【課題】強誘電体膜キャパシタにおいて、強誘電体膜の組成が膜厚方向において不均一になることを防止して、良好な電気的特性を有するキャパシタを実現する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下部電極を形成する（Ｓ５１）。次に、第１の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、下部電極上に第１の強誘電体膜を形成する（Ｓ５３ａ）。次に、第２の原料ガスを用いたＣＶＤ法により、第１の強誘電体膜上に第２の強誘電体膜を形成する（Ｓ５３ｂ）。次に、第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する（Ｓ５４）。ここで、第１の強誘電体膜を形成する工程（Ｓ５３ａ）で用いた第１の原料ガスに含まれる酸素の濃度は、第２の強誘電体膜を形成する工程（Ｓ５３ｂ）で用いた第２の原料ガスに含まれる酸素の濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を使用してイリジウム下地上に直径１インチ（２.５ｃｍ）以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または単結晶サファイア（α-Ａl₂Ｏ₃）基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム（Ｉｒ）膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム（Ｉｒ）下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な手法によって低転位のＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得ることができる方法を提供する。
【解決手段】所定の基材上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮ系III族窒化物成長下地層が形成されてなるエピタキシャル基板の上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜をエピタキシャル形成する場合に、ＭＯＣＶＤ法における加熱温度よりも高い温度で該エピタキシャル基板を加熱処理した上で、厚膜層の形成を行うようにすることで、厚膜層の低転位化を実現することができる。すなわち、ＨＶＰＥ法を用いた厚膜成長に先立って、加熱処理という比較的簡便な処理を施すだけで、ＨＶＰＥ法による成長に際して特別の構成を有する装置を用いたり、あるいは成長条件に特段の限定を加えたりしなくとも、低転位のＡｌＮ系III族窒化物からなる厚膜層を形成することができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、大面積基板に堆積したフィルム、特に、ＰＥＣＶＤシステムに堆積したフィルムの均一性を改善する方法及び装置を提供する。一実施形態において、プラズマ処理チャンバは、基板に対して非対称に構成されており、望ましくない磁場により生じたチャンバ内のプラズマ密度不均一性を補正する。他の実施形態において、プラズマ処理チャンバは、チャンバの磁場生成フィーチャーを通る電流の流れを減じる中性電流バイパス経路を作成するように適合されている。他の実施形態において、プラズマ処理チャンバにおいて、大面積基板に均一なフィルムを堆積する方法が提供される。中性電流バイパス経路を作成することにより、処理中、チャンバは電気的に対称となる。中性電流バイパス経路は、チャンバの磁場生成フィーチャーを通る中性電流の流れを大幅に減じる。
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【課題】プラズマサイズより広い範囲に均一な成膜を行うことが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板５が配置されるチャンバ１０と、チャンバ１０に接続され、基板５と対向するようにチャンバ１０内に開口する開口部１８を備えた管状部材２０と、管状部材２０の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置２４と、管状部材２０に原料ガスを供給する原料ガス供給装置２２とを有し、管状部材２０の開口部１８の内径ｄは、基板５の外径Ｄより小さく形成されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの不所望付着物をより容易に確実に除去可能であり、ターゲット自体の損傷を防止可能な、基板処理装置のクリーニング方法の提供。
【解決手段】耐酸容器３１中にターゲット１１を設置し、フッ硝酸系水溶液を注入し、耐酸容器に超音波発生器３０を用いて超音波による物理的刺激を加え、不所望付着物を硝酸の作用により酸化して、フッ酸の作用によりターゲット１１から浮かせ、浮かせた不所望付着物を超音波の刺激によってターゲットから分離させる工程を同一水溶液中で同時に行い、より容易に確実に不所望付着物を除去する。 （もっと読む）

故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの核生成層を成膜するステップと、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。
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【課題】被処理体の搬送通路を気体に関して区画する機能および被処理体に付着している異物を取り除く機能を向上させた帯状気流形成装置を提供する。
【解決手段】気流吹出し部４８の噴出口５２より帯状にダウンフローで吹き下ろされた乾燥エアの気流Ｊは、真下の気流吸込み部５０より与えられるバキューム力で垂直下方に引かれ、途中で乱流を生じることなく底面の吸込み口６４まで帯状の層流を保持することができる。さらに、気流吸込み部５０のバキューム力を大きめに調整することで、適度に周囲の気体も、つまりローダ・モジュールＬＭ側の空気や、開状態のドアバルブＤＶの通路を介してロードロック室１４側からの気体も、吸込み口６４に引き込んで排気ライン６８へ排出することができる。 （もっと読む）

【課題】厚み精度の高い水晶波長板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水熱合成法で育成された人工水晶から第一の水晶板を切り出し（Ｓ１０１）、第一の水晶板を所望の板厚値より薄く研磨加工し（Ｓ１０２）、第一の水晶板研磨加工面上に大気圧気相成長法で先の所望の板厚値から第一の水晶板厚みを差し引いた差分厚みの水晶薄膜をホモエピタキシャル成長させ第二の水晶板を形成する（Ｓ１０３）ことにより水晶波長板を得る。上記工程において、第一の水晶板を所望の板厚値より１μｍ以上〜２０μｍ以下薄く研磨加工し、又、第一の水晶板上にマスクを載置し、第一の水晶板上にマスクパターン形状の水晶薄膜を成長させ、同時に複数個の第二の水晶板を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するＳｉＣ単結晶とそのエピタキシャル成長方法を提供する。かかるＳｉＣエピタキシャル単結晶を用いて作製された、ウエーハと半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の面を、（０００１）面から５．７４度±１度以内または２．８６度±０．７度以内のオフ角に設定して、前記ＳｉＣの基板上にＳｉＣの結晶をエピタキシャル成長させる工程を有しているＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．５度以内または２．８６度±０．５度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．３度以内または２．８６度±０．３度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。ＳｉＣ基板が、ＳｉＣ基板上に改良レーリー法により堆積されたＳｉＣ結晶から作製されたものであるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な局所的平坦度を備えたエピタキシャルシリコンウェハの歩留まりを高め、将来の世代の要求を満足するウェハを提供する。
【解決手段】所定数のエピタキシコーティングが終了するたびにサセプタのエッチング処理を行い、このエッチング処理後にサセプタを親水化する。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイス用デュアルダマシン構造を製造する方法に関する。基板中に形成されたトレンチまたはバイア内の、拡散バリア層の堆積の間中、ハロゲン系前駆物質が使用される。前記堆積からの残留ハロゲンは、前記バリア層上に残ることができ、前記トレンチまたはバイアを充填するために、前記バリア層上に位置する金属層の成長を触媒するのに用いられる。
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【課題】ポンプユニットを有する半導体素子製造装置及び前記ポンプユニットを洗浄する方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０と、チャンバ１０と連結され、工程進行のうちチャンバ１０内で発生する副生成物を排気して、チャンバ１０内の圧力を調節する排気システム２０とを含む半導体製造装置であって、排気システム２０は、チャンバ１０に連結される排気管１００と、排気管１００に配置されるポンプユニット２００と、排気管１００のうちポンプユニット２００と隣接した位置に、または、ポンプユニット２００に直接連結され、ポンプユニット２００に直接洗浄流体を供給する洗浄ユニット３００と、を含む。 （もっと読む）

半極性窒化物薄膜の欠陥低減に関する横方向成長方法を開示する。工程ステップは半極性窒化物の面および組成を選択するステップと、半極性窒化物の面および組成の成長に適した基板を選択するステップと、半極性窒化物が基板のある領域上では核生成し、基板の他の領域上では核生成しない選択成長工程を適用するステップとを含み、選択成長工程は横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＬＥＯ）法、側壁利用の横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＳＬＥＯ）法、カンチレバー・エピタキシー法あるいはナノマスキング法による窒化物材料の横方向成長を含むことを特徴とする。
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【課題】 複雑な工程を必要とせず、高品質の３−５族窒化物半導体積層基板、３−５族窒化物半導体自立基板及び高性能の半導体素子を容易に得ること。
【解決手段】 下地基板１１上に無機粒子１３を用いて選択成長により形成された３−５族窒化物半導体結晶１４を備えて成る３−５族窒化物半導体積層基板１において、下地基板１１と無機粒子１３との間に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を設ける。下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上に無機粒子１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離することにより、３−５族窒化物半導体自立基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】より高輝度の半導体発光素子、その製造に使用する自立基板、及びより簡便な方法で下地基板から独立した自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】自立基板、その製造方法及び半導体発光素子を提供する。自立基板は、半導体層と無機粒子を含み、かつ無機粒子は半導体層に含まれる。自立基板の製造方法は、次の工程(a)〜(c)をこの順に含む。(a)基板上に無機粒子を配置する工程、(b)半導体層を成長させる工程、(c)半導体層と基板を分離する工程。半導体発光素子は、前記の自立基板、伝導層、発光層及び電極を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁体である基板が有するトレンチ内にメッキ法により金属、特に銅を埋め込む際のシード層になるとともに、金属原子の絶縁膜へのマイグレーションを防止するバリア層の役割をも果たし、かつ、絶縁体との密着性に優れた金属膜を簡易に形成する方法を提供する。
【解決手段】コバルト化合物、ルテニウム化合物及びタングステン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物の膜が形成された基体上の金属化合物を昇華させ、当該昇華気体を金属膜を形成するための基体に供給して分解し、それにより基体の表面に金属膜を形成する方法。 （もっと読む）

【課題】半導体堆積室において形成された堆積残渣で汚染されているツール部品を清浄化する方法を提供すること。
【解決手段】ツール部品の清浄化方法が、堆積残渣で汚染されたツール部品を半導体堆積室から取り出すことと、ツール部品をオフラインのガス反応室に案内することと、堆積残渣を揮発性種に変換するための条件下、ツール部品に反応性ガスを接触させることと、オフラインのガス反応室から揮発性種を除去することと、堆積残渣を本質的に有しないツール部品をオフラインのガス反応室から回収することと、ツール部品を半導体堆積室で使用することとを含んでなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上にカーボンナノ構造体を形成する方法及び装置であって、大面積基板へのカーボンナノ構造体の形成が可能であり、しかも、従来より安価にカーボンナノ構造体を形成できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により基板上にカーボンナノ構造体を形成する方法及び装置である。触媒表面ｃｓを有する基板Ｓ、或いは触媒表面を有しないがカーボンナノ構造体を形成できるシリコン基板等の基板を真空容器１内に設置し、容器１内に炭素含有ガスを含むガス（例えばメタンガス及びキャリアガスとしての水素ガス、或いはメタンガス）を導入するとともに容器１内ガス圧をカーボンナノ構造体形成のための圧力に設定するとともに基板を加熱し、容器１内に設置された高周波放電アンテナ２に高周波電力を印加することで設定圧力下に導入ガスから誘導結合プラズマを発生させ、誘導結合プラズマのもとで基板にカーボンナノ構造体を形成する。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼からなる装飾品で、耐食性が高く、ニッケルの溶出が極めて少なく、耐傷付き性に優れた白色被膜を有する装飾品を提供すること。
【解決手段】ステンレス鋼からなる装飾品用基材と、該基材表面に湿式メッキ法で形成されたバリアー層と、該バリアー層の表面に乾式メッキ法により形成された下地層と、該下地層の表面に乾式メッキ法により形成された耐摩耗層、および該耐摩耗層の表面に乾式メッキ法により形成された最外層からなる発色層とから構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）