【課題】ステンレス鋼からなる装飾品で、耐食性が高く、ニッケルの溶出が極めて少なく、耐傷付き性に優れた白色被膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】ステンレス鋼からなる装飾品用基材と、該基材表面に湿式メッキ法で形成されたバリアー層と、該バリアー層の表面に乾式メッキ法により形成された下地層と、該下地層の表面に乾式メッキ法により形成された耐摩耗層、および該耐摩耗層の表面に乾式メッキ法により形成された最外層からなる発色層とから構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チューブはターンテーブル上のレールに対して常時的な接触となり、洗浄液が回り込まない。洗浄液に接触する部分と接触しない部分とではエッチングに相違が生じ、チューブの底面に凹凸が発生する。チューブを減圧装置に設置し、真空ポンプを用いて減圧状態にすると、底面の凹凸に起因してリークが発生し、所定の減圧ができなくなる。その結果、均一な成膜がむずかしくなる。
【解決手段】半導体製造装置の部材であって洗浄対象となる被洗浄部材（チューブ）ｍを支持した状態で、洗浄液を噴射する洗浄装置であって、被洗浄部材を支持する複数の支持点５ａ…有する第１の支持具５Ａと、第１の支持具の複数の支持点とは別の部位で被洗浄部材を支持する複数の支持点６ａ…有する第２の支持具６Ａと、第１の支持具５Ａと第２の支持具６Ｂを交代的に作用状態と非作用状態とに切り替える支持具切替機構７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 有機物の基板への付着を防いだ良質な薄膜を提供する。
【解決手段】 基板１を処理室１２に導入し処理する際，２段のロードロック室１０，１１を介して導入する。１段目のロードロック室１０は大気圧のまま不活性ガス雰囲気に置換する。２段目のロードロック室１１は，ベーキングヒータ２０を有している。内壁に有機物５が付着した状態で減圧すると，内壁の有機物５が脱離し基板１を汚染するが，有機物５の付着していない２段目のロードロック室１１内で減圧することにより，基板１への有機物５の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体層（１７）と絶縁膜（１８）との間の界面特性(界面準位、固定電荷)に優れた絶縁膜を効率よく形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成される被処理基板（９）の半導体表面を、所定の周波数の高周波電源（６）によって励振される平行平板型のプラズマ生成装置によって発生させた酸素原子活性種によって酸化することにより、被処理基板（９）に第１の絶縁膜（１８）を形成する工程を有する。
さらに、より厚い絶縁膜を形成する必要がある場合には、上記第１の絶縁膜（１８）上に、成膜速度の大きい化学的気相堆積法によって第２の絶縁膜（２０）を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍で処理を行うプラズマ放電処理装置におけるプラズマ中の電子エネルギー分布等を時間依存のボルツマン方程式等により正確に算出して制御パラメータを決定するシミュレーション装置およびプラズマ放電処理装置支援システムを提供する。
【解決手段】シミュレーション装置２は、大気圧近傍の圧力下で電極間の電界を周期的または連続的に変化させてプラズマ放電処理を行うプラズマ放電処理装置１０を制御する制御パラメータの中から修正する制御パラメータを指定し、シミュレーションの終了条件を設定する入力手段３と、ガスと電子との素反応の衝突断面積が記憶されたデータベース手段５と、指定された制御パラメータを修正しながら衝突断面積に基づいて時間依存のボルツマン方程式を用いてシミュレーションを行う演算手段６と、演算結果が終了条件を満たしているか否かを判断し、制御パラメータの値を決定する制御手段７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 成膜時、エッチング時において、下地膜へのダメージが小さい金属系膜、金属系膜の作製方法、金属系膜作製装置、プラズマ処理方法及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】 Ｃｌ₂を供給する前に、Ｘｅを供給して、プラズマを生成し、その後、Ｃｌ₂を含有するガスを所定流量まで漸増して供給すると共に、Ｃｌ₂のラジカル（Ｃｌ^*）生成し、Ｃｌ₂を所定流量まで漸増する際、Ｃｌ^*とＣｌ^*により生成される金属成分の前駆体とのモル比が所定値になるように、Ｘｅの流量を制御し、Ｃｌ₂を所定流量まで漸増した後、モル比を維持するように、Ｘｅの流量を漸減することで、成膜の初期において、Ｘｅ^*によりＣｌ^*が失活され、前駆体が所定数のＣｌ^*により還元され、下地膜へダメージを与えることなく、金属系膜が基板上に作製される。 （もっと読む）

【課題】 フェイスダウンタイプＭＯＶＰＥ法を用いたIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、反応管下面に生ずる堆積物を容易に除去し、エピタキシャルウェハの量産数を向上させることにある。
【解決手段】 反応管２内に又は反応管２の上壁の一部として板状のサセプタ３を設け、このサセプタ３に気相エピタキシャル成長の対象である基板４をその結晶成長面を下向きに支持して加熱し、上記反応管の入口２ａからIII族およびＶ族原料ガスを基板４の成長面に沿って流し、ＭＯＶＰＥ法により基板４上に化合物半導体結晶を成長するIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、上記反応管２の下壁領域のうち上記成長の過程で堆積物１３が生じやすい反応管入口側近傍の一部領域を、交換可能な底板１４により形成し、この底板１４を必要に応じて新品の底板と交換する。 （もっと読む）

【課題】 レシピチューニング後の生産中における温度変化特性の劣化を、保守員などの手を煩わせることなく改善し、生産性を向上させる。
【解決手段】 所望の制御条件による温度制御を行うのに先立って前記所望の制御条件に基づいて行われた温度制御の制御結果に関する情報と、前記所望の制御条件に基づいて行われる現在の温度制御の制御結果に関する情報とを所定のタイミングで比較するデータ比較部と、前記データ比較部による比較結果が一致しない場合に、該一致しないタイミングにおける、前記先立って前記所望の制御条件に基づいて行われた温度制御の制御結果に関する情報と、前記所望の制御条件に基づいて行われる現在の温度制御の制御結果に関する情報との差分を算出し、前記一致しないタイミング以降の温度制御については、前記差分を減少させるように前記所望の制御条件を修正する修正部と、前記修正部により修正された制御条件に基づく温度制御を行う温度制御部とを備えてなることを特徴とする。
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【課題】炭素原料と珪素原料の供給の交互切り換えや供給比率の調整を行うことなく炭化珪素結晶薄膜の作製を可能とする。
【解決手段】基板９の表面に成長結晶表面の原子配列状態を調整するために、珪素の単元素源（クヌーセンセル１２）から分子線を照射し、結晶が二次元成長するのに適した成長結晶表面状態を形成する工程と、結晶組み立て原料として炭素と珪素の結合（Ｓｉ−Ｃ）分子を内包する有機シランガス１５を供給し単結晶炭化珪素薄膜を成長させる工程とを有する。この基板９として、（０００１）珪素終端面または（０００−１）炭素終端面を有する六方晶炭化珪素基板を用いる。また、上記有機シランガス１５の原料には、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシランを用いることができる。 （もっと読む）

【目的】シリコン基板上に高品質の化合物半導体を結晶成長することを可能とする。
【構成】 この改善策として、シリコン基板に薄い異種半導体結晶を結晶成長させ、その上から酸素のイオン注入を行うことによりシリコン表面を酸化させてSiO₂を形成させる。熱処理によって異種半導体を結晶化させ、その上に必要な厚さの異種半導体及びその半導体で構成される半導体装置を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】 バッチ型ＣＶＤ装置を用いた成膜において、製品ウェハ枚数に依存する膜厚のばらつきを抑制し、所定の膜厚の膜を再現性よく作製する。
【解決手段】 成膜装置１００は、製品ウェハ１０７およびダミーウェハ１０９が収容される成長炉１０１、製品ウェハ１０７およびダミーウェハ１０９が設置されるボート１０５、および成長炉１０１の外側に炉壁１０３に沿って設けられたヒータ１１１を有する。また、成膜装置１００は、ｈｉｇｈ−ｋ原料供給管１１３とＳｉＯ₂原料供給管１１５とを有するガス供給系、およびガス供給系から成長炉１０１へのガスの供給を制御する制御部１２１を有する。 （もっと読む）

【課題】 プロセスチャンバ内で順に一連の基板を処理する間、均一なＰＥＣＶＤ堆積速度を可能にする一貫した反応チャンバ環境を提供する。
【解決手段】 我々は、多くの基板が堆積チャンバ内で連続して順に処理される場合に、膜の化学気相堆積（ＣＶＤ）の堆積速度の均一性を改善する方法を有する。本方法は、堆積チャンバ内に基板が存在する場合に、基板を取り囲んでいる処理容積内の少なくとも１つの処理容積構造体をプラズマ予熱することを含んでいる。我々は、また、堆積チャンバ内で連続して順に多くの基板の処理の最初に数枚の基板の堆積時間を調整するデバイス制御法を有するので、堆積した膜厚が一連の基板処理中に本質的に一定に保たれる。これらの方法を単一方法に組合わせると、基板から基板までの平均膜厚を制御する点で最良の結果が得られる。 （もっと読む）