本発明は、固有抵抗を測定するための機器を使用してシラン及びゲルマンの純度を間接的に決定するための方法に関する。本発明はさらに、固有抵抗を測定するための機器を使用した品質管理を含めた、シラン又はゲルマンの工業的製造及び／又は充填のためのプラントに関する。
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【課題】化合物半導体エピタキシャルウェハ外周部より得られたＨＥＭＴ素子であってもリーク電流の急激な増加がなく、良好な耐圧を持つＨＥＭＴ素子が得られる化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにこのような化合物半導体エピタキシャルウェハを用いて得られるＨＥＭＴ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、バッファ層３と、下部電子供給層４と、電子走行層５と、上部電子供給層６と、を有する化合物半導体エピタキシャルウェハ１０において、前記バッファ層３はＡｌＧａＡｓからなり、前記下部電子供給層４及び前記上部電子供給層６はＡｌＧａＡｓからなり、前記下部電子供給層４及び前記上部電子供給層６のＡｌ組成が０.２
０以上０.２７以下であり、かつ前記バッファ層３のＡｌ組成が前記下部電子供給層４の
Ａｌ組成より小さい。 （もっと読む）

【課題】複数種類の面方位のＹＡＧ（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２）のいずれにも簡易な工程でＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】半導体素子１０において、ＹＡＧ基板１２は、面方位（１００）、（１１０）、（１１１）のいずれかの単結晶基板として形成される。半導体素子１０を製造する場合、まずＹＡＧ基板上にＴＭＡｌガスを供給し、ＩＩＩ族元素であるアルミニウムにより核形成層１８を形成する。次に核形成層１８の表面にＮＨ_３ガスを供給して核形成層１８の表面をＶ族化してＡｌＮからなるＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４を形成する。次にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４上にＴＭＡｌガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスを供給してＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０を形成する。最後にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０上にＩＩＩ族窒化物半導体層１６を成長結晶させる。 （もっと読む）

【課題】結晶中に欠陥の発生や不純物の混入を防止することにより結晶品質の改善を図ることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に結晶９０を成長させる際に、結晶９０中の格子欠陥の欠陥準位に対応する波長を含む光を結晶成長時に照射し、照射した光に基づいて格子欠陥に対して近接場光を発生させ、発生させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて格子欠陥を構成する不純物３３又は欠陥周辺の原子を脱離させる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系半導体層の上方に、濡れ層を形成するステップおよびその濡れ層の窒化処理を行うステップを介して遷移層を形成する方法であり、酸化亜鉛系半導体層の表面を保護する機能を有するほか、形成した遷移層は、それからの窒化ガリウム系半導体層をエピタキシャル成長法で成長する際に緩衝層として使用でき、窒化ガリウム系半導体層の結晶品質を有効に高める。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と耐欠損性との両者に優れた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具は、基材と、該基材表面に形成された被覆層とを含み、該被覆層は、１層または２層以上の層からなり、その層のうち少なくとも１層は酸化アルミニウム層であり、該酸化アルミニウム層は、ナノインデンテーション法により測定した硬度が４０００〜７０００ｍｇｆ／μｍ²であり、かつ同法により測定した弾性回復率が０．３〜０．５である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を処理容器内に導入して基板上に第１段階の成膜を行う工程（工程２）と、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入して第１段階の成膜で得られた膜の上に第２段階の成膜を行う工程（工程３）とを有し、工程２により得られた膜と、工程３により得られた膜により、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０を用いる気相成長方法であって、第１III 族元素ガスをIII 族系ガス中間室２３ａに供給し、被成膜基板３に第１半導体層を形成する第１成膜工程と、被成膜基板３に第２半導体層を形成する第２成膜工程とを含み、第１III 族元素ガスと第２III 族元素ガスとが異なる場合、III 族用キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してIII 族系ガス中間室２３ａへ、または、第１Ｖ族元素ガスと第２Ｖ族元素ガスとが異なる場合、Ｖ族系キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してＶ族系ガス中間室２４ａへの供給のうち少なくとも一方への供給を行う残留ガス排出工程を含む。 （もっと読む）

【課題】サセプタの成長面と基板の成長面との間に生じる段差をウェハ面内の膜厚均一性に影響しないレベルに抑えることのできる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】水平な方向にガス流路が形成される反応管２の上部壁にサセプタ用開口２ａを形成し、そのサセプタ用開口２ａに、基板３を設置した円盤状のサセプタ４を、その成長面４ａ側がガス流路に臨むように設けると共にその中心軸廻りに水平に回転自在に設け、そのサセプタ４の成長面４ａとは反対の面側にヒーター５を設けた化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１において、サセプタ４の成長面４ａに対して基板３の成長面３ａの位置を任意に変更できるホルダ６を介して基板３を、サセプタ４に設置するようにしたものである。 （もっと読む）

化学気相反成長応器及び方法。ＩＩＩ族金属源およびＶ族金属源を含むガス等の反応性ガスが、回転ディスク反応器のチャンバ１０内に導入され、ウェハキャリア３２と、高温基板温度、一般に、約４００℃を上回り通常は約７００〜１１００℃に維持される基板４０とに対して下方に向けられて、ＩＩＩ−Ｖ族半導体等の化合物を堆積させる。ガスは、反応器内に、望ましくは約７５℃、最も好ましくは約１００℃〜３５０℃の入口温度で導入される。反応器の壁は、入口温度に近い温度にすることができる。高温の入口温度を用いることにより、ウェハキャリアのより低い回転速度、より高い動作圧力、より低い流速、又はこれらのいくつかの組合せを用いることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】パージガスがシャワーヘッド内部を経由しないで、成長室に吐出されることにより、シャワーヘッドのカバープレート側の表面に原料ガスが付着することがなく、シャワーヘッド作製にかかる時間、手間、およびコストを低減し、かつメンテナンス性に優れた気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０とカバープレート３０との間には、パージガスが導入されるパージガス分配室３２ａが設けられ、パージガス分配室３２ａには、シャワーヘッド２０の複数の原料ガス流路２１ｂとカバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂとを互いに連通する連通管３１ｄが設けられている。カバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂを除く領域には、パージガス分配室３２ａのパージガスを成長室７に供給するプレートパージガス流路３２ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、基材と被覆層との密着性が向上した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、超硬合金からなる基材とそれを被覆する１層以上の被覆層とを備えるものであって、該基材は、該被覆層と接する表面部にＷとＣｏとの複炭化物を主成分とする、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の基材表面層を有し、該被覆層のうち上記基材と接する最下層は、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ以下であり、かつ化学式Ｍ_1-XＺ_X（ただし、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、およびＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｚは炭素、窒素、酸素、硼素、および塩素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｘは原子比を示し、０＜Ｘ≦０．５である。）で示される第１化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速切削条件においてクレーター摩耗の低減とともに高度な耐摩耗性の付与可能な被膜を備えた表面被覆切削工具の提供。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、該被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＡｌとＺｒとを少なくとも含む硬質酸化物被膜層であり、硬質酸化物被膜層は、ＡｌとＺｒの含有量が前記硬質酸化物被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ａｌの含有量が極大となるＡｌ極大点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ａｌ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ａｌ極大含有点におけるＡｌの含有比率Ａｌ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９９９＜Ａｌ≦１であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）≦０．２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理表面の欠陥が少なく、かつ、均一な処理を行なうことが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、ガス導入部（ガス供給口１３）と、整流板２０とを備える。ガス導入部は、処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向（矢印１１、１２に示す方向）に沿って複数形成されている。整流板２０は、処理室４の内部においてガス導入部を覆うように形成される。整流板２０は、ガス導入部から処理室の内部に供給されるパージガスを、反応ガスの流れる方向に沿った方向に流れるように案内する。整流板２０は、ガス導入部が形成された処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向に対して交差する方向である幅方向に延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法またはＨＶＰＥ法を選択的に用いて結晶層を堆積させる。
【解決手段】反応装置（１）のプロセスチャンバー（２）内のサセプタ（３）の上に配置された１以上の基板（特に結晶基板）（６）上に１以上の層（特に結晶層）を堆積させる。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）によって積極的に加熱されるプロセスチャンバー天井（４）が、サセプタ加熱デバイス（１１）によって積極的に加熱されるサセプタ（３）に対向するように位置する。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）は冷却液流路を持つ。プロセスチャンバー天井（４）が加熱されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）から少し離れて配置される。プロセスチャンバー天井（４）が冷却されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）の面（１７）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）に接触する。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板の表面の自然酸化膜を除去するとともに、基板の表面を特定の保護層で覆い、基板の表面の再酸化を抑制する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、反応性イオンエッチング装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｍｇ，Ａｌ及びＨｆのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板１０に反応性ガスによってエッチング処理を施すことにより、基板１０の表面の自然酸化膜１１を除去するとともに、基板１０の表面に反応性ガスの成分とＸとの化合物から成る保護層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガス導入部への反応生成物の付着を抑制することができるとともに、基板の表面における原料ガスの気相反応の均一性を向上することができるＭＯＣＶＤ装置およびＭＯＣＶＤ法を提供する。
【解決手段】成長室と、少なくともＩＩＩ族系ガスとＶ族系ガスと不活性ガスとを成長室に導入するためのガス導入部と、を備え、ガス導入部は、ＩＩＩ族系ガスを導入するためのＩＩＩ族系ガス導入孔と、Ｖ族系ガスを導入するためのＶ族系ガス導入孔と、不活性ガスを導入するための不活性ガス導入孔と、を有し、不活性ガス導入孔は、ＩＩＩ族系ガス導入孔とＶ族系ガス導入孔との間に配置され、不活性ガスの導入量をＩＩＩ族系ガスの導入量およびＶ族系ガスの導入量の少なくとも一方よりも少なくするための制御部を備えたＭＯＣＶＤ装置とその装置を用いたＭＯＣＶＤ法である。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により膜厚均一性と膜組成均一性とが共に良好な絶縁膜を形成することが可能な絶縁膜形成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成方法において、基板に小流量のＯ_３を供給し、非平衡状態で基板上のＨｆと反応させハフニウム酸化膜を形成するサイクルＡをＭ回（Ｍ≧１）行った後、基板に大流量のＯ_３を供給し、平衡状態で基板上のＨｆと反応させハフニウム酸化膜を形成するサイクルＢをＮ回（Ｎ≧１）行う絶縁膜形成サイクルを１シーケンスとする。所望の膜厚までシーケンスを繰り返し、目的の絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】燐以外のＶ族元素を構成元素として含むIII−Ｖ化合物半導体を基板の表面上に堆積するときに基板の裏面の荒れを低減可能なサセプタを提供する。
【解決手段】リン供給体１３はＩｎＰ表面１３ａを有する。サセプタ本体１５のベース部１５ａはリン供給体１３を支持する。サセプタ本体１５の支持部１５ｂは、リン供給体１３の表面１３ａが基板と間隔をあけて対面するように基板を支持する。支持部１５ｂは、基板を支持する支持面１５ｃを有する。また、支持部１５ｂは、リン供給体１３を受け入れる凹部１５ｄを規定するようにベース部１５ａの回りに位置する。凹部１５ｄには、ベース部１５ａが現れ、ベース部１５ａの支持面１５ｅがリン供給体１３を直接に支持する。支持面１５ｃに支持される基板の裏面と凹部１５ｄに収容されたリン供給体１３の上面との間隔は、１０マイクロメートル以上５００マイクロメートル以下である。 （もっと読む）

【課題】下地基板表面上に選択エピタキシャル成長用マスクを簡便な方法で形成する方法を提供する。
【解決手段】無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。 （もっと読む）