【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。
【解決手段】接続孔２０の底部にＴｉＣｌ_４ガスを用いた熱反応により熱反応Ｔｉ膜２１ａを形成し、ＴｉＣｌ_４ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂを形成した後、Ｈ_２ガスを用いたプラズマ処理及びＮＨ_３ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの表面に窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃを形成する。続いてＷＦ_６ガスを用いたＣＶＤ法による成膜とＳｉＨ_４ガスまたはＢ_２Ｈ_６ガスを用いた還元とを複数回繰り返して、窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃ上に多層構造のタングステン核膜２２ａを形成した後、ＷＦ_６ガス及びＨ_２ガスを用いたＣＶＤ法により４００℃以下の温度でタングステン核膜２２ａ上にブランケット・タングステン膜２２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】均一性の良い結晶膜を短時間で得ることができる技術である、スパッタ法をＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を作製するに際して使用し、安定して良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を得る。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる多層膜構造を成膜させる方法において、該多層膜構造は少なくとも基板側からバッファ層と下地層を含み、バッファ層と下地層をスパッタ法で積層し、かつ、バッファ層の膜厚が５ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】洗浄によりウェハに付着した水分を完全に除去し、当該基板を水分を除去した状態で成膜装置に搬送する。
【解決手段】 洗浄装置３に隣接して水分除去装置４を設ける。水分除去装置４では、ウェハＷに高温ガスを供給してウェハＷに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置４と成膜装置５、６との間の搬送部７は、ケーシング２１で覆う。ケーシング２１内には、乾燥気体を供給し、搬送部７内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置４で水分の除去されたウェハＷを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置５、６に搬送する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板Ｗの自然酸化膜を低温で除去することが可能であり、単結晶のＳｉＧｅ膜を成長させることが可能な、膜形成装置３を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗ上の自然酸化膜を揮発性物質に変換するための三フッ化窒素ガス供給手段３５および水素ラジカル供給手段３０と、シリコン基板Ｗを加熱する手段と、を備えたエッチング室２０と、シリコン基板Ｗ上にＳｉＧｅ膜を成長させるための原料ガスの供給手段５０を備えたＳｉＧｅ成長室４０と、エッチング室２０からＳｉＧｅ成長室４０に対して、シリコン基板Ｗを管理雰囲気下で移送する基板移送室１６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガス生成物の堆積を防止又はそれに耐えうることで、ウェハ製造工程のスループットを向上させたプロセスキット、プロセスキットの加熱方法等を提供する。
【解決手段】シールドを備える静電チャック用のプロセスキットは、カラー２４６と、カラー２４６の表面に配設された第１の導電材料と、カラー２４６の外側端部を取り囲むカバー２４８と、カバー２４８の表面に配設された第２の導電材料と、を備える。また、プロセスキットの加熱方法は、導電性表面を有するセラミック製のカラー２４６で電極を覆うステップと、ＲＦ源を用いて当該導電性表面を加熱するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造の金属配線形成において、バリアメタル膜形成工程を省略し、タングステンのグレインサイズを大きくし、電気抵抗の低いタングステン配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上部に絶縁膜及びグルー膜を形成する段階と、上記グルー膜及び絶縁膜の一部を除去してトレンチを形成する段階と、トレンチ側壁に絶縁膜を形成する段階と、トレンチ内部をクリーニングする段階と、ＡＬＤ法により核生成を行う段階と、トレンチ及びグルー膜を含む上記半導体基板の上部にＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する段階と、上記絶縁膜が露出されるまで研磨工程を実施してダマシン構造のタングステン配線を形成する段階からなる。 （もっと読む）

【課題】 高度なガスバリア性を有するガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】 基材フィルムの一方の面に、無機酸化物の蒸着膜を設け、更に、該無機酸化物の蒸着膜の上に、一般式Ｒ¹ _n Ｍ（ＯＲ² ）_m （ただし、式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｍ、ｎ、ｍ、ｎ＋ｍの意味は略す。）で表される少なくとも１種以上のアルコキシドと、鱗片形状二酸化ケイ素粒子と、ポリビニルアルコ−ル系樹脂及び／又はエチレン・ビニルアルコ−ル共重合体とを含有し、更に、ゾルゲル法によって重縮合して得られるガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜を設けたことを特徴とするガスバリア性積層フィルムに関するものである。 （もっと読む）

【課題】バルク全体にわたってｐ型窒化物系化合物半導体結晶の低抵抗化が可能で、しかも欠陥レベルの低い、高品質の窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。
【解決手段】窒素原料ガスとしてアンモニアと有機窒素化合物とを含有するガスが供給され、窒化物系化合物半導体膜がエピタキシャル成長される。この窒化物系化合物半導体の単一の膜の成膜プロセス中に、窒素原料ガス中のアンモニアと有機窒素化合物のモル流量を制御して、有機窒素化合物（ｘモル）とアンモニアの（ｙモル）の供給モル比（Ｒ＝ｘ／（ｘ+ｙ））を変化させる。成膜は主として供給モル比が小さな領域で行い、供給モル比が大きい領域では膜中に混入した水素が外方拡散により脱離する。また、窒化物系化合物半導体膜が所望の厚みとなるまで、上記の成膜工程と成膜中アニール工程を複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に被覆膜が形成された被覆部材において、被覆膜が炭素を主成分とする炭素系被覆膜さらには金属元素等を含む炭素系被覆膜であっても被覆膜を容易に除去できる、新規な被覆膜の除膜方法を提供する。また、被覆膜を除去した後、再び被覆膜を成膜することで、被覆部材を再生する方法を提供する。
【解決手段】本発明の被覆膜の除膜方法は、基材と、基材の表面の少なくとも一部に被覆され炭素を主成分とする炭素系被覆膜と、からなる被覆部材１０から炭素系被覆膜を除去する除膜方法であって、炭素に対して酸化作用をもつ溶融塩２を炭素系被覆膜に接触させて基材の表面に被覆された炭素系被覆膜の少なくとも一部を除去する。また、本発明の被覆部材の再生方法は、本発明の被覆膜の除膜方法を用いて被覆部材から炭素系被覆膜を除去した（１１）後に、その表面に被覆膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシンメタライゼーションにおいて、Ｃｕ配線構造のバリア材料を絶縁層の表面上のみに選択的に形成し、接続構造部のエレクトロマイグレーションを抑制するとともに、下層導電層との接続抵抗を低減する選択的堆積方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ層２０上の絶縁層１４，１５をエッチングしてトレンチとビアを開孔する。ビア底部のＣｕ層の表面１０に原子層成長（ＡＬＤ）ブロック層を形成する。この後、原子層成長（ＡＬＤ）法を用いてＴｉＮバリア材料２６を絶縁層表面１２、１３に堆積する。ブロック層により、ビア底部のＣｕ層の表面にはバリアは形成されないため、ビア底部のＣｕは露出した状態のままである。開口部内にＣｕ１８を充填するとＣｕ層に直接接続することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ方法を用いて、被処理基板の全表面にカーボンナノチューブを気相成長させる。
【解決手段】 真空チャンバー内１１に、基板ステージ１４と、プラズマ発生手段と、メッシュ状の遮蔽部材１５であって、基板ステージと同一形状かつ同一面積、又は基板ステージと同一形状かつ基板ステージより小面積の遮蔽部材１５とを設けたプラズマＣＶＤ装置１を用いて、プラズマ発生領域と被処理基板との間に、真空チャンバー１１内に発生したプラズマを遮蔽部材１５で遮蔽しながら、プラズマにより解離された原料ガスを基板ステージ１４上の被処理基板Ｓに接触させて被処理基板Ｓの全表面にカーボンナノチューブを気相成長させる。 （もっと読む）

【課題】フィルムの成膜途中でフィルムに影響を与えることなく成膜部のセルフクリーニングを実行することができる巻取式プラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】成膜部２３に原料ガスを導入してフィルムＦをプラズマＣＶＤにより成膜する成膜モードと、成膜部２３にクリーニングガスを導入して成膜部２３のプラズマクリーニングを行うクリーニングモードとを有する巻取式プラズマＣＶＤ装置であって、クリーニングモードにおいて、フィルムＦの成膜面を遮蔽する遮蔽手段として、遮蔽部３５ａと開口部３５ｂが形成された帯状体からなるクリーニングマスクを設ける。これにより、成膜途中においてもフィルムに影響を与えることなく成膜部のセルフクリーニングが実行可能となる。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、結晶成長面を下に向けた結晶成長装置でウエハーに材料ガスを供給する時に、各材料ガスの温度を別々に制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 結晶成長室内にガス冷却機構とガス加熱機構を設置して、各材料ガスを最適な温度に制御してウエハーに供給する。 （もっと読む）

【課題】密封式油圧ダンパのダイヤフラムゴム膜の放熱性を改良したガスバリヤ構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】密封式油圧ダンパのダイヤフラムを構成するゴム膜１０のガスバリヤ構造であって、上記ゴム膜１０の表面に形成されたアルミニウム薄膜１４と、該アルミニウム薄膜１４上に形成されたフレキシブルＤＬＣ膜１８とを備え、上記アルミニウム薄膜１４と上記フレキシブルＤＬＣ膜１８とが両者間に介在するアルミニウム・シリコン共晶層１６により相互に接合されていることを特徴とするガスバリヤ構造。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造装置に於ける不純物の原子層成長及び原子層ドーピングに関して、原子レベルでの制御性を向上し、又高濃度ドーピングを可能とするものである。
【解決手段】
Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面を有する基板を処理室に搬入する工程と、少なくとも前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面に不純物がドーピングされたエピタキシャル膜を成長させる工程とを有し、該エピタキシャル膜を成長させる工程は、不純物の成長とエピタキシャル膜の成長工程とを交互に所要数繰返す工程を含み、前記ドーピングは、少なくとも所要の不純物を含むドーピングガスとキャリアガスとを前記処理室に供給する工程であり、前記成長工程は少なくとも、シリコンを含むガスを前記処理室に供給する工程である。
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【課題】誘電面上に生じる電荷の中和効果を向上させ、平坦な面も曲線状の面もイオンビーム処理し得る、誘電面をイオンビーム処理する方法、および当該方法を実施するための装置を提供する。
【解決手段】カソード４の材料にグラファイトまたはボロンを使用し、かつ作動ガスとして酸素またはその混合物を使用することによって、スパッタリング生成物が被処理面１上に凝縮しなくなることで、被処理面１への汚染を最小限にする。また被処理面１へのイオン流の作用領域と、この面とトンネル状の磁界部分との交差領域とが、部分的重なるようにすることによって、被処理面１上の電荷の中和効果を向上させる。種々の形状のイオンビームを生成する加速器をイオン源２として使用することで、平坦な面も曲線状の面もイオンビーム処理できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 予備洗浄エッチングと減圧処理を含む基板を処理する方法を開示する。
【解決手段】 予備洗浄エッチング処理は、基板を処理チャンバに導入するステップと；処理チャンバにエッチングガスを流すステップと；基板の少なくとも一部をエッチングで処理して汚染された又は損傷した層を基板表面から除去するステップと；エッチングガスの流れを停止するステップと；処理チャンバを排気してチャンバ内の減圧を達成するステップと；基板表面を減圧で処理するステップと；を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光特性に優れたＧａＮ系化合物半導体を確実に製造することができるＧａＮ系化合物半導体の製造方法の提供、及びＧａＮ系化合物半導体製造用アンモニア製品及びＧａＮ系化合物半導体製造用アンモニアの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】充填容器１８と、充填容器１８内に少なくとも一部が液体となるように充填されたアンモニアを具備し、該液相のアンモニア中の水分濃度が、０．５ｖｏｌｐｐｍ以下であることを特徴とするＧａＮ系化合物半導体製造用アンモニアであって、充填容器１８の材料が、マンガン鋼またはアルミニウム合金であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬質基材に対するダイヤモンドコーティングの密着性を改善する。
【解決手段】被覆体は、超硬合金またはサーメットで硬質物質粒子（１）及び結合材（２）を構成成分とする基材と、その上に被覆される密着性のダイヤモンド層（４）とから成っている。基材の表面およびダイヤモンド層（４）の下方にある硬質物質粒子（１）の少なくとも一部は、密着性を高めるため粒内破壊型で穿孔状の凹部を有している。基材表面の硬質物質粒子が化学的工程を経て腐蝕され、粒内破壊が起きるので、窪み状または穿孔状の凹部が生成される。基材は、ＷＣおよびＣｏを主成分とする超硬合金で構成することができる。基材の機能面にはＣＶＤ法によりダイヤモンド層を被覆する。 （もっと読む）

【課題】焼入れ及び焼戻しを含む鉄含有金属材料の表面改質方法において、炭素質被膜を強固に且つ効率よく密着させる。
【解決手段】鉄含有金属材料に、焼入れ工程前に、焼入れ温度±２００℃の範囲において、炭化水素含有ガスを用いる化学蒸着法により炭素質被膜を形成し、その後に焼入れ・焼戻しを施し、必要により、焼戻し前、中、又は後に、（焼戻し温度−３００℃）〜（焼戻し温度＋１００℃）の範囲において、炭化水素含有ガスを用いる化学蒸着法によりさらに第２段の炭素質被膜を形成する。 （もっと読む）