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Fターム[4K030FA04]の内容

CVD (106,390) | 原料ガスの励起、活性化 (9,777) | プラズマによるもの (4,475) | 誘導結合型プラズマによるもの (513)

Fターム[4K030FA04]に分類される特許

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【課題】成膜種を効率よく生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができるプラズマ処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体3を収納して被処理体3上に薄膜を成膜する反応チャンバー1と、反応チャンバー1内に配置され、被処理体3を保持するステージ4と、反応チャンバー1内に第1のガスを供給する第1のガス供給部10と、反応チャンバー1内に第1のガスとは異なる第2のガスを供給する第2のガス供給部14と、反応チャンバー1内に高周波放電を発生させる高周波プラズマ源7とを備えるプラズマ処理装置を用い、反応チャンバー1内において、高周波放電によってプラズマ化された第1のガスと、プラズマ化が抑制された第2のガスとを接触させて分解反応を起こさせ、該分解反応に基づいて、ステージ4に保持された被処理体3上に薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】 平面導体を大型にしても、そのインピーダンスの増大を抑えて当該平面導体に大きな電位差が発生するのを抑え、それによって均一性の良いプラズマ生成を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、ホルダ側の面32が真空容器4内に位置しかつホルダ10の基板保持面に対向するように設けられた平面導体30を備えている。平面導体30は、そのホルダ側の面32に、高周波電流の流れ方向と交差する方向に伸びている溝40であってその深さが、平面導体30中を流れる高周波電流の表皮厚さよりも大きい溝40を、高周波電流の流れ方向に1以上有していて、溝40によってホルダ側の面32は複数領域に分割されている。平面導体30の各溝40内にコンデンサ42をそれぞれ設けて、平面導体30の前記各領域と各コンデンサ42とを互いに電気的に直列接続している。 (もっと読む)


【課題】形状や大きさ等が互いに異なる複数種類の樹脂基材の表面に、被膜を、1個の装置で迅速に且つ効率的に形成可能な樹脂基材の表面被膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ16内を減圧状態とする排気手段46,48と、真空チャンバ16内に反応ガスを導入するガス導入手段50,52と、真空チャンバ16内に誘導電磁界を形成して、該真空チャンバ16内に導入された反応ガスの誘導結合プラズマを生成する誘導電磁界形成手段28とを、真空チャンバ16に設ける一方、前記ガス導入手段50,52が、真空チャンバ16内に開口するガス導入口56を備えた導入ヘッド54と、該ガス導入口56の該真空チャンバ16内での開口位置を変更させる開口位置変更機構58とを有するように構成した。 (もっと読む)


【課題】容易に且つ膜の特性を損なうことなく特性が向上したダイヤモンド様薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜は、基材11の上に形成され、炭素と結合した水素を含むダイヤモンド様材料からなる第1の層13と、第1の層13の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、第1の層13と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第2の層14と、第1の層13と基材11との間に形成され、第1の層13と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第3の層15とを備えていている。 (もっと読む)


【課題】段差被覆性と共に絶縁性を向上させる絶縁膜形成装置及び形成方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された段差を被覆する絶縁膜を形成する際、絶縁膜の形成に用いる主原料ガスと副原料ガスとを供給し、プラズマ生成時の主な励起種より基板に対する付着確率が低い励起種を含むプラズマを生成し、当該プラズマを用いて段差へ前駆体膜を成膜する成膜工程と、成膜工程の後、副原料ガスを供給し、副原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて前駆体膜から主原料ガスの成分を減少させて絶縁膜とする組成比減少工程(窒化工程)とを実施すると共に、成膜工程及び組成比減少工程を交互に実施する。 (もっと読む)


【課題】誘導結合型プラズマ処理装置において、RFアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現すること。
【解決手段】チャンバの天井または誘電体窓52の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのRFアンテナ54が設けられている。このRFアンテナ54は、円環状の内側コイル58および外側コイル62を有している。内側コイル58は、単一の円形コイルセグメント60からなる。外側コイル62は、周回方向で分割されて全体で一周する2つの半円形コイルセグメント64(1),64(2)からなる。高周波給電部66に対して、各々のコイルセグメント60,64(1),64(2)が電気的に並列に接続されている。 (もっと読む)


【課題】RFアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現する。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓52の上に設けられるRFアンテナ54が径方向で内側コイル、中間コイルおよび外側コイル62に分割されている。内側コイル58は、単一または直列接続の内側コイルセグメント59を有する。中間コイル60は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている2つの中間コイルセグメント61(1),61(2)を有する。外側コイル62は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている3つの外側コイルセグメント63(1),63(2),63(3)を有する。 (もっと読む)


【課題】炭素繊維等の高密度繊維材料の線径に関わらず切削加工が容易に行えて、かつこれらを加工するのに十分な耐摩耗性を有するボロン含有ダイヤモンド膜被覆工具の成膜方法を提供することを課題とする。
【解決手段】反応室2外にてボロンを含む液体9を加熱することでボロンを含む気体を生成した後、ボロンを含む気体を反応室2内に導入して、直流放電プラズマ方式によりボロン含有ダイヤモンド膜を工具20表面に被覆する。また、反応室2外におけるボロンを含む液体9の加熱およびボロンを含む気体の反応室2内への導入は、ボロンを含む液体9を液体用マスフローコントローラにより配管内に導入して、ヒータによる配管の外部加熱および配管内の真空雰囲気によって気化して、その状態でボロンを含む気体を反応室2内へ導入する。 (もっと読む)


【課題】矩形基板に正対した状態のプラズマを生成することができるアンテナユニットおよびそれを用いて矩形基板に均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】輪郭が矩形状をなす平面型のアンテナ(13a)を有するアンテナユニットにおいて、アンテナ(13a)は、複数のアンテナ線(61,62,63,64)を、同一平面内において、辺の中央部の巻数よりも角部の巻数が多くなるように巻回して全体が渦巻状になるように構成され、アンテナ線の配置領域が額縁状をなし、アンテナ(13a)の外郭線(65)および内郭線(66)で囲まれた額縁領域(67)が、アンテナ(13a)の対向する2辺を貫く中心線について線対称となるように、各アンテナ線に屈曲部(68)が形成されている。 (もっと読む)


【課題】低温での成膜において基板の侵食を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ14を処理室92に搬入する第1の工程と、第1の原料としての固体金属66を収容する生成室62に、第2の原料としての塩素含有物と第3の原料としての励起ガスを供給し、プラズマ励起して金属塩化物を生成する第2の工程と、前記第2の工程により生成した金属塩化物を前記処理室92に供給する第3の工程と、第4の原料としての還元性ガスを前記処理室92に供給する第4の工程と、ウエハ14を前記処理室92から搬出する第5の工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットTにおいて、螺旋形の導体棒3が石英管4の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック5が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒3に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材2に照射する。真鍮ブロック5は開口部12を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸43が真鍮ブロック5によって遮られない位置に、基材2の表面温度を測定するための放射温度計受光部42が配置されている。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットTにおいて、螺旋形の導体棒3が石英管4の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック5が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒3に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材2に照射する。蓋6の下面にマニホールド8、10やガス供給穴9、11となる溝が形成されており、2つの部材の表面に沿って染み出してくる構成である。 (もっと読む)


【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル4は、ガスが流れる貫通孔12,14を備えた本体13を有する。本体13は、貫通孔12,14のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部16a,16b,16cを有し、ガスが流れる方向における各段差部16a,16b,16cの上流よりも下流において、貫通孔12,14のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットTにおいて、螺旋形の導体棒3が石英管4の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック5が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒3に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材2に照射する。石英管4、真鍮ブロック5、蓋6には冷媒流路が設けられ、冷媒としての水が流れることによって各部材が冷却される。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットTにおいて、コイルは複数の導体棒3を接続したもので、石英管4の内部に配置されており、石英管4の内側の半円柱部分が筒状チャンバ内部の空間7に露出する。導体棒3と石英管4の内部に水が流れることによって石英管4と導体棒3が冷却される。プラズマ噴出口12からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜16をプラズマ処理することができる。 (もっと読む)


【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。
【解決手段】ラジカル源は、SUSからなる供給管10と、供給管10に接続する熱分解窒化ホウ素(PBN)からなる円筒状のプラズマ生成管11を有している。プラズマ生成管11の外側には、円筒形のCCP電極13が配置されていて、CCP電極13よりも下流側には、プラズマ生成管11の外周に沿って巻かれたコイル12を有している。供給管10とプラズマ生成管11との接続部における供給管10の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管15が挿入されている。 (もっと読む)


【課題】膜厚方向に亘って緻密な薄膜を得ること。また、良好なデバイス構造を得ること。
【解決手段】回転テーブル2を回転させることにより、Si含有ガスとO3ガスとを用いてウエハWに反応生成物を形成する成膜ステップと、プラズマにより前記反応生成物を改質する改質ステップと、からなる成膜−改質処理を複数回行うと共に、薄膜の形成途中にてプラズマの強度を変更する。具体的には、反応生成物の積層膜厚が薄い時(成膜−改質処理を開始した初期)にはプラズマの強度を小さくすると共に、反応生成物の積層膜厚が増加する程(成膜ステップの回数が増える程)、ウエハWに供給するプラズマの強度を段階的に大きくする。あるいは、反応生成物の膜厚が薄い時にプラズマの強度を強くして、その後弱くする。 (もっと読む)


【課題】 内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、真空容器4の壁面に設けられた1以上のアンテナ用開口22と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋24と、各アンテナ用開口22内に設けられたアンテナ導体26と、各アンテナ用開口22内においてアンテナ導体26を覆っている誘電体カップ30とを備えている。各誘電体カップ30は、その底面に複数の小孔を有している。各誘電体カップ30内には、ガス導入部36から導入されたガス34を前記各小孔に導くガス流路を有している誘電体製の充填物38が充填されている。 (もっと読む)


【課題】基板上に堆積された薄膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】プラズマ装置100は、アンテナ21〜24を備える。アンテナ21〜24は、反応容器110の天板112に固定される。アンテナ21,24は、基板ホルダー120との距離が12cmに設定され、アンテナ22,23は、基板ホルダー120との距離が25cmに設定される。アンテナ21〜24は、一方端が平板部材60に接続され、他方端が接地電位GNDに接続される。高周波電源170は、高周波電力を整合器160を介して平板部材60に供給する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面および処理を施した面の損傷を防止し、かつ、生産性も向上することができる原反ロール、この原反ロールの製造方法、および、この原反ロールを使用する基材処理方法を提供する。
【解決手段】長尺なシート状基材の被処理面を当接して積層し、巻回してなる原反ロールを用い、この原反ロールを長手方向に搬送しつつ分離して、個々の基材に処理を施すことにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


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