【課題】小さい膜厚においても高い耐久性および高い耐食性を両立することができるＤＬＣ膜の製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】炭化水素系原料ガスの熱分解により発生させたラジカル粒子により被成膜基板上に第１層を形成する工程と、該炭化水素系原料ガスのプラズマ中で発生させたイオン粒子により第２層を形成する工程とを含むことを特徴とする第１層および第２層から構成されるＤＬＣ膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窓部の損傷を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は処理容器２と、前記処理容器の内部を減圧する減圧部９と、被処理物を載置する載置部４と、内部にガスを供給するガス供給部１８と、電磁波を透過させる窓部３と、前記窓部の外方に配置され、電磁場を発生させる複数の導体部２１と複数の容量部とを有した負荷部２０と、前記負荷部２０に電力を印加する電源６ｂと、を備えている。前記導体部２１と前記容量部とは電気的に交互に接続され、被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記容量部同士の間に設けられた前記導体部２１において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じるようにされ、前記負荷部２０の第１の端子と、第２の端子と、の間における電位差の虚数成分の値が電位差の実数成分の値以下とされている。 （もっと読む）

【課題】互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化でき、高品質の薄膜を成膜できるプラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空槽１と、真空槽１内に配置され、真空槽１の内部空間８を被処理体４が配置される第１の空間８ａと第２の空間８ｂとに仕切る仕切部７と、仕切部７に設けられ、第１の空間８ａに向けてガスを放出するガス放出孔７ｂ１と、ガス放出孔７ｂ１に真空槽１外から第１のガスを導入する第１のガス導入部と、第１の空間８ａに真空槽１外から第２のガスを導入する第２のガス導入部と、第２の空間８ｂ側に配置され、内部空間８に高周波放電によってプラズマを発生させるアンテナ５ｂを備えるプラズマ処理装置を用い、互いに異なるエネルギーでプラズマ化された第１のガスと第２のガスとにより被処理体４上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、弧状の銅管３からなるコイルが、石英ブロック４の周囲に配置され、弧状の銅管３の弧が途切れた部分にプラズマ噴出口８が設けられる。筒状チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅管３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。
【解決手段】前記成分は、処理チャンバ１２内のワークピース１８を処理するために使用される。前記成分送給機構７５は、成分を処理チャンバの所望の領域に出力する複数の成分出力部を含む。前記成分送給機構は、更に、複数の成分出力部に結合された空間分配スイッチ４０，５６を含む。前記空間分配スイッチは、成分を複数の成分出力部の少なくとも一つへ振り向けるように構成される。前記成分送給機構は、更に、空間分配スイッチに接続された単一の成分供給源３６を含む。前記単一の成分供給源は、成分を空間分配スイッチへ供給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】１パスカル以下の低ガス圧でも放電開始や放電維持が容易で、基材表面へのプラズマダメージを最小限にするプラズマ処理装置を提供する。また、大面積プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理容器内に低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体を装着したプラズマ処理装置において、前記低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源として、放電プラズマを持続するための第１の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を給電する第２の高周波電源で構成する。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化することなく、また、コストを抑制しながらも、アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】真空チャンバ１の天井部２ａには高周波電源に電気的に接続された複数の天井側コネクタが設けられる。アレイアンテナユニット３０は、天井側コネクタに接続可能な複数本の電極棒を有し、電極棒が天井側コネクタに接続された状態で高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させる。真空チャンバ１内には、基板を保持する基板搬送体６０の車輪６２をガイドするガイドレール１７が設けられる。アンテナ搬送体７０は、基板搬送体６０と共通のガイドレール１７にガイドされる車輪７２を備えており、アレイアンテナユニット３０を着脱自在に保持した状態で、真空チャンバ１内を移動可能となっている。 （もっと読む）

【課題】結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたＩｎＮを含む半導体層を成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に基板を搬送する際の衝撃を低減する。
【解決手段】駆動モータ２０の出力軸に接続された駆動ピニオン２１を真空チャンバ１内に備え、駆動ピニオン２１を、基板搬送体６０に設けられたラック６４に噛合させて回転させることにより、基板搬送体６０を真空チャンバ１内に搬入するアレイアンテナ式プラズマＣＶＤ装置において、駆動モータ２０を真空用ダイレクトドライブモータで構成し、駆動ピニオン２１を所定の位相に停止させる。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、これら一対の支柱７５ａ、７５ｂ間に懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。移動制限部７８ｂは、延在部７８ａの長手方向に交差する方向にスライドして、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、真空状態に減圧可能な内部にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバと、真空チャンバに設けられ高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタと、これらコネクタそれぞれに接続可能な複数本の電極棒５１を有し、高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させるアレイアンテナユニットと、を備える。アンテナ搬送体７０は、真空チャンバ内を移動可能であって、アレイアンテナユニットを着脱自在に保持するアンテナ保持部材７３、および、このアンテナ保持部材７３に保持されたアレイアンテナユニットを昇降するエアシリンダ７６を有する。アンテナ保持部材７３には、アレイアンテナユニットを揺動可能に保持する荷重受け部７７が設けられる。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、この一対の支柱７５ａ、７５ｂに懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する一対の延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。調整部材７８は、電極棒５１、５２の長手方向に降下して、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の厚み及び膜質の均一性を十分に図りつつ、アンテナ素子２１の洗浄メンテナンスの煩雑化を抑えて、アンテナ素子２１の洗浄メンテナンスの作業時間を大幅に短縮することができる。
【解決手段】
導電材料により構成された断面円形状の電極棒３７と、電極棒３７の外側に囲むように設けられかつ誘電材料により構成された断面環状の外筒３９と、を備え、電極棒３７の外周面及び外筒３９の内周面のうちの少なくともいずれかに溝４５又は４７が形成され、溝４５又は４７が電極棒３７の基端側から先端側にかけて連続して延びていること。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ被膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされた、少なくとも１種類の金属が含有されたＤＬＣ被膜であって、炭素同士の結合の割合および金属と炭素の結合の割合の合計に対して、金属と炭素の結合の割合が２０％以下であるＤＬＣ被膜。プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＤＬＣ被膜を製造するＤＬＣ被膜の製造方法であって、炭化水素と不活性ガスの導入雰囲気中で、金属ターゲットをスパッタリングしつつ炭化水素を解離させて、基材上に、前記金属を含有するＤＬＣ被膜を成膜するＤＬＣ被膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数本の誘導結合型電極４５の着脱作業を含む一連の誘導結合型電極４５のメンテナンス作業を簡略化する。
【解決手段】一対の可動支持部材３１に梁部材６３の両端部が着脱可能に支持され、梁部材６３に複数の分割サポート部材６９Ｓが左右方向に沿って設けられ、分割サポート部材６９Ｓに複数の第１支持孔７５及び複数の第２支持孔７７が左右方向に沿って形成され、一対の可動支持部材３１にアレイアンテナユニット３５をセットした状態で、一対の可動支持部材３１を上方向へ移動させると、各第１アンテナ側コネクタ４７が第１天井側コネクタ１７に接続しかつ各第２アンテナ側コネクタ５１が第２天井側コネクタ１９に接続するようになっていること。 （もっと読む）

【課題】複数本の誘導結合型電極５３の着脱作業を含む一連の誘導結合型電極５３のメンテナンス作業を簡略化すること。
【解決手段】真空チャンバー３の天井壁１５の内壁面に可動ガイドレール２９が上下方向へ移動可能に設けられ、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓが左右方向に移動可能に支持され、各分割ホルダ４１Ｓにおける各一対の第１保持孔４５及び第２保持孔４７に誘導結合型電極５３が挿通した状態で保持され、可動ガイドレール２９に複数の分割ホルダ４１Ｓをセットした状態で、可動ガイドレール２９を基準のレール高さ位置まで上方向へ移動させると、各第１アンテナ側コネクタ５７が第１天井側コネクタ１７に接続しかつ各第２アンテナ側コネクタ６１が第２天井側コネクタ１９に接続すること。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー３の天井壁１５側に対する複数本の誘導結合型電極４７の着脱作業の容易化をより一層図ること。
【解決手段】真空チャンバー３の天井壁１５の外壁面に一対の支持櫓９５が着脱可能に設けられ、各支持櫓９５にスプリングバランサ１０１が吊すように設けられ、各スプリングバランサ１０１の作動部材１０７の先端部に真空チャンバー３の天井壁１５の通孔１７に挿通可能かつ上下方向へ移動可能な一対のスライドバー１１１が連結され、各一対のスライドバー１１１の下端部にホルダ６５を係止可能な係止部材１１５が連結されていること。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームと平行に原料ガスをウェハに導入でき、ウェハ上に形成される膜の面内均一性を向上することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】コイル１８によって希ガスを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生部１２から中性粒子を取り出して反応室１０内のウェハ１４に向けて導入できる複数の開口２２ａを有するカソード電極２２と、ウェハ１４の直上から前記中性粒子と平行に原料ガスをウェハに供給するガス供給部３１と、を具備するＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）