【課題】高密度で均一なプラズマが生成される誘導結合プラズマ装置を提供する。
【解決手段】プロセス・チャンバに電気エネルギを結合して該プロセス・チャンバ内でプロセス・ガスからプラズマを発生させるための要素１０であって、要素１０は、長さ方向に沿って順次配置された多数のコイル・ターン３２を有する単一のコイルで構成される導電性要素１０であり、コイル・ターンの少なくとも一つ３４ａは、プラズマ処理システムの誘電体ウインドウにほぼ平行な第１平面３６に配向され、コイル・ターン３２の少なくとも一つ３４ｂは、第１平面３６と角度をなす第２平面３８に配向されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマによって生成される活性種量を増大することができる基板処理装置および半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】処理容器２０３と、処理容器２０３内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部２３２ａ、２３２ｂと、処理容器２０３から余剰の処理ガスを排出するガス排出部２４６と、処理容器２０３内にて複数の基板２００を積層した状態で載置する基板載置部材２１７と、処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極３０１とを有し、電極３０１は、平行に配置された２本の細長い直線部３０２、３０３と、直線部３０２、３０３のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部３０４と、を備え、直線部３０２、３０３が基板２００の側方に、基板２００の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を行うときにマスクとして使用するフィルムを搬送する時に、これに生じる張力を調整することで、フィルムの延びを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ステージよりも上流側にあるダンサーローラ１１２ａと、処理ステージよりも下流側でフィルムテープ１０１に搬送のための駆動力を与えるアクチュエータ１１７とをみ、ダンサーローラ１１２ａは、一定の力に応じてフィルムテープ１０１に張力を与え、張力が増大すると一定の力とは反対の方向に移動してフィルムテープ１０１を送り出す。フィルムテープ１０１は、処理ステージでワークピース１６のプラズマジェット５によって処理される部分上に開口部１００が位置するように配置され、開口部１００を介してプラズマジェット５による処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】基板の温度を低温に保持しつつ金属シリサイド膜を形成する。
【解決手段】励起用ガスをバッファ室内に供給すると共に、プラズマ電極に電力を供給してバッファ室内にプラズマを生成することで励起用ガスを活性化させ、塩素含有ガスを処理室内に供給し、バッファ室内から処理室内に流れた活性化させた励起用ガスにより塩素含有ガスを活性化させ、活性化させた塩素含有ガスを金属部材に接触させて金属塩化物を生成させ、金属塩化物を基板上に堆積させて基板上に金属含有薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の投入時に発生した反射電力を速やかに極小値に導いて高周波電力を再現性良く安定に供給できるようにする。
【解決手段】高周波電力を負荷２に供給可能な高周波電源１１とマッチングボックス１２とをスイッチング稼働可能に設ける。高周波電源とマッチングボックスとの間に高周波反射電力検知器１３と制御信号発生器１４を設け、制御信号発生器１４から、高周波電源１１に対し基本制御信号を出力し、マッチングボックス１２と高周波反射電力検知器１３に所定時間の遅れをもって外部制御信号を出力する。それに同期して反射電力信号が制御信号発生器１４に帰還されるようにし、この反射電力信号が最小値となるように負荷の時間的変動に対する外部制御信号の制御信号パラメータを調節してマッチングを行う。 （もっと読む）

蒸着反応器と薄膜形成方法とである。蒸着反応器は、反応物質を蒸着反応器の第１の部分の凹部に注入する少なくとも１つの第１の注入部分を含む。第２の部分は、第１の空間部に接続され、第１の部分の凹部に接続された凹部を有している。第２の部分の凹部は、第１の空間部の中の圧力より低い圧力の状態に維持される。第３の部分は、第２の空間部に接続され、排出部分は、第３の空間部に接続されている。
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【課題】
【解決手段】少なくともウエハを処理するためにプラズマを生成するプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理システムは、プラズマの少なくとも第１の部分を維持するための第１の電流を伝導するための第１のコイルを備えてよい。プラズマ処理システムは、さらに、プラズマの少なくとも第２の部分を維持するための第２の電流を伝導するための第２のコイルを備えてよい。プラズマ処理システムは、さらに、第１の電流および第２の電流を供給するための電源を備えてよい。プラズマ処理システムは、さらに、第１の電流のアンペア数および第２の電流のアンペア数の一方を調節するための並列回路を備えてよい。並列回路は、電源と第１のコイルおよび第２のコイルの少なくとも一方との間に電気接続されてよい。並列回路は、互いに並列に電気接続されたインダクタおよび可変コンデンサを備えてよい。 （もっと読む）

【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板１２は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材１０と、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１１とからなり、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）≧５０μｍで面取りされている。 （もっと読む）

【課題】プラズマの消費電力の経時変化を小さくし、プラズマ処理を安定化する。
【解決手段】プラズマ源の電源系６１は測定装置２２と制御装置２３と交流電源２４を有している。測定装置２２はアンテナ１２の電圧を測定し、測定結果を測定値として出力する。制御装置２３には、交流電源２４の出力電力の値と、アンテナ１２の電圧であるアンテナ電圧の値とから、プラズマの消費電力の変動量を求め、変動量が小さくなるような出力電力の修正値を求め、その修正値を交流電源２４から出力させる。アンテナ１２の電圧測定と、修正値の算出を繰り返しおこなうと、プラズマの消費電力が一定値になる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位が低く，より安定した高密度のプラズマを容易に形成し，プラズマ処理の均一性をより簡単かつ的確に制御する。
【解決手段】処理室１０２内でウエハを載置する載置台１１０と，載置台に対向するように板状誘電体１０４を介して配設された内側アンテナ素子１４２Ａと外側アンテナ素子１４２Ｂとからなる平面状の高周波アンテナ１４０と，高周波アンテナを覆うように設けられたシールド部材１６０とを備え，各アンテナ素子はそれぞれ両端を開放するとともに中点又はその近傍を接地し，それぞれ別々の高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特別な形状の外部電極を用いることなく、炭素粉等の異物の堆積を抑制し、ガスバリア性、膜の呈色性及び膜の密着性が良好な薄膜をコーティングしたプラスチック容器を製造することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性薄膜コーティングプラスチック容器の製造方法は、成膜ユニットとなる外部電極にプラスチック容器を収容する工程と、前記プラスチック容器の内部に原料ガス供給管となる内部電極を配置する工程と、真空ポンプを作動させて前記外部電極の内部のガスを排気する工程と、前記プラスチック容器の内部に原料ガスを減圧下で吹き出させる工程と、前記外部電極に電力を供給するプラズマ発生用電源の電源周波数を５．５〜６．５ＭＨｚに設定し、前記原料ガスをプラズマ化して、前記プラスチック容器の内壁面にガスバリア性を有する薄膜を成膜する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制し、且つカバーを容易に着脱できるようにする。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置の誘電体カバー１２は、下面とこの下面に続く側端とを有する被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を含んでいる。誘電体カバー固定具１８Ａは、誘電体カバー１２の被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１における下面に当接し、誘電体壁６を支持する支持部材としての支持梁１６と誘電体壁６のうちの少なくとも一方との間で被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を挟むようにして被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を支持する支持部１８Ａ１，１８Ａ２と、この支持部１８Ａ１，１８Ａ２に接続され、一部が被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１の側端の側方に配置され、支持梁１６との位置関係が変化しないように固定される被固定部１８Ａ３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度ないしプラズマ処理特性の面内均一性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、内部にてウエハＷにプラズマ処理が施される処理容器１００と、高周波を出力する第１の高周波電源１４０と、処理容器１００の外部にて、外側コイル、内側コイル及びその間に設けられたｎ個（ｎは１以上の整数）の中間コイルが中心軸に対して同心状に巻かれた高周波アンテナ１２０と、処理容器１００の壁面の一部を構成し、高周波アンテナ１２０から発生する電磁界のエネルギーを処理容器１００内に導入する誘電体窓１０５と、を有する。 （もっと読む）

真性型の微結晶シリコン層向けの方法が提供される。一実施形態では、微結晶シリコン層は、加工チャンバ内へ基板を提供し、加工チャンバ内へガス混合物を供給し、ガス混合物内に第１のモードでＲＦ電力を印加し、加工チャンバ内へガス混合物をパルシングし、パルシングされたガス混合物内に第２のモードでＲＦ電力を印加することによって製作される。
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【課題】 真空成膜装置によりコーティング膜上に無機膜を成膜する際に、無機膜の割れ／抜け等の欠陥を引き起こすコーティング膜の平滑性悪化を防止し、生産性の高い機能性フィルムの製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】
フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂ上にコーティング膜を成膜し、支持体Ｂをフィルムロール４２に巻き取る。次いで、フィルムロール４２を真空成膜装置２２の供給室５０にセットし、常圧から１００Ｐａまでの減圧時間が７分以上となる減圧速度で減圧し、さらに所定の真空度まで減圧する。フィルムロール４２から支持体Ｂを、供給室５０の減圧速度より速い減圧速度で所定の真空度まで減圧された真空成膜装置２２の成膜室５２に供給し、コーティング膜上に無機膜を成膜し、無機膜が成膜された支持体Ｂを、真空成膜装置２２の巻取り室５４でフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】真空プラズマ・チャンバ内の加工物上で均一なプラズマ密度を達成することができるプラズマ処理装置用のコイルを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置用のコイル１７０であって、ＲＦ励振回路の両側の第１および第２の端子に接続するための第１励振端子１８８および第２励振端子１９０を備え、巻線１７２が第１励振端子１８８に、巻線１７４が第２励振端子１９０に接続され、短絡巻回１８６が巻線１７２および巻線１７４に結合されている。 （もっと読む）

【課題】本件は、ＲＦ−ＣＶＤ法により基板表面に成膜を行なう成膜方法に関し、基板の特性劣化を防ぎつつ成膜の生産効率を高める。
【解決手段】チャンバ内に基板を搬入しチャンバ内に成膜ガスを導入してさらにＲＦ放電による成膜ガスのプラズマを発生させることにより基板表面に成膜し成膜後の基板をチャンバ内から搬出する成膜工程と、基板搬出後のチャンバ内にクリーニングガスを導入しＲＦ放電によるクリーニングガスのプラズマを発生させることによりチャンバ内をクリーニングするクリーニング工程とを有し、このクリーニング工程がさらに、チャンバ内のクリーニングの終了後に、チャンバ内に、クリーニングガスとの反応によりそのクリーニングガスに起因する基板の特性低下を防止するための無害化ガスを導入しＲＦ放電によるクリーニングガスと無害化ガスとの混合ガスのプラズマを発生させてクリーニングガスと無害化ガスを反応させる無害化工程を有する。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバの内部に配され、ワークを支持するプラテンと、ワークの前面に隣接するプラズマシースを有するプラズマを、プロセスチャンバの内部に発生させるように構成されたプラズマ源と、インシュレーティング調整部とを備える。インシュレーティング調整部は、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状の一部がプラズマに対向するワークの前面によって形成される面と平行にならないように、境界の形状を制御する。プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状を制御することで、ワークに衝突する粒子の入射角の範囲を広げることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ区画壁の内壁面がエッチングされることを防止してパーティクルや金属汚染の発生を抑制し且つ、電極面積を増大させてラジカルの発生量を増加させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、被処理体を保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、ガスを供給するガス供給手段３８、４０、４２と、ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、活性化手段は、処理容器の外側へ突出された状態で処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁７２により区画形成されたプラズマ形成ボックス６４と、プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極６６と、電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】真空容器に着脱が容易で真空容器内に高密度な放電プラズマを生成する誘導結合型アンテナユニットを提供する。また、これらの誘導結合型アンテナユニットを複数個用いた任意の面積で生産性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本誘導結合型アンテナユニットは、誘電体筐体１１と、該筐体の蓋体１２と、該蓋体に装着したＵ字形のアンテナ導体１４とからなり、該アンテナ導体のＵ字形部分が前記筐体内に収容され、一体化された構造とする。アンテナ導体として金属パイプを採用し、そのＵ字形部分に細孔１５を設け、前記筐体内に冷却ガスを噴射させてアンテナ導体及び誘電体筐体を冷却できる構成とする。該アンテナユニットをプラズマ処理装置の真空容器壁に設けた開口部に容易に着脱できる構造とする。また、当該誘導結合型アンテナユニットを複数個配列して任意の処理面積を有する生産性の高いプラズマ処理装置を構成する。 （もっと読む）