【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の割れ（クラック）や結晶欠陥、反りの発生を抑制し、かつ生産性の向上が可能な化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１は、結晶面方位が（１１１）面であるシリコン単結晶基板１０と、シリコン単結晶基板１０上に形成され、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ単結晶（０＜ｘ≦１）で構成された第１バッファ層２０ａおよび２０ｂと、第１バッファ層２０ａおよび２０ｂ上に形成され、厚さが２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ単結晶（０≦ｙ＜０．１）で構成された第１単層３０ａと、厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ単結晶（０．９＜ｚ≦１）で構成された第２単層３０ｂとが交互に複数積層された第２バッファ層３０と、第２バッファ層３０上に形成され、少なくとも１層以上の窒化物系半導体単結晶層を含む半導体素子形成領域４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】貫通転位が少なく、平坦性の高いIII 族窒化物半導体結晶を製造すること。
【解決手段】サファイア基板１０の凹凸が設けられている側の表面に、バッファ層を介して、ＳｉをドープしたＧａＮ層１１をＭＯＣＶＤ法によって形成した（図１（ａ））。ＧａＮ層１１のＳｉ濃度は１×１０¹⁸〜１×１０²⁰／ｃｍ³ とし、厚さは１μｍとした。次に、ＧａＮ層１１上に、ＭｇがドープされたＧａＮ層１２をＭＯＣＶＤ法によって形成した（図１（ｂ））。このＧａＮ層１２の形成において、温度、圧力等の成長条件については変更せず、ＧａＮ層１１形成時と同様の成長条件とした。また、Ｍｇ濃度は１×１０¹⁷〜１×１０²⁰／ｃｍ³ となるようにした。以上のようにして形成したＧａＮ層１２は、貫通転位の密度が低く、表面平坦性が高い良質な結晶である。 （もっと読む）

【課題】固体表面の改質方法及び表面改質された基材を提供する。
【解決手段】基材の表面に、環状、枝状、又は直鎖構造からなる有機分子を共有結合を介して被覆し、分子膜を形成し、それにより、液体と固体表面の相互作用を著しく抑制して、前進接触角（θ_Ａ）と後退接触角（θ_Ｒ）の差（θ_Ａ−θ_Ｒ、ヒステリシス）を小さくすることで、液滴の滑落・滑水性、耐水性、固体表面からの液滴の除去性を向上させて耐食性あるいは防食性にして、ヒステリシスが５°以下の撥水性、超撥水性を示す表面に改質する、固体表面の改質方法、及びその表面改質された基材。
【効果】固体表面を極めて小さいヒステリシスを有する表面に改質することを可能とする固体表面の改質方法、及び動的接触角の差が極めて小さいため、塩水が表面に残存しにくい、優れた耐食性を示す基材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面が下向きになるように基板を保持するサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、及びサセプタより外周側に設けられた反応ガス排出部を有するフェイスダウン型のIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、直径３インチ以上の大きさの基板を気相成長する場合であっても、基板の割れを防止できるIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタが１個の基板ホルダー８に対して４個以上のツメ１０を備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面にＣＶＤ−Ｒｕ膜を成膜したウエハを準備する。酸素雰囲気にさらすことによりＲｕ膜表面を酸化処理し、次に水素プラズマによる還元処理をし、清浄化する。清浄化されたＲｕ膜表面にＣｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】初期切削抵抗が小さく、すぐれた耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットからなる工具基体表面にダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆工具であって、上記ダイヤモンド皮膜は、平均結晶粒径０．２〜１．５μｍの配向ダイヤモンド結晶粒が、無配向ダイヤモンド結晶粒のマトリックス中に平均面積割合で３０〜８０面積％分散分布する膜構造を有し、かつ、ダイヤモンド皮膜の厚さ方向に沿ってみた場合、表面側に向かうほど、配向ダイヤモンド結晶粒の結晶粒径及び面積割合は小さな値となり、さらに、前記ダイヤモンド皮膜の結晶粒の（１１０）面または（１１１）面の少なくともいずれかの面は、基体表面の法線に対する傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、０〜１０度の範囲内に存在する度数合計は、度数全体の３０〜６０％の割合を占める。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】スペースを有効利用し、品質低下を防止し、生産効率を向上させることのできる外段取り装置を提供する。
【解決手段】被成膜対象の基材５が装着されるとともに、成膜装置内に配置される基材ホルダ４を保持する保持部材２０と、この保持部材２０が取り付けられる移動可能フレーム１０と、この移動可能フレーム１０に取り付けられるとともに、基材ホルダ４の表面に清浄空気を供給する清浄空気供給手段３０とを備えたことを特徴とする外段取り装置１。 （もっと読む）

【課題】従来のＤＬＣ成膜では高温雰囲気領域で成膜されるため、成膜対象物が樹脂製品やアルミの場合は変形することがある。とくにアルミロールの場合、表面が酸化して、後日の成膜剥離の一因となっていた。
【解決手段】本願発明では、真空チャンバー内にロールをセットし、チャンバー内を常温かつ真空状態とし、ロールの表面をスパッタリングし、ロール表面にミキシング層を形成し、真空チャンバー内にＤＬＣの原料ガスを注入して、それら原料ガスを真空チャンバー内で反応させて、前記ロールにＤＬＣを注入しながらロール表面にＤＬＣ層を堆積させることで、ＤＬＣ膜を常温成膜する方法とした。また、本願発明のＤＬＣ常温成膜ロールは、ロールの表面にプラズマイオンが注入されたミキシング層を備え、ロールにＤＬＣが注入され、かつロール表面にＤＬＣ層が堆積されたＤＬＣ膜を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】パーティクル起因の欠陥を低減可能な、窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体膜１３の成長における（窒素原料の供給モル量）／（III族原料の供給モル量）は１２５０以上であり、その成長温度は摂氏１０５０度以上であり、その成長圧力は２００Ｔｏｒｒ以上である。この条件の範囲でパワー系電子デバイスに有用なIII族窒化物半導体膜１３を成長するとき、この成膜条件において（キャリアガスの流量）／（（III族原料の流量）＋（窒素原料の流量）＋（キャリアガスの流量）＋（キャリアガスの流量））が０．５以上である。この比率のキャリアガスにより反応炉１０内の原料ガスを希釈できる。この希釈により、成膜中の成長炉において、基板１１と異なる場所における望まれない原料消費による堆積物の生成を低減できる。また、キャリアガスが水素を含むとき、堆積物の分解が行われる。 （もっと読む）

【課題】球状突起の発生を抑制することができ、製品の品質および良品率の向上によるコストの低減をすることができる、基板保持部材、基板処理方法、及び基板保持部材のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】基板保持部材１０１は、上下に開口した円筒状をしている。また、基板保持部材１０１には、基板を保持する基板配置部１０７と、搬送機構の把持部材が挿入される把持部材挿入部１０２とが設けられている。さらに、把持部材挿入部１０２の上部に設けられた把持部材挿入用の開口部１０８を閉鎖することができる開口部閉鎖部材１０３をも有している。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して改善された全体的平坦度を有するエピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法を提供する。
【解決手段】エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ１つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に１．５〜５ｓｌｍの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において１〜１００ｓｌｍであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルの水平部とガス排気口を同一面方向に設けた場合でも、基板に対する処理ガスの接触時間を増加させ、基板に成膜される膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１５を所定の間隔で収容する処理室８と、該処理室内に基板を処理するガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内のガスを排気するガス排気手段とを具備し、前記ガス供給手段はガスノズル１１を有し、該ガスノズルは水平部と円弧状部と垂直部から構成され、前記水平部は前記ガス排気手段に隣接した箇所から前記処理室内に貫通され、前記円弧状部は前記ガス排気手段から遠ざかる様に前記処理室の内壁に沿って水平面内に円弧状に延在され、前記垂直部は前記処理室の内壁に沿って垂直に設けた。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制できる気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるための気相成長装置においてウェーハを支持するための気相成長用サセプタであって、該サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であることを特徴とする気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成部で発生するプラズマ光が被処理物に照射されるのを防止し、被処理物の変質等を防止する。
【解決手段】吹出しノズル２０の内部の吹出し路２１のプラズマ導入口２１ａをプラズマ生成部１０の放電空間１２に連ね、吹出し口２１ｅを処理空間８に臨ませる。処理ガスを放電空間１２に導入してプラズマ化し、吹出し路２１を経て、吹出し口２１ｅから吹出し、処理空間８の被処理物９０に接触させる。吹出し路２１内には、ガス流通を許容するようにして遮光部材２３を設ける。遮光部材２３によって、プラズマ導入口２１ａから吹出し口２１ｅへ向かう光を遮る。 （もっと読む）

【課題】金属部材との密着性が高く、且つプロセス時間の増大が抑制されたダイヤモンド状炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】金属部材１の表面１１に水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理を行うステップと、水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理された表面１１上に、ダイヤモンド状炭素膜２を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】金属電極及び周辺の構成を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、処理容器内の天井面に隣接して設けられ、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を処理容器内に放出する誘電体板３０５と、誘電体板３０５のプラズマ側の面にて誘電体板３０５に隣接して設けられ、周縁から誘電体板３０５の一部を処理容器内に露出させる菱形状の金属電極３１０とを有する。金属電極３１０と誘電体板３０５とは、処理容器１００の天井面を区切る仮想領域であって金属電極３１０の２本の対角線Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ平行な２本ずつの直線から画定され、金属電極３１０と誘電体板３０５とを含む最小の矩形領域をセル領域Ｃｅｌとして、セル領域Ｃｅｌの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、１．２以下になっている。 （もっと読む）

【課題】裏面クモリおよびピンハローを抑制することにより、高品質なエピタキシャルウェーハを製造する手段を提供すること。
【解決手段】反応チャンバと、半導体ウェーハを該ウェーハの主裏面で支持するための昇降可能なリフトピンと、該反応チャンバ内に配置された、該半導体ウェーハ載置領域に上記リフトピンを挿通可能なリフトピン挿通用貫通孔を有するサセプタと、を有する気相成長装置内で半導体ウェーハの主表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法。前記サセプタは、上記リフトピン挿通用貫通孔の周囲に貫通孔を有し、前記気相成長を、前記半導体ウェーハの主裏面を弗酸系溶液により洗浄した後、該半導体ウェーハを前記サセプタ上に載置して行う。 （もっと読む）