本発明は、堆積すべき物質または前駆物質を、溶剤または移送媒体中で構造体（５ａ、７ａ）に供給することにより、基板（Ｓｕｂ）上のマイクロメカニック構造体（５ａ、７ａ）の表面上に付着防止層を堆積する方法に関する。使用される溶剤および移送媒体は超臨界ＣＯ_２流体である。前記物質または前駆物質の堆積はＣＯ_２流体の状態の物理的変化によりまたは表面と前駆物質の表面反応により行う。本発明の方法は、接続通路（１５）または穿孔ホールにより堆積すべき材料を供給することにより、構造体のカプセル化後に、空洞（１４）またはキャビティ中でマイクロメカニック構造体（５ａ、７ａ）を被覆することを可能にする。
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【課題】バリア性に優れたバリア膜を提供する。
【解決手段】真空槽内に基板を搬入して(Ｓ₁)、昇温させ(Ｓ₂)、含窒素ガスと含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し(Ｓ₃)、該一方のガスを真空排気した後(Ｓ₄)、他方のガスを導入し(Ｓ₅)、該他方のガスを真空排気する(Ｓ6)。この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ₉)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。ＣＶＤ反応を行う毎にパージガスを導入し(Ｓ₇)、真空排気すると(Ｓ₈)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体膜のエピタキシャル成長を阻害することの少ない半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなるＧａ_２Ｏ_３基板を準備（工程イ）し、沸騰する硝酸中にＧａ_２Ｏ_３基板を浸け込み、所定時間エッチング（工程ロ）し、このＧａ_２Ｏ_３基板をエタノールを用いた超音波洗浄（工程ハ）、超純水を用いた超音波洗浄（工程ニ）を行った後に乾燥する（工程ホ）。反射高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）法によりストリーク像が観察され、原子間顕微鏡（ＡＭＦ）によりＧａ_２Ｏ_３基板の表面が平滑であることが確認できた。 （もっと読む）

【目的】 不純物の残留を抑制し、バリアメタルを高純度に成膜することを目的とする。
【構成】 基体上にＴａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５を供給するＴａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５供給工程（Ｓ１０２）と、前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５におけるＴａとは異なるＣを除去するＨ_２供給工程（Ｓ１０６）と、前記Ｃが除去された前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５の吸着分子に基づいて前記ＴａＮ膜を生成するＮＨ_３供給工程（Ｓ１０８）と、を備え、前記Ｔａ［Ｎ（（ＣＨ_３）_２］_５工程とＨ_２供給工程とＮＨ_３供給工程とを繰り返すことで、前記基体上にＴａＮ膜を堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）

酸化膜形成装置（１０）の導入管（１８）には、オゾン（３２）を生成するオゾナイザ（３１）と、脱イオン水（３５）が貯留されオゾナイザ（３１）のオゾン（３２）を供給するオゾン供給管（３３）が脱イオン水（３５）の中に浸漬されてバブリングされるバブラ（３４）と、オゾン（３２）のバブリングで生成したＯＨ＊を含む酸化剤（３７）を供給する供給管（３６）とを備えた酸化剤供給装置（３０）が、接続されている。オゾンを水中でバブリングして生成したＯＨ＊を含む酸化剤は強力な酸化力を有するので、ウエハに酸化膜を比較的に低温下で短時間に形成できる。プラズマを使用せずに済むので、ウエハに先に形成された半導体素子や回路パターン等にプラズマダメージを与えるのを未然に回避できる。酸化膜形成装置のスループットや性能および信頼性を向上できる。
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【課題】 後処理の工程を経ることなくＣｌの影響をなくして不純物層等が形成されることがない薄膜作製装置とする。
【解決手段】 Ｃｕの薄膜を形成した後、Ｃｌ₂ ガス２１の供給を停止すると共に、ガスノズル１８からＡｒガス２２を供給してＡｒ^*を発生させ、基板３にＣｕ成分が成膜された後に残留するＣｌ^*とＡｒ^*とが置換される。これにより残留するＣｌ^*が再反応してコンタミ層の形成やパーティクルの形成を抑えてＣｕ層の表面を清浄に保ち、被エッチング部材１１の表面を清浄に保つ。 （もっと読む）

【課題】 温度差のある二つの部材を電気絶縁し、かつ効率良く高温部の熱を低温部へ伝達させる熱交換絶縁部材を廉価で提供する。
【解決手段】 本発明の熱交換絶縁部材は、高温部４と、高温部４より低温の低温部２と、高温部４と低温部２との境界の少なくとも一部に配置され、ＣとＳｉとを含むアモルファス炭素−珪素部材３と、を備え、アモルファス炭素−珪素部材３は、高温部４と低温部２とを電気絶縁し、かつ高温部４と低温部２とを熱交換させることを特徴とする。 （もっと読む）

基板上に多層膜／コーティングを形成する改善された気相堆積方法及び装置を開示する。本方法は、多層コーティングを堆積するために使用されるものであって、基板と直接的に接触する酸化物層の厚さが、基板の化学組成に相関するものとして制御される。これにより、後に堆積される層は、酸化物層により良好に結合される。改善された方法は、多層コーティングを堆積するために使用されるが、この多層コーティングでは、酸化物層が基板上に直接的に堆積され、有機物層が酸化物層上に直接的に堆積される。典型的には、酸化物層及び有機物層が交互に配置される一連の層を形成する。 （もっと読む）

活性材料含有コーティングを基材上で形成させる方法であって、本方法は：
ｉ）プラズマ環境内で化学結合形成反応する１種以上のガス状もしくは噴霧状液体および／または固体のコーティング形成材料、ならびに、プラズマ環境内で実質的に化学結合形成反応しない１種以上の活性材料を、大気圧〜低圧非熱平衡プラズマ放電および／またはこれから結果得られてくる励起ガス流中に導入するステップ
ｉｉ）該基材を、該基材表面上に沈着される噴霧状コーティング形成材料および少なくとも１種の活性材料の、結果的に得られてくる混合物に晒し、コーティングを形成させるステップ
を含み、ここで該基材が、ワイプ、家庭ケア用もしくは脱毛ケア用布もしくはスポンジ、または水溶性家庭クリーニング用単位用量製品でない。
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本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路の内面のフルオロカーボンリッチプラズマ前処理を伴う。
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本発明は、金属加工物上に防錆性の機能表面を形成する方法において、前記加工物に複数の層を提供し、少なくとも一層が防錆層であるようにする方法に関する。これらの層はプラズマコーティングにより単一工程で提供し、プラズマは化学物質の混合物を含む。 （もっと読む）

【課題】シード堆積プロセス１３０において、第一温度でシリコン含有表面上にゲルマニウムのシード層を堆積させることを含む方法。該シード層は、約１モノレイヤーと約１０００Åの間の厚みを有する。該方法はさらに、該シード層堆積後、温度ランププロセス１４０においてゲルマニウムを堆積し続けながら該反応チャンバーの温度を上昇させることを含む。該方法はさらに、バルク堆積プロセス１５０においてゲルマニウムを堆積し続けながら、第二温度範囲で該反応チャンバーを保持することを含む。該第ニ温度範囲は該第一温度より高い。 （もっと読む）

基板を連続的に真空洗浄する方法であって、
-汚染の点から、スパッタリング効率が低く、化学的に活性な種を選択すること、
-少なくとも１つのリニアイオンソースを用いて、スパッタリング効率の低い種を主に含むガス混合物、特に酸素をベースとしたもの、からプラズマを発生させること、
-該基板の少なくとも一の表面部を該プラズマの照射対象とし、該イオン種が、該表面部に吸着または付着した汚染を、化学反応により、少なくとも部分的に除去することを特徴とする方法に関する発明である。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において反応容器内に付着した薄膜をフッ素を含むクリーニングガスでクリーニングするにあたり、その後ウエハに対して成膜処理をおこなったときに薄膜へのフッ素の混入を抑えること。
【解決手段】反応容器内にクリーニングガスを供給しながら反応容器内の温度を検出し、クリーニングガスを供給する前の反応容器内の温度をＴ０とすると、温度検出値がピーク値Ｔｐに達したとき、あるいはその後Ｔ０＋０．５（Ｔｐ−Ｔ０）の値になるまでの間にクリーニングガスの供給を止める。この方法は温度検出値と設定値との比較により実施してもよいが、クリーニングガスの供給を開始してから設定温度になるまでの時間を予め求め、経過時間を管理することによりクリーニングガスの供給を止めるようにしてもよい。 （もっと読む）

本発明は、材料処理された基板を製造する方法に関し、ａ）少なくとも１つの基板を排気された真空容器の中へ入れ、ｂ）基板の処理されるべき表面を、その表面で吸着される反応性ガスに暴露し、ｃ）反応性ガスへの表面の暴露を終了し、ｄ）表面に吸着された反応性ガスを反応させる方法であって、ｄ₁）反応性ガスが吸着されている表面を、０ｅＶ＜Ｅ_IO≦２０ｅＶの基板表面におけるイオンエネルギＥ_IOと、０ｅＶ＜Ｅ_eo≦１００ｅＶの電子エネルギＥ_eoとで低エネルギのプラズマ放電に暴露し、ｄ₂）吸着されている反応性ガスを、少なくとも、プラズマ生成されたイオンと電子の相互作用の下で反応させることを特徴とする。 （もっと読む）