【課題】膜厚の正確な予測が可能な成膜形状シミュレーション及びこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基体の表面に堆積種を供給することにより形成される薄膜の厚みを計算する成膜形状シミュレーション方法であって、計算に用いるパラメータを、堆積された薄膜の厚みに応じて変更することを特徴とする成膜形状シミュレーション方法が提供される。また、本発明の他の一態様によれば、上記の成膜形状シミュレーション方法により薄膜の堆積条件を求め、前記求められた条件により薄膜を堆積することを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

不均一効果-システム又はプロセスに起因する不均一性を含む-を補償するため、半径方向又は非半径方向の温度分布が、プロセス中基板全体にわたって制御される。ウエハ支持チャック（基板支持台20,20a）上の各異なる領域にわたって各異なるようにして背面ガスを流してウエハ全体にわたって熱伝導を変化させることにより、温度が-好適には動的に-制御される。前記支持台(20,20a)内のポート(26,26a)は1つの群をなす。前記領域の各々でのガス圧力を制御して空間的かつ好適には動的にウエハ温度を制御することでシステム及びプロセスの不均一性を補償する制御装置(35)に応答する各異なるバルブ(32)によって、前記群に対して出入りするガスは各独立して制御される。ポート(26,26a)及び該ポート(26,26a)を取り囲む複数のポート(26,26a)へのガス流に影響を及ぼすバルブを各独立かつ動的に制御することによって、各異なるポート(26,26a)での前記背面ガスの圧力を制御して前記基板の背面に及ぶ局所的な力を制御することによって、ウエハの変形は影響を受ける。
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【課題】良好なエッジロールオフ値および良好な局所的平坦度を有すると同時に、望ましくない結晶欠陥、背面のハロ、オートドーピングおよびナノトポグラフィ作用を回避した、応力フリーのエピタキシャルコーディング半導体ウェハおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル反応器にて化学蒸着により、半導体ウェハの前面に層をデポジットする際に半導体ウェハを支持する装置に関しており、この装置は、ガス通気性構造を有するサセプタと、このサセプタに配置されるリングとを有しており、このリングは、上記のサスセプタと、支持される前記半導体ウェハとの間の熱バッファとして作用する。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体表面に、硬質被覆層として、（ａ）下部層が、ＴｉとＣｒの合量に対するＣｒの含有割合（Ｃｒ／（Ｔｉ＋Ｃｒ））が０．００５〜０．０５（ただし、原子比）であるＴｉとＣｒの複合炭窒化物層、（ｂ）中間層が、Ｘ線による結晶構造回折において、（０００２）面からの相対Ｘ線回折強度Ｉ_Ｒ（０００２）が最大のピークを示す六方晶Ｃｒ_２Ｎ層、（ｃ）上部層が、ＡｌとＣｒの合量に対するＣｒの含有割合（Ｃｒ／（Ａｌ＋Ｃｒ））が０．０１〜０．１０（ただし、原子比）であるＡｌとＣｒの複合酸化物層、を化学蒸着で形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマ分布を数値解析するプログラムを提供すること。
【解決手段】計算領域の形状情報、誘電率、電気伝導率、メッシュ情報、及び境界条件、フィッティングパラメータ、反応毎のパラメータ、背景ガスの圧量及び温度、入力される電磁波の周波数、投入電力及び電磁波モード、並びに、初期の電子密度分布の入力を受け付け（Ｓ１〜Ｓ４）、電子密度分布から誘電率分布を求め（Ｓ６）、形状情報、メッシュ情報、境界条件、誘電率分布、並びに、電磁波の周波数、投入電力及び電磁波モードの下で、マクスウェル方程式を用いて電界分布を求め（Ｓ７）、電界分布、形状情報、メッシュ情報、フィッティングパラメータ、反応毎のパラメータ、背景ガスの圧力及び温度、並びに、電磁波の周波数の下で、一つの電子輸送方程式を用いた数値計算によって電子密度分布を求め（Ｓ８）、電子密度分布の変化が収束するまで処理（Ｓ６〜Ｓ９）を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】プラズマを安定・均一化でき、大面積で均一な半導体薄膜を成膜することができるプラズマＣＶＤ方法を用いた半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】枠体（支持部材）８に薄膜を成膜すべきガラス基板（基体）２０が装着されており、ガラス基板２０の一部が開口１６から露出し、露出面２２を形成している。枠体８は露出面２２の周囲に面状部２５を有する。面状部２５は内周面（基体側電極対向面）２６と外周面（端部側電極対向面）２７とで構成されており、内周面２６と外周面２７とが段差２８を形成している。外周面２７は内周面２６に対して内側（電極側）に突出している。段差２８により成膜領域にプラズマを閉じ込めることができ、成膜領域のプラズマが均一化される。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速切削ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層が、化学蒸着により形成されたＴｉ化合物層、（ｂ）中間層が、化学蒸着により形成されたα型Ａｌ₂Ｏ₃層、（ｃ）上部層が、特定の組成式：（Ｔｉ_{１−Ｘ−Ｙ}Ａｌ_ＸＭ_Ｙ）Ｎであり、Ｍは、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｙ、Ｂから選ばれた１種または２種以上の添加成分を示す）を満足する物理蒸着により形成されたＴｉとＡｌ（とＭ）の複合窒化物層、で構成された５〜３０μｍの全体平均層厚の硬質被覆層を蒸着形成してなる被覆工具において、中間層を構成するα型Ａｌ₂Ｏ₃層の個々の結晶粒の（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、４５〜９０度の範囲を傾斜角度数分布グラフで表した場合、８３〜９０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、この度数合計が、度数全体の４５％以上となるα型Ａｌ₂Ｏ₃層で中間層を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面温度の、水平方向における平均値からの偏差を、より効果的に低減する。
【解決手段】ＣＶＤ反応炉のプロセスチャンバ(12)のガス流により形成される動的なガスクッション(8)上で基板ホルダキャリア(1)により支持される基板ホルダ(2)上に載置される基板(9)の表面温度を制御する方法において、熱は、少なくとも部分的に、ガスクッションを介した熱伝導により基板(9)へ導入される。水平方向における基板の表面温度の、平均値からの偏差を低減するために、ガスクッション(8)を形成するガス流が、異なる熱伝導性をもつ２つまたはそれ以上のガス(17,18)で形成されるようにし、その組成を、計測される基板温度の関数として変化させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく、均一な処理を行なうことが可能な処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】処理装置１は、反応室３と、保持部材としてのサセプタ５と、加熱部材としてのヒータ６と、方向変更部材としての輻射体１０とを備える。サセプタ５は、反応室３の内部において、反応ガスを用いて処理される処理対象物としての基板を保持する。ヒータ６は、サセプタ５に保持された基板を加熱する。輻射体１０は、ヒータ６により加熱された基板およびサセプタ５から出射する輻射エネルギー束の進行方向を変更する。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆切削チップを提供する。
【解決手段】被覆切削チップの硬質被覆層の下部層の１層および上部層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用いて、それぞれ結晶粒の結晶面である（００１）面および（０１１）面（下部層）、並びに（０００１）面および（１０-１０）面（上部層）の法線がなす傾斜角を測定し、この結果得られた測定傾斜角に基づいて作製した構成原子共有格子点分布グラフにおいて、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３のΣＮ＋１全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質ＴｉＣＮ層（下部層）および改質Ａｌ_２Ｏ_３層（上部層）で構成し、前記上部層の表面を研磨して、Ｒａ：０．２μｍ以下の表面粗さとし、かつ前記研磨面に硬質被覆層残留応力低減模様をレーザービーム照射形成してなる。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層を構成するα型Ａｌ₂Ｏ₃層を、改質層と標準層の２重層α型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成し、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、前記測定傾斜角を区分し、各区分内に存在する度数を集計してなる傾斜角度数分布グラフで現した場合、前記改質層は、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在する傾斜角度数分布グラフを示し、前記標準層は、０〜４５度の範囲の測定傾斜角区分全体に亘ってピークが存在しない傾斜角度数分布グラフを示し、さらに硬質被覆層残留応力低減模様を有する。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、成長条件とを駆使し、基板上１０１への成長膜厚を均一にする方法を提供することにある。
【構成】 本発明は、チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する被覆切削チップを提供する。
【解決手段】硬質被覆層のＴｉ化合物のうちの１層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（００１）面および（０１１）面の法線がなす傾斜角を測定し、この結果得られた測定傾斜角に基づいて作成された構成原子共有格子点分布グラフにおいて、Σ３に最高ピークが存在し、かつ前記Σ３の全体に占める分布割合が６０％以上である構成原子共有格子点分布グラフを示す改質（Ｔｉ，Ｃｒ）ＣＮ層で構成し、かつ、同Ａｌ₂Ｏ₃層の表面を研磨して、その表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下とすると共に、前記研磨面に硬質被覆層残留応力低減模様をレーザービーム照射形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 ガス供給配管から送入されるガスを受け入れて反応室内の基板面上に、ガス流の流速バラツキを抑制して供給可能な化学的気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ガス供給配管９０，９１から送入されるガスを受け入れて反応室内１００に搬送供給するためのガス流路構造が、送入ガス流の流速を低減させる前段部１０，２０と、減速されたガス流を拡散放出する後段部４０，４１を有し、後段部が、ガス流の流線が４５度以上屈曲する屈曲個所を２個所以上有する屈曲した平板状のガス流路空間４２〜４６を有し、少なくとも１ヶ所以上の屈曲個所においてその上流側と下流側でガス流路空間のガス流の流線に垂直な断面での断面積が拡大している。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】硬質被覆層のＴｉＣＮ層およびα型Ａｌ_２Ｏ_３層が、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する立方晶結晶格子および六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である｛１１２｝面および{０００１}面の法線がなす傾斜角を測定し、前記測定傾斜角のうち、０〜４５度の範囲内にある測定傾斜角を区分し、各区分内の度数を集計してなる傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記０〜１０度の範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の４５％以上の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示し、かつ硬質被覆層残留応力低減模様を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの端部近傍領域まで均一に加熱することが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、被処理ウェーハ１が導入される反応室２と、反応室２に反応ガスを供給するためのガス供給手段３と、反応室１より反応ガスを排出するためのガス排出手段４と、被処理ウェーハ１を外周部において保持するためのホルダー６と、ホルダー６を介して被処理ウェーハ１を回転させるための回転駆動手段５と、被処理ウェーハ１を下部より加熱するためのヒータ７と、ホルダー６を高周波誘導加熱するための誘導コイル８を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板処理中の熱による被エッチング部材の熱変形や位置の変動、及び被エッチング部材同士の接触等を防止し、均一な基板処理が可能な基板処理装置の提供。
【解決手段】 円環部材１２や桁部材１３などの被エッチング部材の熱変位を抑制可能な被エッチング部材支持体１４により被エッチング部材１１を支持して基板処理を行う。これにより基板処理中の被エッチング部材１１の熱変位が抑制され、基板処理をより均一にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】難削材の切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、３〜２０μｍのＴｉ化合物層の下部層と、０．１〜１．９μｍの密着α型Ａｌ₂Ｏ₃層の層間密着層と、６〜２０μｍの改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層の上部層からなる硬質被覆層を形成してなる被覆サーメット工具の前記上部層および層間密着層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定して、傾斜角度数分布グラフを作成した場合、それぞれ３０〜４５度および７５〜９０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記傾斜角区分内に存在する度数の合計が度数全体の５０％以上である傾斜角度数分布グラフを示すα型Ａｌ₂Ｏ₃層で構成し、かつ前記かつ前記改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層の表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下としてなる。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層の改質κ（カッパ−）型酸化アルミニウム層が優れた粒界面強度を有する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、下部層が、３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層、上部層が、１〜１５μｍの平均層厚を有し、かつ化学蒸着した状態でκ（カッパ−）型の結晶構造を有すると共に、それぞれ隣接する結晶粒相互の界面（結晶粒界面単位）における（００１）面の法線同士の交わる角度が１０°以下で、かつ（０１０）面の法線同士の交わる角度が５５°以上６５°以下である結晶粒界面単位が、全結晶粒界面単位の４０％以上の割合を占める結晶粒界面配列を示す改質κ（カッパ−）型Ａｌ_２Ｏ_３層、以上で構成された硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して均一に処理を行なうことができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置は、処理面をガス流路に配置するように被処理基板３１を支持するための基板支持部材２３ａと、第１ヒータ１と、被処理基板３１に対して第１ヒータよりも離れて配置された第２ヒータ３ａとを含む。第１ヒータ１および第２ヒータ３ａは、それぞれの加熱面が処理面とほぼ平行になるように配置されている。第１ヒータ１は、平面視したときの被処理基板３１のほぼ中央に対応する部分に形成された開口部１７ａを有する。 （もっと読む）