【課題】処理チャンバから排出される種についての交差反応を著しく低減できるような装置を提供する。
【解決手段】装置が、チャンバ入口とチャンバ出口とを有するチャンバと、第１のガス流を受け入れるための第１の入口と、第２のガス流を受け入れるための第２の入口と、第１のガス流を第１の真空ポンプへと出力する第１の出口と、第２のガス流を第２の真空ポンプへと出力する第２の出口と、導管ネットワークであって、第１の入口を第１の出口に結合し、第２の入口を第２の出口に結合し、それぞれのガス流について、第１の流路と第２の流路とをそれぞれの入口と出口との間に形成し、第１の流路はチャンバ入口とチャンバ出口とを通り抜け、第２の流路はチャンバを迂回するような上記導管ネットワークと、ネットワークを通り抜けるガス流の経路を割り当てて、あるガス流が第１の流路に沿って流れるとき、他方のガス流を第２の流路に沿って流れさせる経路割当手段と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】バッチタイプ処理システムにおいて順次ガス露出処理によって基板上に金属含有膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】バッチタイプ処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、金属含有前駆体ガスのパルスと反応ガスのパルスを処理チャンバーに順に流し、これらの流し処理を所望の膜特性を有する金属含有膜が基板上に形成されるまで繰り返す。この方法によって、ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２などの酸化金属膜、Ｈｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗやＨｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗなどの酸窒化金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚなどのケイ酸金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮ_ｗやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮなどの窒素含有ケイ酸金属が形成できる。 （もっと読む）

【課題】 接触なしで原料を蒸発させて、単元又は多元の層及びスタック層を堆積する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、プロセスチャンバー（２）内で少なくとも１層を少なくとも１つの基板上に堆積する装置であって、複数の成分からなり、絶縁性、パッシベーション性、又は導電性を有する層と、インジェクタユニット（５）を用いて液状又は液体に溶解した原料（３）を温度制御された蒸発チャンバ（４）に不連続に射ち込むことによって成分が蒸発され、これらの蒸気がキャリアガス（７）によってプロセスチャンバーに供給される装置に関する。各インジェクターユニット（５）を通る流量の時間プロファイルを決定する、射出圧、射出周波数、及びデューティ比、並びにオン／オフの他のインジェクターユニットのオン／オフに対する位相関係等の流量パラメータが個別に設定又は変更されることが基本である。 （もっと読む）

堆積方法は、基板上の被覆のプラズマ強化化学的気相成長のために、熱膨張プラズマ発生器（１０２、２０２）のチャンバ内のターゲットプロセス状態を決定することを含み、発生器（１０２、２０２）は、カソード（１０６、２０６）、取り替え可能なカスケードプレート、及び同心オリフィスを有する発生器（１０８、２０８）を備え、堆積方法はさらに、カスケードプレートを、識別されたターゲットプロセス状態を生じるように構成されたオリフィスを有する他のプレートと取り替えることと、プラズマ発生器（１０２、２０２）にプラズマガスを提供することによってターゲットプロセス状態でプラズマを生成し、且つ発生器（１０２、２０２）内のカソード（１０６、２０６）と発生器（１０８、２０８）との間でアーク内のプラズマガスをイオン化し、且つ堆積チャンバにおいて基板上にプラズマとしてガスを膨張することとを含む。制御可能なプラズマを生成するための堆積装置（１００）であって、大気圧下の圧力で維持されるように構成される堆積チャンバと、堆積チャンバ内の物品支持体と、カソード（１０６、２０６）、単一のカスケードプレート、発生器（１０８、２０８）、及び１ｍｍ〜２０ｍｍ未満の長さのオリフィスを有する、カスケードプレートを介する連絡オリフィスを備える熱膨張プラズマ発生器（１０２、２０２）とを備える。 （もっと読む）

本発明の開示は、例えば原子層堆積を使用して超小型電子半導体上に材料を堆積させることによって、微細形状ワークピースを処理するための装置及び方法を説明する。これらの装置の幾つかは、ガス分配器を有する微細形状ワークピースホルダーを含む。１つの例示的な実施は、複数の微細形状ワークピースを保持するように適合されている微細形状ワークピースホルダーを提供する。このワークピースホルダーは、複数のワークピース支持体とガス分配器とを含む。ワークピース支持体は、離間した関係で複数の微細形状ワークピースを支持して各微細形状ワークピースの表面に隣接した処理スペースを定めるように適合されている。ガス分配器は、１つの注入口と複数の排出口とを含み、排出口の各々は、処理スペースの１つにプロセスガスの流れを向けるよう位置付けられる。 （もっと読む）

酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。 （もっと読む）

閉成状態の複数の部品からなるマンドレル（１０，３０，４０）の内面上へのニッケル蒸着を使用して、ニッケル成形品、即ちシェルを成形するための方法と装置。閉成状態の複数の部品からなるマンドレル（１０，３０，４０）は、別の蒸着チャンバの必要性を省き、ニッケル蒸着が、中空、若しくは部分的に中空のニッケル成形品（１２，３２，３３，３４）を得るように、複数の部品からなる完全な、若しくは部分的なマンドレルの内面の形状に、ニッケルシェル（１２，３２，３３，３４）を成形する。
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化学気相成長反応装置は、反応装置のチャンバと協働して該チャンバ内で反応ガスの層流を促進させる回転可能なウエハキャリヤを有している。前記化学気相成長反応装置は、ＬＥＤ等の製造に使用され得る。 （もっと読む）

本発明はリンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法を含む。一実施において、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法は堆積チャンバー中で基板の位置決めをすることを含む。第1及び第2気相反応物をリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積するために有効な条件下で交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該チャンバー中の該基板へ導入する。該第1及び第2気相反応物の一つはRがヒドロカルビルであるPO(OR)₃であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物はRがヒドロカルビルであるSi(OR)₃OHである。 （もっと読む）

基板の表面を処理するために必要な反応性物質やキャリアガスなどを効率的に利用するとともに、ガスの移送のための設備を簡略化し、省エネルギー化を図ることができる基板処理装置を提供する。反応性物質を含むプロセスガスを供給するガス供給源１２と、ガス供給源１２に接続されプロセスガスを貯留するリザーバタンク１４と、内部に配置された基板をプロセスガスに曝露する反応器１０と、反応器１０の内部のプロセスガスをリザーバタンク１４に導入する第１の循環配管３８と、リザーバタンク１４内のプロセスガスの少なくとも一部を反応器１０に導入する第２の循環配管４２と、第２の循環配管４２に設置され反応器１０に導入されるプロセスガスの量を調整する流量調整バルブ４４とを備えた。
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本発明は、半導体製造に有用なガス分配装置を提供する。本ガス分配装置は、単一部材と、単一部材内に形成され、ガスをプロセス領域内へ均一に供給するためのガス分配網とを含む。ガス分配網は、単一部材の上面を通して上方に伸び、ガス源に接続される入口通路と、１つの接合点に集中し、この接合点において入口通路に接続されている複数の第１の通路と、複数の第１の通路に接続されている複数の第２の通路と、複数の第２の通路に接続され、ガスを処理領域内へ供給する複数の出口通路とによって形成されている。第１の通路は接合点から単一部材の周縁表面まで半径方向外向きに伸び、第２の通路は第１の通路と直角ではなく、第１の通路から周縁表面まで外向きに伸びている。出口通路は単一部材の下面を通って下方に伸び、ガスを前記処理領域内へ供給する。
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気体透過バリアを原子層蒸着（ＡＬＤ）によってプラスチックまたはガラス基板上に蒸着することができる。ＡＬＤコーティングの使用によって、コーティング欠陥を減らすと共に数十ナノメートルの厚さにおいて桁違いに透過を低減させることができる。これらの薄いコーティングが、プラスチック基板の可撓性および透過性を保持する。かかる物品が、容器、電気および電子用途において有用である。

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【課題】ウエハに形成される薄膜の特性が向上するとともに、特性のバラツキが抑制できる薄膜形成装置を得る。
【解決手段】反応室３にはウエハ５が設置された石英ボート４が配置されている。ガス導入孔８とガス排気孔９が石英チューブ２の内側の管にそれぞれ対向して配置されているので、反応室３内のガスの流れは、図中矢印７で示すように、ウエハ表面と平行な方向に面内均一に形成することができ、Ｓｉウエハ面内の特性バラツキを防ぐことができる。 （もっと読む）

［課題］ ガスバリヤ性の優れたトレイ、カップを提供する事にある。
［解決手段］ 開放口を有するトレイ、カップなどの容器の内部を真空にして、ガスを吹き込み高周波を照射する事によりガスをプラズマ化し、容器の内面にＳｉＯｘ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯなどの金属酸化物または、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）などの蒸着皮膜を形成させた、内容物が酸化され難く、添加剤などが内容物に移行し難いハイバリヤ性トレイ、カップ。 （もっと読む）

【課題】 低コストでガス供給配管内を流れるガスの再液化を効果的に防止でき、しかも、安全性も高めることができる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 液化ガスを蓄積した液化ガスボンベ２０と、液化ガスを気化した反応ガスを用いて半導体の反応処理を行うための反応処理装置２２と、反応ガスを液化ガスボンベ２０から反応処理装置２２に導くためのガス供給配管２４と、ガス供給配管２４を通る反応ガスの流量をコントロールするガス流量コントローラー２６とを備え、液化ガスボンベ２０からガス流量コントローラー２６迄のガス供給配管２４が下り勾配となる場合は水平に対する勾配角度φを３０°以下としたこと。 （もっと読む）