【課題】密着性が高く、膜質が優れた膜を連続的に形成することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺な基板を真空中で所定の経路で搬送しつつ、基板に所定の膜を形成するものであって、基板を搬送しつつ、基板の膜を形成する形成面に粘着体を接触させ、形成面の汚れを取り除く除去部と、除去部により、汚れが取り除かれた基板の形成面に表面活性化処理を施す表面活性化処理部と、表面活性化処理部により表面活性化処理された基板の形成面に、気相成膜法により膜を形成する成膜部とを有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子用カバー部材について、α線の放射量を少なくでき、さらに欠陥（異物）による画像不良の問題も少なくできる薄膜形成方法、固体撮像素子用カバー部材の製造方法、およびその製造方法により製造されたカバー部材と固体撮像素子とを備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】有機金属材料を原料とするＣＶＤ法により、固体撮像素子に対向するカバー部材表面に光学薄膜を形成する。この方法により得られた光学薄膜は、α線放射量が少ないだけでなく、カバー部材本体からのα線も遮蔽する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度が向上するとともに基材と被覆層との密着性が向上した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、超硬合金からなる基材とそれを被覆する１層以上の被覆層とを備え、該基材は、その表面部にＷとＣｏとの複炭化物を主成分とする、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の表面層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大気圧下での多湿放電を使用し、処理対象物の表面を損傷することなく、かつ低コストでの表面処理を実現できる大気圧放電表面処理装置を提供することにある。
【解決手段】例えばＯＨラジカルなどの活性種を使用して、ガラス部材などの処理対象物１０に対する表面処理を行なう大気圧放電表面処理装置１において、水分を含む多湿化ガス１２を処理対象物１０の表面に吹き付けるブロア７及び放電プラズマ１１を発生する高電圧電極２を有する大気圧放電表面処理装置である。 （もっと読む）

【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）

【課題】最内面に蒸着膜が形成されたプラスチックボトルの再利用方法であって、内容物が接触する最内面を新規に形成し直すことが可能なプラスチックボトルの再利用方法を提供することである。
【解決手段】最内面に蒸着膜が形成されたプラスチックボトルの再利用方法であって、前記蒸着膜を除去した後、新たな蒸着膜を最内面に形成することを特徴とする再利用方法。 （もっと読む）

本発明は概して、クリーンかつダメージのない表面を半導体基板上に形成するための装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、エピタキシャル層を形成する前にプラズマ洗浄プロセスに基板の表面を暴露するように適合された洗浄チャンバを含有するシステムを提供する。一実施形態において、洗浄プロセスを基板に実施する前に、該洗浄チャンバの内部表面にゲッタリング材料を堆積することによって、該洗浄チャンバで処理された基板の汚染物を減少するための方法が用いられる。一実施形態において、酸化およびエッチングステップが洗浄チャンバにおいて基板に繰り返し実施されて、エピタキシャルを配置可能な基板にクリーンな表面を暴露および生成する。一実施形態において、低エネルギプラズマが該洗浄ステップ時に使用される。 （もっと読む）

【課題】 密着性の優れた硬質被膜を持つ切削工具の製造装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器と、その内部には設置された基板取付具とを有する。基板取付具は、基板台と、基板台の上面から立設された支柱と、支柱に対し絶縁支持されて、水平に長い陰極棒と、陰極棒を円中心としてその周りを囲むように設けられた円筒状陽極とを含む。支柱の上端に水平に長い支持筒が取り付けられ、支持筒内に絶縁被覆を介して陰極棒支持される。陰極棒の末端付近で支持筒から末端側に突出し、該突出端に絶縁リングを介してキャップがはめ込まれ、該キャップを貫通したボルトが陰極棒の末端面にねじ込み固定される。陰極棒の前記支持筒より先端側において、絶縁スペーサに挟まれて１または複数の処理物が挿入され、絶縁押し込みカラーを介してキャップがはめ込まれ、該キャップを貫通したボルトが陰極棒の末端面にねじ込まれて固定される。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子などの半導体装置を得ることが可能なＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板は、主表面を有するＧａＮ基板であって、主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］に対応するベクトルＡＢを、互いに異なる２つのオフ角θ１およびθ２だけ傾斜させたベクトルＡＤの方向に傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】 表面の平坦化が図られたＧａＮ基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。中間層２４はＡｌＧａＮからなり、このＡｌＧａＮは、汚染物質が付着している領域を含む主面１４ａの全域に成長する。そのため、中間層２４は基板１４上に正常に成長しており、その成長面２４ａは平坦である。このように中間層２４の成長面２４ａが平坦であるため、中間層２４上にエピタキシャル成長される上層２６の成長面２６ａも平坦となっている。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ化学気相成長法及び中空陰極技術を用いて内面に堆積される高ｓｐ³含有非晶質炭素被膜の形成方法に関する。この方法により、硬度、ヤング率、耐摩耗性及び摩擦係数などのトライボロジー的性質、並びに屈折率などの光学的性質の調整が可能になる。更に、得られた被膜は均一かつ優れた耐食性を備えている。圧力、ダイアモンドイド前駆体の種類及びバイアス電圧を制御することにより、この新しい方法は、ダイアモンドイド前駆体が基材との衝突によって完全に分解することを防止する。ダイアモンドイドは、高圧下で高ｓｐ³含有膜を生じるｓｐ³結合を有する。これによりダイアモンドイド前駆体を用いない場合に比べて、堆積速度を速めることができる。
（もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハを製造する場合に、シリコンウェーハ上に金属汚染の少ないエピタキシャル層を気相成長させることが可能となり、金属汚染レベルが低減されたシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができ、製品品質レベル、生産性の向上を図ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、製品製造前に実際の製品製造条件のうちキャリアガス流量パージガス流量との比率を変更して、シリコンエピタキシャル層を気相成長させ、該シリコンエピタキシャル層における金属汚染レベルを測定して、金属汚染レベルが相対的に低い範囲となる前記比率の条件を求め、求められた比率の範囲内の条件で製品となるシリコンエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】めっき膜と蒸着膜との間の密着性に優れためっき／蒸着複合膜及びその製造方法、並びにパワー半導体モジュール装置を提供すること。
【解決手段】めっき／蒸着複合膜１は、めっき膜１１上に蒸着膜１２を形成してなる。めっき膜１１の定常領域における最も組成比が高い第１成分元素の組成比をＡ₁（ａｔ％）、２番目に組成比が高い第２成分元素の組成比をＡ₂（ａｔ％）とした場合、めっき膜１１の成分元素と蒸着膜１２の成分元素とが混在する拡散領域における組成比の変化をめっき／蒸着複合膜１の積層方向に見た場合に、めっき膜１１の第１成分元素の組成比が０．１Ａ₁（ａｔ％）となる位置とめっき膜１１の第２成分元素の組成比が０．１Ａ₂（ａｔ％）となる位置との間の距離である拡散差距離は、５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高温下の還元性ガス（特に、アンモニア、水素、炭化水素ガスなど）に対して、優れた耐食性および耐熱衝撃性を有する炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素基材１と、前記炭素基材１上に形成されかつ（２２０）面に配向した炭化タンタルの結晶から実質的になる被覆膜２とを有する、炭化タンタル被覆炭素材料１０。被覆膜２のＸ線回折パターンにおいて、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度が最大の強度を示しかつ２番目に大きな強度の回折強度の４倍以上の強度を示し、また、好ましくは、炭化タンタルの（２２０）面に基く回折強度の半価幅が０．２°以下である。
（もっと読む）

【課題】表面が平坦化されたＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１１は、研磨された表面が、少なくともＮＨ₃ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度１０２０℃以上で１０分以上熱処理されることにより、研磨により微細な欠陥が多数形成された基板１１表面において、原子再配列がおこなわれ、基板１１表面が平坦化される。その結果、ＧａＮ単結晶基板１１の表面の平均自乗平方根粗さが０．２ｎｍ以下となり、表面が１原子層に対応したステップとテラスを有するので、この基板１１上に形成するＧａＮエピタキシャル層１２の表面を平坦にすることができる。 （もっと読む）

【課題】異物数に基づいて適切な洗浄時期を判定できる、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置及び洗浄時期予測プログラムを提供する。
【解決手段】測定回路９は、真空処理室１の内壁と真空処理室１内に生成されたプラズマ１３との間の電荷量に応じて変動するアンテナバイアス電圧を計測する。取得されたアンテナバイアス電圧は、統計値に変換された後、当該が取得されたプラズマ処理により被処理物に付着した異物の数と対応づけて統計値記憶部２３に格納される。対応関係算出部２４は、複数回のプラズマ処理に対して取得され、統計値記憶部２３に格納された、アンテナバイアス電圧及び異物数から、アンテナバイアス電圧と異物数との対応関係を求める。そして、予測部２５は、対応関係算出部２４が求めた対応関係に基づいて、予め設定された規格値に異物数が到達するアンテナバイアス電圧を予測する。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド基材と、炭化物形成元素の第１の炭化層と、第１の層からの炭化物形成元素を実質的に含まないである、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はその任意の組合せ若しくは合金から選択される高融点金属の第２の層と、第２の層の金属が、オーバーコーティングの金属と異なる、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、その任意の組合せ又は合金のオーバーコーティングとを含むコーティングされたダイヤモンドに関する。本発明は、さらに、このようなコーティングされたダイヤモンド及びこのようなコーティングされたダイヤモンドを含む研磨材含有工具の製造方法に関する。
（もっと読む）

【課題】 ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】 ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体を光電変換層に用いる光デバイスであり、光電変換層を構成する四面体結合される半導体の格子点サイトのゲルマニウム原子を置換するｎ型ドーパントＤまたはｐ型ドーパントＡと、前記ドーパントに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚを含み、異種原子Ｚはドーパントとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となる光デバイスである。 （もっと読む）

基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）

【課題】 低温での選択成長が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともシリコン面と絶縁膜面とを表面に有する基板を処理室内に載置し、前記処理室の外側に配置された加熱手段により前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する基板処理装置を用いて、前記シリコン面のみに選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に前記基板を搬入する基板搬入工程と、前記基板と前記基板処理室内の温度を７００℃以下の所定の温度に保ちつつ前記処理室内にジクロルシランガスと水素ガスとを供給して、前記シリコン表面に形成された自然酸化膜や不純物を除去する前処理工程と、前記処理室外へ前記基板を搬出する基板搬出工程とが含まれる。 （もっと読む）