十分な時間、残渣４０を清浄剤６０と接触させることにより残渣４０を表面から除去し、下にある金属を腐食させ、かつそれを揮発させる傾向を有する清浄剤６０と接触させることにより、金属を含む下にある表面から金属残渣４０を除去し、清浄剤６０が残渣４０を除去した効果により表面と接触し、そして表面の金属と反応しかつ表面の金属を揮発させるまで残渣４０と接触させて清浄剤を保持し、金属を含む下にある表面は、金属残渣４０の金属よりも清浄剤６０と反応性が高いことを利用し、揮発した金属及び清浄剤６０のそれぞれの量をモニターして、揮発した金属の量の清浄剤６０の量に対する比が、低い値から高い値に増えた時に清浄工程を停止させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との差であるＶｓ−Ｖｆ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
Ｔ（℃）≧４００・・・（１）、
−０．２Ｔｓ＋１００＜Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）＜−０．２Ｔｓ＋１３０・・・（２） （もっと読む）

金属シリケート膜を形成する方法を提供する。当該方法は、基板を、ケイ素原料化学物質、金属原料化学物質、及び酸化剤の交互の且つ連続する気相パルスと接触させることを含み、金属原料化学物質は、ケイ素原料化学物質の後に供給されるすぐ後の反応物である。いくつかの実施形態による方法を使用して、基板表面上に実質的に均質な被膜率を有するシリコンリッチなハフニウムシリケート膜及びジルコニウムシリケート膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】気化工程を有する薄膜の製造方法において、薄膜にチタニウム、ジルコニウム及びハフニウムを供給するプレカーサに対して、薄膜形成用原料、特にＣＶＤ用原料として合致する熱及び／又は酸化による分解特性、熱安定性、蒸気圧等の性質を付与すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される金属アルコキシド化合物。


（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｍは、チタニウム、ジルコニウム又はハフニウム原子を表す。） （もっと読む）

【課題】
スループット向上に有利な縦型バッチ処理装置を用いたＡＬＤ成膜では、半導体基板上に形成されているキャパシタ用などの孔が微細化され深くなるほど、孔底に形成される誘電体の信頼性が低下する問題を解決する。
【解決手段】
原料ガスおよび反応ガス供給後のパージステップを真空パージとガスパージの２段階パージとし、且つ、反応ガス供給ステップをさらに細分化したガスフローシーケンスからなるＡＬＤ成膜法により誘電体を形成するようにした。深い孔底でも信頼性の高い誘電体を形成でき、キャパシタおよび半導体装置の信頼性向上に寄与する。 （もっと読む）

対応のソース試薬蒸気中に粒子を生成または存在させやすいソース試薬を気化させる装置および方法であって、かかる粒子生成または存在は、当該蒸気生成システムの構造的または処理特徴部により抑制される。かかる装置および方法は、液体および固体ソース試薬、特に、固体ソース試薬、例えば、塩化ハフニウム等の金属ハロゲン化物に適用可能である。一実施形態におけるソース試薬は、ソース試薬材料の多孔質モノリシックバルク形態により構成されている。本発明の装置および方法を有効に用いると、原子層蒸着（ＡＬＤ）およびイオン注入等の用途向けのソース試薬蒸気が提供される。
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【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有し、組成式：（Ａｌ_{１−Ｑ−Ｒ}Ｃｒ_ＱＺｒ_Ｒ）_２Ｏ_３、（ただし、原子比で、Ｑ：、０．００５〜０．０７、Ｒ：０．００３〜０．０５）、を満足するＡｌとＣｒとＺｒの複合酸化物層を設け、さらに、該上部層は、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面（１０−１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、特定な構成原子共有格子点分布グラフを示すＡｌとＣｒとＺｒの複合酸化物層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層として、特定なを満足するＴｉとＡｌとＣｒとＺｒの複合炭窒酸化物層、（ｃ）上部層として、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有し、特定な組成式を満足するＡｌとＣｒとＺｒの複合酸化物層を設け、さらに、該上部層は、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面（１０−１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、特定な構成原子共有格子点分布グラフを示すＡｌとＣｒとＺｒの複合酸化物層で構成する。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層として、特定な組成式を満足するＴｉとＡｌとＺｒの複合炭窒酸化物層、（ｃ）上部層として、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有し、特定な組成式を満足するＡｌとＣｒの複合酸化物層を設け、さらに、該上部層は、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面（１０−１０）面の法線がなす傾斜角を測定し特定な構成原子共有格子点分布グラフを示すＡｌとＺｒの複合酸化物層で構成する。 （もっと読む）

【課題】熱プラズマＣＶＤ法を用いたジルコニア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウムアルコキシドを必須成分として含む金属アルコキシド溶液を原料として、熱プラズマＣＶＤ法により基材表面にジルコニア膜を成膜するに当たり、プラズマフレームに水を供給しながらジルコニア膜を成膜することを特徴とするジルコニア膜の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングにより付着された混合層で被覆された抗菌性基板（ガラス、セラミックまたは金属製）を提供する。
【解決手段】 この混合層は金属酸化物、オキシ窒化物、オキシ炭化物または窒化物の中から選ばれた結合物質に混合された少なくとも一つの抗菌物質を含む。この基板は抗菌性を与える。もし焼入れされかつ抗菌性のガラスが要求されるなら、同じコスパッタリング法が使用されることができ、任意に下層が付加されることができる。抗菌性は焼入れ工程後でさえ維持される。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長(CVD)法において金属源、ケイ素源および酸素源を成膜室に同時給送することにより、原子層堆積法の成膜は非常に低速であるという従来の難点を克服する。
【解決手段】電子デバイスの高誘電率絶縁膜として金属ケイ酸塩を形成する方法であって、ジエチルシランを反応帯に供給する工程、並行して酸素源を該反応帯に供給する工程、並行して金属前駆体を該反応帯に供給する工程、該ジエチルシラン、酸素源および金属前駆体を化学気相成長法で反応させて金属ケイ酸塩を基板の表面に形成させる、の各工程を含む方法。金属はハフニウム、ジルコニウムまたはそれらの混合物であるのが好ましい。金属ケイ酸塩膜の誘電率は該膜中の金属、ケイ素および酸素の相対原子濃度を基に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜形成用プレカーサとして使用される有機ジルコニウム化合物において、形成される薄膜の特性に影響を及ぼす金属元素を低減した有機ジルコニウム化合物を提供する。
【解決手段】 四塩化ジルコニウムとアルコールまたはアミンを反応させた後蒸留することにより、チタニウム元素の含有量が１ｐｐｍ以下である薄膜形成用プレカーサとして有用な高純度有機ジルコニウム化合物を得ることができる。また、同時にアルミニウム・ハフニウムの含有量も低減することができる。 （もっと読む）

【課題】焼結時における炭素材による被焼結体への浸炭現象や、被焼結体と炭素材との溶着を抑制すると共に、繰返し使用における耐久性に優れ、かつ低コストの炭素系セッター材を提供すること。
【解決手段】織布又は不織布状の炭素繊維の表面に気相成長法によってＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＢＮ等のセラミックスの被膜を０．１〜５μｍ厚に形成したものを焼結用セッター材とする。このセッター材はグラファイト又はＣ／Ｃコンポジットからなる焼結用治具の表面に載置するか、機械的に固定するか、又は、接着剤によって接着固定して使用することができる。 （もっと読む）