【課題】酸化性ガスと還元性ガスとを用いることによって、設備コストの大幅な上昇を招来することなく、石英製の構成部材の表面から不純物金属、特に銅を除去することが可能なクリーニング方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４と、処理容器内で被処理体を支持するための支持手段６と、被処理体を加熱する加熱手段２４と、処理容器内へ所定のガスを供給するガス供給手段２８とを有すると共に、各構成部材の内の少なくとも１つが石英製になされて被処理体に対して所定の処理を施すようにした処理装置のクリーニング方法において、処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとを供給して両ガスを反応させることによって石英製の構成部材をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、微細な開口部内に柱状電極を良好に形成する。
【解決手段】 まず、半導体ウエハ２１上に形成された保護膜５の上面に配線７を形成する。次に、配線７を含む保護膜５の上面に例えば感光性ポジ型のポリイミド系樹脂からなるオーバーコート膜１０を形成する。次に、配線７の接続パッド部に対応する部分におけるオーバーコート膜１０に、フォトリソグラフィ法により、円形状の開口部１１を形成する。ここで、配線７上におけるオーバーコート膜１０の厚さは１０μｍ程度であり、開口部１１の直径は１０μｍ程度である。次に、オーバーコート膜１０の開口部１１内の配線７の接続パッド部上面に、塩化金属還元気相成長（ＭＣＲ−ＣＶＤ：Metal Clloride Reduction Chemical Vapor Deposition）法と呼ばれる金属成膜法により、銅からなる柱状電極１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板に膜を形成する場合、クリーニングために大気開放することなく、高い稼働率で、連続的に膜を形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、基板を搬送する第１の搬送手段と、チャンバ内に設けられ、基板の搬送方向の直交方向に回転軸を有し、かつ直交方向での基板の長さよりも長く、基板が表面の所定の領域に巻き掛けられる回転可能なドラムと、ドラム上の基板を搬送する第２の搬送手段と、ドラム上の基板の表面に気相成膜法により膜を形成する成膜部と、チャンバ内を所定の真空度にする真空排気部と、ドラムで基板がない領域に隙間を設けて配置された電極と、この電極に高周波電圧を印加する第１の高周波電源部と、隙間にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、成膜部による成膜時に隙間にクリーニングガスを供給させ、電極に高周波電圧を印加させる制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】ノズルの先端部への生成物の付着を低減し、かつ生成物のクリーニングが容易にできるエピタキシャル成長炉とその運転方法を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル１４が、半導体ウエハ１の直径幅にわたり材料ガス２及びキャリアガス３を成長対象表面に沿って噴出するメインノズル１５ａと、半導体ウエハの直径幅にわたりメインノズルの外表面に沿って材料ガスと同一方向にキャリアガス３を噴出するサブノズル１５ｂとを有する。成膜時に、成長対象表面に沿って、メインノズル１５ａから所定の材料ガス２及びキャリアガス３を、サブノズル１５ｂからキャリアガス３を、それぞれ上部から下部へ層流状態で流してエピタキシャル層を形成させ、クリーニング時に、成長対象表面に沿って、メインノズル１５ａ及びサブノズル１５ｂからクリーニングガス４を、それぞれ上部から下部へ流してメインノズル１５ａの内面と外面の生成物を分解除去する。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上させた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被処理物表面にＰＶＤ法によりバリアメタル膜を形成する工程と、このバリアメタル膜表面にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成する工程と、前記バリア膜及びＣｕ膜を積層したものを所定温度で熱処理する工程とを実施する。前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板にカーボン保護膜を成膜する際に、基板を保持するキャリアに堆積するカーボン膜を効果的に低減し、堆積膜の剥離に伴うパーティクルの発生を抑制し、かつ、キャリア表面のカーボン堆積膜を発生源とするアウトガスの放出を抑制する。
【解決手段】成膜用基板をキャリアに装着して、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、前記チャンバ内で、前記成膜用基板上に、少なくとも磁性膜とカーボン保護膜とを成膜することによって、磁気記録媒体を製造する方法において、前記キャリアから成膜後の磁気記録媒体を取り外す工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。また、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を、回転磁界によるアシストを用いたマグネトロン放電によるスパッタ法で行う。 （もっと読む）

【課題】作成される薄膜中への不純物の混入を防止する発熱体を用いた化学蒸着方法の提供。
【解決手段】処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により１５００〜１９００℃程度の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。発熱体３はタングステン等の高融点金属のワイヤーであり、薄膜作成時の温度以上の２０００〜３０００℃程度の温度に１×１０^−６〜１Ｐａ程度の真空中で５分以上維持する高温処理が施された後、処理容器１内に取り付けられている。発熱体３の成形時等に混入した重金属が高温処理により予め放出され、薄膜中への混入は１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｃを下回る。 （もっと読む）

【課題】結晶性や配向性が良好な多元系金属酸化物膜を得ることが可能な被処理体の処理方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化対象となる金属膜が形成されている被処理体Ｗの表面に、複数の有機金属原料を用いて多元系金属酸化物膜を形成するようにした被処理体の処理方法において、前記金属膜が形成されている前記被処理体に対して第１のチャンバ４ａ内で酸化処理を施すことにより前記金属膜を酸化して金属酸化膜１００を形成する酸化工程と、前記金属酸化膜が形成された前記被処理体に対して前記第１のチャンバ４ａとは異なる第２のチャンバ４ｂ、４ｃ内で成膜処理を施すことにより前記金属酸化膜上に前記多元系金属酸化物膜を形成する成膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 非製品用基板を用いずに処理室内の状態安定化処理を実行可能とすることで，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省き，製品用基板の処理のスループットを向上させる。
【解決手段】 処理室２０２内でウエハＷのプロセス処理を開始するのに先立って，サセプタ２０５にウエハＷを載置しない状態で，処理室内に所定のガスを供給しながら処理室内の排気を行って，サセプタ２０５に高周波電力を印加して，処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ成長プロセスにおいて発生するイオン種を遮蔽する部材からのエッチング生成物をなくしたリモートプラズマＣＶＤ装置及びＣＮＴ成長方法の提供。
【解決手段】リモートプラズマＣＶＤ装置１において、処理基板Ｓがプラズマに曝されないように、プラズマ発生領域Ｐと処理基板Ｓとを離間すると共に、プラズマ発生領域Ｐと基板ステージ３との間に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ及びＷＣから選ばれた物質で構成されているメッシュ状の遮蔽部材５を設ける。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給用ノズルを効果的に清浄化することが可能なノズル清浄化用カバー等を提供する。
【解決手段】 少なくとも、反応容器と、該反応容器内に配置され、ウエーハを載置するサセプタと、該サセプタを加熱する加熱手段と、前記反応容器中に突出し、該反応容器中にガスを供給するためのノズルとを具備する気相成長装置に用いられる、少なくとも清浄化作業時に前記ノズルを接触することなく包囲するように配置されるノズル清浄化用カバーであって、該ノズル清浄化用カバーは、前記ノズルを包囲する管状の包囲部と、該包囲部の下端から延びて前記サセプタに接触する台座部を有し、該台座部は、前記加熱手段により加熱された前記サセプタからの熱伝導により加熱され、該加熱された台座部からの熱伝導により前記包囲部が加熱されるものであるノズル清浄化用カバー。 （もっと読む）

【課題】フィルムの成膜途中のフィルムに影響を与えることなくセルフクリーニングを実行することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置２０は、成膜部２３Ａに隣接して高周波電極３３のプラズマクリーニングを行うクリーニング部２３Ｂ１，２３Ｂ２が配置されているとともに、成膜部２３Ａとクリーニング部２３Ｂ１，２３Ｂ２との間において高周波電極３３を移動させる移動手段を備えることで、成膜部２３Ａにおいて使用した高周波電極３３をクリーニング部２３Ｂ１，２３Ｂ２に移動させて当該高周波電極３３のプラズマクリーニングを行うようにしている。これにより、成膜部２３Ａに滞在するフィルムＦを汚染することなく高周波電極３３のプラズマクリーニングを実行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、下地基板の上に第１バッファー層を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層の上に、複数の開口を有するマスクを形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】
処理室に収納した基板にプラズマを用いて所定の処理を行う基板処理装置に於いて、金属製部材から発生する金属原子を低減させ、基板の金属汚染を抑制する。
【解決手段】
処理室１６に収納した基板１５にプラズマを用いて所定の処理を行う基板処理装置に於いて、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段９と、処理ガス中にプラズマ領域２４を生成するプラズマ発生手段３，４と、前記処理室から処理ガスを排気する排気手段２２と、前記処理室で基板を保持する基板保持台１７とを具備し、前記処理室にシーズニング用ガスを供給しプラズマを発生させるシーズニング工程と、前記処理室でダミー基板に前記基板処理を行うダミーラン工程とを実施する様構成した。
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【課題】均一性の良い結晶膜を短時間で得ることができる技術である、スパッタ法と、良好な結晶性の膜を制御性良く形成することができるＭＯＣＶＤ法を併用することにより、安定して良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を得る。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる多層膜構造を成膜させる方法において、該多層膜構造は少なくとも基板側から下地層および発光層を含み、該下地層をスパッタ法で成膜し、かつ、該発光層を有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）で成膜する工程を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】複数の金属部材を重ね合わせて構成され、基板に対して例えば成膜ガスを供給可能なシャワーヘッドにおいて、各ガス流路の洗浄を容易に行うこと及び反応生成物の発生を抑えること。
【解決手段】ニッケルよりなる金属板を三段に積み重ねて構成したシャワーヘッドを用意し、ボルトによる仮止めを行ってチャンバ内に設置する。次いでチャンバ内の載置台及びシャワーヘッド上面に設けられる両ヒータにて加熱を行うと、金属板同士の各接触面の微小な凹凸が融解し始め、この融解箇所から接触面同士が金属拡散結合していく。そしてボルトを外しても金属板が分離しない程度まで加熱を継続することでそれまで接触面に存在した隙間が解消され、接触面全体が気密に接合する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、圧力調整弁の自動制御をチャンバー内の圧力から行えるようにした新規な気相成長装置における排気部（バルブの圧力調整弁付近）のクリーニング方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明の気相成長装置における、バルブ１０５の圧力調整弁付近に付着した反応副生物１１０のクリーニング制御は、反応副生物１１０の量の変化による、圧力調整弁の角度で決定し、その圧力調整弁の角度が成膜前と略等しくなった時、クリーニング完了とすることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ廉価なプロセスで設けられる中間層により、基材との密着性に優れると共に耐剥離性、耐摩耗性および低摩擦性に優れた炭素膜を工業的に有利に製造できる方法を提供する。
【解決手段】金属基材側ほど金属成分濃度が高く、炭素膜側ほど非金属成分濃度が高くなるような濃度勾配を有する中間層を介して、金属基材上に設けられた炭素膜の製造方法において、該中間層を物理的気相成長法と化学的気相成長法との組み合わせにより調製する。 （もっと読む）

【課題】金属製マスクの利点を維持した状態で、マスクの洗浄にプラズマＣＶＤ装置を使用しても寿命を延ばすことができるプラズマＣＶＤ用マスクを提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ用マスク１１は、外形が矩形に形成された金属製マスク本体１２と、金属製マスク本体１２の周縁上に配置されたセラミック製のカバー１３とを備えている。カバー１３はアルミナ製である。プラズマＣＶＤ用マスク１１は、洗浄ガスが、チャンバー内に配置されたプラズマＣＶＤ用マスク１１の側方からチャンバー内に供給されるプラズマＣＶＤ装置を使用して洗浄が行われる。 （もっと読む）

【課題】 ギャップ充填性能が改善された、プロセスチャンバ内に配置された基板上に酸化シリコン膜を堆積させる方法が提供される。
【解決手段】 ハロゲン源、フルーエントガス、シリコン源、酸化ガス反応種を含むプロセスガスがプロセスチャンバに流し込まれる。少なくとも１０^１１イオン/ｃｍ^３のイオン密度を有するプラズマがプロセスガスから形成される。酸化シリコン膜が、１.０％未満のハロゲン濃度で基板の上に堆積される。酸化シリコン膜は、同時堆積成分とスパッタリング成分を有するプロセスを用いてプラズマにより酸化シリコン膜が堆積される。プロセスチャンバへのシリコン源の流量に対するプロセスチャンバへのハロゲン源の流量は、実質的に０.５〜３.０である。 （もっと読む）