【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、被形成体を保持するのに用いられる治具の耐久性を向上させる。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いてＩＩＩ族窒化物半導体の層を化合物半導体基板の被形成面に形成するＭＯＣＶＤ装置において、化合物半導体基板を保持する基板保持体３０を、ＳｉＣで形成された本体部３１と、Ｓｉ₃Ｎ₄で形成され、本体部の外周面の少なくとも一部を覆うように設けられる被覆部３２とで構成し、被形成面が外側を向くように化合物半導体基板を凹部３０ｂに取り付け、基板保持体３０をＭＯＣＶＤ装置の反応容器内に回転可能に取り付け、反応容器内にＩＩＩ族窒化物半導体の原料ガスを供給してＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法により発生し反応管内面に付着する副生物（タール、煤）を除去するために要する熱エネルギーを削減することができ、しかも、熱分解に要する処理時間を短縮することができる方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法を利用してカーボンナノチューブを製造した後に反応管（１ａ）の内面に付着している副生物を除去する方法であって、空気ボンベ（６）から供給された空気（Ａｉｒ）によりオゾン発生装置（１１）で発生させたオゾンガスを管状炉（１）内に導入して、オゾンガスの存在下に反応管（１ａ）に付着した副生物を加熱分解処理する。 （もっと読む）

【課題】装置から取り外せない部分におけるパーティクルの発生を抑制するためにかかる時間とコストを低減する。
【解決手段】連通部１０８、ガス導入部１０９，および排気連通部１１０などの、成膜部１０３に連通する空間に接する面に、金属溶射被覆部１３１を備える。例えば、金属溶射被覆部１３１は、シール部１１４の領域にも形成されている。金属溶射被膜部１３１は、例えば、アルミニウムを溶射することで形成したものであり、例えば、中心線平均粗さＲａが１０〜２０μｍ程度に形成されている。また、金属溶射被膜部１３１は、膜厚５０μｍ程度の形成されている。 （もっと読む）

【課題】膜特性の優れた堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】減圧可能で内部に基体１０２を設置可能な反応容器部１０１および、反応容器部１０１との間を開口および閉口する弁体を有するゲートバルブ部１３０からなり、弁体により反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を開口して、反応容器部１０１の中に基体１０２を搬入し、堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、ゲートバルブ部は、弁体を摺擦することが可能な摺擦部材と、弁体が反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を閉口している位置から開口している位置に移動する際に、弁体と摺擦部材を摺擦させるか否かの選択可能であって、摺擦させる場合に、摺擦部材が弁体を摺擦することによって、弁体に付着した異物を除去し、さらに除去した異物を反応容器部１０１の中へ落とすことが可能な摺擦機構を有する。 （もっと読む）

【課題】相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。
【解決手段】単層構造の層間絶縁膜である第３の絶縁膜１０７は複数の空孔１２０を有している。第３の絶縁膜１０７における単位体積当たりの空孔占有率は膜厚方向に変化している。 （もっと読む）

【課題】適正に脱ガス処理を行うことができる真空処理装置の脱ガス装置、真空処理装置の脱ガス方法および真空処理装置を提供することである。
【解決手段】ワークＷを処理する真空チャンバ２が真空配管３２を介して真空吸引装置３１に接続された真空処理装置１に組み込まれ、真空吸引装置３１と協働して、真空処理装置１の装置内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置１の脱ガス装置であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源１６に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ２に供給する加熱ガス供給装置１２と、真空吸引装置３１の上流側近傍の真空配管３２に介設され、真空吸引装置３１に吸引されるキャリアガスを冷却するガス冷却装置３３と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置に機能に影響を及ぼすことなく、脱ガス機能を簡単に附加することができる真空処理装置の脱ガス処理装置および真空処理装置を提供することである。
【解決手段】ワークＷを処理する真空チャンバ２に接続され、真空チャンバ２の内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置１の脱ガス処理装置６であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源３６に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ２に供給する加熱ガス供給装置２１と、吸着ガスと反応した後のキャリアガスを、真空チャンバ２から吸引し処理するガス処理装置２２と、加熱ガス供給装置２１と真空チャンバ２とを接続するガス供給配管２３と、真空チャンバ２とガス処理装置２２とを接続するガス排気配管２４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げおよびメンテナンス後の初期金属汚染量を低減することを可能とするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】新規装置立上げ工程および／またはメンテナンス後再稼働工程後における製品ウエハ生産処理（本処理）工程前に、初期金属汚染防止工程を設ける。初期金属汚染防止工程は、処理室内に設けられたサセプタにプロダクトウエハを載置しないで処理室に窒素ガスを含むガスを供給しつつプラズマ放電するステップと、処理室内に設けられたサセプタにプロダクトウエハを載置しないで処理室に酸素ガスを含むガスを供給しつつプラズマ放電するステップと、で構成し、窒素プラズマ処理ステップおよび酸素プラズマ処理ステップを初期金属汚染の状況に応じて繰り返して実施する。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩにおける酸化シリコン部材によるトレンチ埋め込み工程においては、一般に、ＨＤＰ−ＣＶＤにより、成膜とスパッタ・エッチを同時的に進行させることで、酸化シリコン系の埋め込み絶縁膜の平坦化を計っている。しかしながら、６５ｎｍプロセス・ノード等の微細製品では、近接したトレンチを均一の埋め込むことが、ますます困難となっている。従って、近接したトレンチ配列部分をより均一に埋め込むことができる技術が待望されている。
【解決手段】本願発明は、近接したトレンチ配列部分をＨＤＰ−ＣＶＤによる酸化シリコン系の埋め込み絶縁膜によって埋め込む際に、成膜ステップとエッチング・ガスを含むガス雰囲気中でのエッチングを交互に繰り返すことによって、平坦な埋め込み特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】埃や生成物が残留する懸念がなく、高品質の薄膜を形成させることが可能であり、かつ製造コストやメンテナンスコストが低いＣＶＤ装置を開発する。
【解決手段】基体受取・払出し装置２と、成膜チャンバー群３と、移動用チャンバー５及びチャンバー移動装置３２によって構成される。成膜チャンバー１５の成膜室出入口には気密性を有するシャッターが設けられているが、移動用チャンバー５の収納室出入口は常時開放である。チャンバー移動装置３２によって基体受取・払出し装置２の位置に移動用チャンバー５が移動し、基体キャリア７２を、移動用チャンバー５側に移送する。またチャンバー移動装置３２によって移動用チャンバー５を成膜チャンバー１５と接合し、基体キャリア７２を、成膜チャンバー１５に移動させる。 （もっと読む）

【課題】高密度のゲッタリングサイトが形成された基板上に良質のエピタキシャル層を形成することができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板の表面に有機膜を形成する工程と、該有機膜を通してイオン注入することによって前記シリコン単結晶基板にイオン注入層を形成する工程と、前記有機膜を除去する工程と、前記有機膜を除去された表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性を有する下地の上に、所望とする箇所に再現性がよい状態で、より容易にグラファイト膜が形成できるようにする。
【解決手段】酸化シリコン（ＳｉＯ₂）からなる絶縁性基板１０１の上に、平面視で長さ５μｍ，幅１μｍ，高さ（膜厚）４０ｎｍの基準パタン１０２が形成された状態とする。次に、基準パタン１０２が形成された絶縁性基板１０１を、よく知られた熱ＣＶＤ装置の処理室内に搬入し、８５０℃に加熱し、原料ガスとしてエタノールガスを供給する。例えば、エタノールガスを３０分程度流す。これらのことにより、基準パタン１０２の周端の段差部より、グラファイト膜１０３が形成される。 （もっと読む）

本発明は基本的には、バッキングプレートにガス供給源から離れた位置で 接続されるＲＦ電源を有するプラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む。ガスを前記処理チャンバに、前記ＲＦ電源から離れた位置で供給することにより、前記処理チャンバに至るガスチューブ内での寄生プラズマの発生を低減することができる。前記ガスは、前記チャンバに複数の位置で供給することができる。各位置では、前記ガスは、前記処理チャンバに前記ガス供給源から、リモートプラズマ源だけでなくＲＦ絞り部またはＲＦ抵抗部を通過させることにより供給することができる。
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【課題】簡便な製法により従来よりもバリア性が高い有機無機積層型のバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム支持体上に、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層とを有するバリア性積層体を製造する方法において、支持体にバイアスを印加しながら前記有機層をスパッタリング法によって成膜する。 （もっと読む）

【課題】リフターピンとピン挿通孔の間へのガスの回り込みによる堆積物の付着などの不具合を軽減することのできる新規の被処理体の昇降機構及びこれを備えた処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体の昇降機構は、処理容器内にて処理される被処理体を載置する載置台３８に上下方向に貫設されたピン挿通孔５０′と、該ピン挿通孔５０′に対して昇降自在に挿通されるリフターピン７２と、該リフターピン７２を駆動して前記ピン挿通孔５０′から前記リフターピン７２を出没動作させる駆動手段とを有し、前記リフターピン７２の出没動作によって前記被処理体を昇降可能とした被処理体の昇降機構において、前記リフターピン７２の外周面若しくは前記ピン挿通孔５０′の内周面に軸線方向の所定範囲に亘って伸びる表面溝７２ｘが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グラファイト基板上にダイヤモンド層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド層を、ＣＶＤプロセスによりグラファイト基板に安定的に付着させることができ、この際、グラファイト基板を、ＣＶＤプロセスの前に、以下の前処理工程に供する。エッチングガス雰囲気中において、真空中、＞５００℃、好ましくは＞８００℃の温度で表面を洗浄し、固着していない粒子を機械的に除去し、微小のダイヤモンド粒子により、前記基板の表面に播種し、および、吸着された炭化水素および吸着された空気を除去するために、Ｔ＞５００℃、好ましくはＴ＞７００℃の温度Ｔで、真空中での少なくとも１回の脱気処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】繰り返し使用されるアモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーを磨耗劣化させることなく、またビーズなどの画像欠陥の原因となるものを使用せず基体ホルダーに付着した物質を効果的に除去可能な基体ホルダー処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーに付着した物質を、パルスレーザー光を照射して除去する工程を含むことを特徴とする基体ホルダーの処理方法。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性で摩擦の少ない多層構造体を提供することである。
【解決手段】硬質材料個別層と、炭素個別層またはシリコン個別層との交互の層からなる多層構造体であって、前記硬質材料個別層は、金属、金属炭化物、金属ケイ化物、金属炭化ケイ化物、金属ケイ化窒化物、金属炭化物含有炭素、金属ケイ化物含有シリコン、または前記物質の少なくとも２つからなる含有物であり、前記金属は、タングステン、クロム、チタン、ニオブおよびモリブデンの群から選択され、前記炭素個別層は、非結晶水素含有炭素、非結晶水素無含有炭素、シリコン含有炭素、または金属含有炭素からなる、ことを特徴とする多層構造体。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に設けられた金属部材の腐食を抑制する。
【解決手段】 基板上に高誘電率膜を形成する処理を行う処理室と、高誘電率膜を形成するための処理ガスを処理室内に供給する処理ガス供給系と、処理室内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去するフッ素系ガス以外のハロゲン系ガスを含むクリーニングガスを処理室内に供給するクリーニングガス供給系と、を有し、処理室内には金属部材が設けられ、金属部材の少なくともクリーニングガスが接触する表面にはＤＬＣ膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板不良が発生するのを未然に回避する。
【解決手段】基板処理装置１００は、反応容器２０３、ガス供給管韓３１２、排気管２３１、圧力計器４２０，５２０、排気装置２４６、コントローラ２４０を備える。コントローラ２４０は、ウエハ２００の処理に先立ち、反応容器２０３内を排気させ、反応容器２０３内の圧力を所定の設定圧力値とした際に計測される第１の圧力値を基準値とし、前記基準値より小さい所定の第１の圧力範囲と前記基準値より大きい所定の第２の圧力範囲とを予め設定する。コントローラ２４０は、ウエハ２００の処理後に、再度反応容器２０３内を排気させ、反応容器２０３内の圧力を前記設定圧力値とした際に測定される第２の圧力値が前記第１の圧力範囲より低い圧力値となった場合と前記第２の圧力範囲より大きい圧力値となった場合とで、互いに異なる是正処理を実行する。 （もっと読む）