【課題】被処理体に対して面内均一性の高いプラズマ処理を行うこと。
【解決手段】載置台２７と誘電体窓部材３を介して対向するようにアンテナ５を設ける。このアンテナ５は、各々長さが等しく、互いに横に平行に並べた直線状の複数のアンテナ部材５１により構成されている。このアンテナ５の一端側を高周波電源部６に電源側導電路６１により接続すると共に、その他端側を接地点に接地側導電路６２により接続する。前記電源側導電路６１及び接地側導電路６２の少なくとも一方に、アンテナ５の電位分布を調整するための電位分布調整用のコンデンサ７を設け、前記高周波電源部６から各アンテナ部材５１を介して接地点に至るまでの各高周波経路のインピーダンスが互いに等しくなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】基板処理や処理室内のクリーニングを行う際の、処理室加熱による電極の破損を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板６を収容するインナーチューブ３１と、プラズマ発生室１７内に設けられるグリッド電極１９、アノード電極２０、中間電極３０と、アウターチューブ７の外周側でプラズマ発生室１７に対応する位置にプラズマ生成電極２２とを備え、プラズマ発生室１７内の各電極は熱膨張する材料からなり、電極上端にて支持される基板処理装置。上端から吊り下げられるように一点で支持されるので熱膨張によるストレスが加わり難くなり、破損が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 よりパワー効率が良い誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室と、処理室内で被処理基板が載置される載置台と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、処理室の外部に誘電体部材を介して配置され、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成する、アンテナ回路１３ｂと、アンテナ回路１３ｂに並列に接続された並列回路（アンテナ回路１３ａ）と、を具備し、アンテナ回路の１３ａのインピーダンスとアンテナ回路１３ｂのインピーダンスとを逆位相にして、処理室内に誘導結合プラズマを生成する。 （もっと読む）

低誘電率及び優れた電気特性等の改良されたバリア誘電体特性を有する、ケイ素、炭素、酸素及び水素を有する前駆体を含む誘電体バリアフィルムを堆積させるための方法を与える。この方法は、相互接続構造のためのダマシン又は二重ダマシン集積で、又は他の誘電体バリア用途で用いられるバリア層に関して重要となるであろう。この例では、バリア性能を改良する特定の構造特性が注目される。
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本発明の一の実施形態によれば、プラズマ処理装置は、被処理体に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバーと、前記チャンバーの側部を囲むように配置され、前記内部空間に電界を形成して前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成するアンテナと、を含み、前記アンテナは、第１回転方向に沿って前記チャンバーの一側から前記チャンバーの他側を向いてらせん形状を形成し、前記第１回転方向に沿って電流が流れるらせんアンテナと、前記チャンバーの前記一側に位置する前記らせんアンテナの一端に接続され、前記第１回転方向と反対方向に電流が流れる延長アンテナと、前記延長アンテナと前記らせんアンテナを接続する接続アンテナと、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマアンテナおよびこれを用いたプラズマ処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態によるプラズマアンテナは、プラズマ発生装置のプラズマアンテナにおいて、前記プラズマアンテナは、電源供給部から電源の供給を受けて、分岐部で誘電体の外周に向かって分岐されて、前記分岐されたアンテナは中央に集められて接地部で接地される形状である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ処理装置の反応チャンバ内で用いる基板支持体が開示されている。基板支持体は、ベース部材と、ベース部材の上に位置する熱伝導部材とを備える。熱伝導部材は、複数の領域を有しており、熱伝導部材の各領域は、個別に加熱および冷却される。熱伝導部材の上には、静電チャックが配置される。静電チャックは、プラズマ処理装置の反応チャンバ内で基板を支持するための支持面を有する。冷液源および温液源が、各領域の流路と流体連通している。バルブ構成は、流路内を循環する温液および冷液の混合比を調節することにより、液体の温度を独立的に制御するよう動作可能である。別の実施形態では、供給ラインおよび移送ラインに沿って配置された加熱素子が、液体源からの液体を、流路に循環する前に加熱する。 （もっと読む）

【課題】２０％を超える光量子効率を有する、ナノ結晶性ケイ素含有ＳｉＯ_Ｘ薄膜フィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、発光用途に関する、高量子効率のシリコン（Ｓｉ）ナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを備える発光素子の製造方法において：底部電極を供給する工程と；底部電極上に、シリコンナノ粒子を含有する不定比のＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルム（Ｘ＋Ｙ＜２であり、Ｙ＞０である）を堆積する工程と；シリコンナノ粒子を含有するＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムをアニール処理する工程と；６３２ｎｍにて測定された０．００１未満の消衰係数（ｋ）および２０％を超えるＰＬ量子効率（ＰＬＱＥ）を有する、アニール処理されたシリコンナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】環境や洗浄部品に影響されずに、装置立上げおよびメンテナンス後の初期金属汚染量を低減することを可能とするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】新規装置立上げ工程および／またはメンテナンス後再稼働工程後における製品ウエハ生産処理（本処理）工程前に、初期金属汚染防止工程を設ける。初期金属汚染防止工程は、処理室内に設けられたサセプタにプロダクトウエハを載置しないで処理室に窒素ガスを含むガスを供給しつつプラズマ放電するステップと、処理室内に設けられたサセプタにプロダクトウエハを載置しないで処理室に酸素ガスを含むガスを供給しつつプラズマ放電するステップと、で構成し、窒素プラズマ処理ステップおよび酸素プラズマ処理ステップを初期金属汚染の状況に応じて繰り返して実施する。 （もっと読む）

基板処理チャンバ中に配置された基板を処理した後で、基板処理チャンバの１つまたは複数の内側表面から不要な堆積物蓄積を除去する遠隔プラズマプロセス。一実施形態では、基板が基板処理チャンバから外に移送され、フッ素含有エッチャントガスの流れが遠隔プラズマ源の中へ導入され、そこで反応種が形成される。遠隔プラズマ源から基板処理チャンバへの反応種の連続的な流れが発生され、一方では、高圧力洗浄ステップと低圧力洗浄ステップのサイクルが繰り返される。高圧力洗浄ステップ中に、基板処理チャンバ内の圧力が４〜１５トルの範囲に維持されている間、反応種は基板処理チャンバの中へ流される。低圧力洗浄ステップ中に、高圧力洗浄ステップで到達された高圧力の少なくとも５０パーセントだけ基板処理チャンバの圧力を減少させながら、反応種が基板処理チャンバの中へ流される。
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本発明は、物品（１２）を真空処理するための装置（１０）に関する。装置は、物品を処理圧力において真空処理可能な処理領域（１４）と、周囲圧力において装置に物品を取付け可能な取付け領域（１８）とを含む。物品を真空処理できるように、密閉通路（２４）に沿って取付け領域から処理領域へ物品を運搬するために、複数の物品キャリア（２０）が設けられる。キャリア（２０）は、物品を通路に沿って運搬する際に通路の内面に対して封止を行うための個々の封止手段（２６）を含む。取付け領域において周囲圧力下で取付けられ、処理領域に運搬された物品が処理圧力下で真空処理されるように、封止手段（２６）は、取付け領域から処理領域まで通路に沿って封止手段を通過するガスまたは蒸気の流れに抵抗する。
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基板を処理し、プロセスチャンバを処理するための装置及び方法が提供される。一実施形態では基板を処理する装置が提供され、この装置は、電源と、前記電源に接続された切り替えボックスであって、第１位置と第２位置との間で相互に切り替え可能なスイッチを有する切り替えボックスと、前記切り替えボックスに接続された第１マッチングボックスと、前記第１マッチングボックスに接続されたプラズマジェネレータと、前記切り替えボックスに接続された第２マッチングボックスと、前記第２マッチングボックスに接続されたリモートプラズマ源とを含む。
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【課題】 電極と接地を絶縁する絶縁体の熱膨張が改善された誘導結合型プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 基板を収容するチャンバーと、前記基板を支持し、電源が印加されるサセプタと、前記チャンバーによって支持され、前記サセプタを支持する支持台と、前記サセプタと前記支持台との間に配置され、前記サセプタと前記支持台を絶縁する絶縁体とを備えており、前記絶縁体は少なくとも二つ以上に分離されて形成されることを特徴とするプラズマ発生装置を構成する。 （もっと読む）

窒化ケイ素系誘電体層を堆積する方法が提供される。該方法は、ケイ素前駆体及びラジカル窒素前駆体を堆積チャンバーに導入することを含む。前記ケイ素前駆体は、Ｎ−Ｓｉ−Ｈ結合、Ｎ−Ｓｉ−Ｓｉ結合及び／又はＳｉ−Ｓｉ−Ｈ結合を有する。前記ラジカル窒素前駆体は、内包酸素を実質的に含まない。前記ラジカル窒素前駆体は、堆積チャンバーの外で発生させる。前記ケイ素前駆体及び前記ラジカル窒素前駆体は、相互作用して前記窒化ケイ素系誘電体層を形成する。
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【課題】ＳＴＩにおける酸化シリコン部材によるトレンチ埋め込み工程においては、一般に、ＨＤＰ−ＣＶＤにより、成膜とスパッタ・エッチを同時的に進行させることで、酸化シリコン系の埋め込み絶縁膜の平坦化を計っている。しかしながら、６５ｎｍプロセス・ノード等の微細製品では、近接したトレンチを均一の埋め込むことが、ますます困難となっている。従って、近接したトレンチ配列部分をより均一に埋め込むことができる技術が待望されている。
【解決手段】本願発明は、近接したトレンチ配列部分をＨＤＰ−ＣＶＤによる酸化シリコン系の埋め込み絶縁膜によって埋め込む際に、成膜ステップとエッチング・ガスを含むガス雰囲気中でのエッチングを交互に繰り返すことによって、平坦な埋め込み特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気伝導がｐ形伝導であり、低抵抗率、且つ高硬度のるＤＬＣ薄膜材料を提供する。また、該ＤＬＣ膜の製造方法及び該ＤＬＣ膜を用いた工業製品を提供する。
【解決手段】周期律表の３族元素又は２族元素であるボロンやマグネシウム等のｐ形ドーパントをドーピングしないダイヤモンドライクカーボンであって、その電気伝導がｐ形伝導であることを特徴とする。低分子量炭化水素ガスの高濃度プラズマを発生させ、該放電プラズマに接するように被加工基材を設置し、該被加工基材の温度を２００℃以上に保持し、該被加工基材に１ｋＶ以上の正負又は負のパルス電圧を印加して前記被加工基材表面にｐ形伝導ＤＬＣ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】例えば銅などの高融点材料を含む原料粉体を加熱して得られる気体を用いてウェハにこの銅膜を成膜するにあたって、原料粉体中の化合物中に含まれる有機物などの不純物が銅膜に取り込まれることを抑えると共に、簡便に固体状の原料粉体から気体が得られるようにして原料粉体のコストを抑えること。
【解決手段】固体状の原料粉体を貯留する原料貯留部から粉体導入路を介してキャリアガスと共にこの原料粉体を処理容器へと供給し、この粉体導入路に介設された粉体気化部において原料粉体をプラズマ化して気体状の原料を得る。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を増大し、大面積のフィルムに成膜することができ、かつ、緻密な成膜を得ることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。前記プラズマ化学気相成長手段は、プラズマリニアソース７により発生する誘導結合プラズマによってフィルム３に成膜を行い、この成膜と同時に前記イオンエッチング処理手段はイオンエッチングローラー５からのイオンによってフィルム３にイオンエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気において処理容器内の基板に対して処理ガスをプラズマ化したプラズマを供給してプラズマ処理を行うにあたって、面内均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】基板を載置する載置台に対向するように、下面に多数のガス吐出孔が形成されたガスシャワーヘッドを処理容器の天壁に設けると共に、このガスシャワーヘッドの周囲における処理容器の天壁を誘電体により構成し、この誘電体上に基板の上方の処理領域の周囲に電磁誘導により前記基板の径方向に概略平行な電界を形成し、更にガスシャワーヘッドに負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）