【課題】高密度プラズマ化学気相蒸着による絶縁膜の蒸着時、ウェハー５０の中央部が非対照的に厚くまたは薄くなり、後続の化学機械研磨工程における研磨の均一度が低下する。
【解決手段】上部チャンバー１３０および下部チャンバー１２０により構成される蒸着チャンバーと;蒸着チャンバーの下部に設置され、高周波数電源が印加されるとともに、ウェハー１５０が載置される静電チャック１４０と;蒸着チャンバー内の側壁に固定され、水平面に対して所定間隔を有して配置されるとともに、化学気相蒸着用ソースガスを噴射する多数個のガス噴射用インジェクタ１６０と;多数個のガス噴射用インジェクタ１６０の傾斜角度を調整する角度調整手段１７０と;高密度プラズマ化学気相蒸着装置を制御し、角度調整手段１７０によりガス噴射用インジェクタ１６０の傾斜角度を調整する制御手段１８０と；を備える。 （もっと読む）

【課題】 大面積の基板に均一厚さ且つ均質な薄膜を成膜できる表面波励起プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、材料ガス導入システム１０と放電ガス導入システム３０を備え、表面波励起プラズマＰにより材料ガスＧ１を乖離して基板Ｓに成膜する。材料ガスＧ１は、分岐点Ｑ１で複数に分岐されたガス導入管１２，２２，２３を通ってシャワーヘッド１５ａ，２４ａ，２７ａからチャンバー１内に導入される。ガス導入管１２，２２，２３を通る材料ガスＧ１の流量を、それぞれニードルバルブ１２ａ，２２ａ，２３ａで調節することにより、シャワーヘッド１５ａ，２４ａ，２７ａからチャンバー１内へ導入する量を等しくし、チャンバ１内の材料ガスの濃度分布を均一化する。 （もっと読む）

【課題】膜厚均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】調整用基板３７を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態でプロダクト用基板３６を回転させて成膜する。基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるようにするには、反応炉の温度分布を調整することにより行う。 （もっと読む）

リモートプラズマと処理室全体に渡って発生させたプラズマの長所を組み合わせて良好なプロセスを実現することが可能な基板処理装置を提供する。
基板処理装置は、処理空間１を外側から囲うように設けられアースに接地された導電性部材１０と、導電性部材の内側に設けられた一対の電極４を有している。絶縁トランス７の１次側コイルが高周波電源部１４に接続され、２次側コイルが電極４に接続されている。２次側コイルと電極４とを接続する接続ラインには切換スイッチ１３が接続されている。切換スイッチ１３を用いて接続ラインのアースへの接続／非接続を切り換えることにより、処理空間１でのプラズマ発生領域を切り換えることができる。
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【課題】優れた膜厚均一性を確保することができ、簡単な構造であってかつ安価なＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】内部に基板設置部２５を備えるチャンバー１４の内部に基板処理用のガスを供給して上記基板設置部材２５にセットされる基板１１に処理を施すガス導入部２４を有し、ガス導入部２４が、複数の管１とこれら管１を連通させる管連通・支持部材４とを有するとともに各管１に多数の孔２が設けられ、かつ、上記基板設置部材２５のガス導入部２４とは反対側にコンダクタンス調整のための開口板（コンダクタンスプレート）１７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体表面に、下部層Ｔｉ化合物層、上部層α型Ａｌ_２Ｏ_３層、で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆サーメット製切削工具において、Ｔｉ化合物層のうちの１層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、表面研磨面の測定範囲内に存在する立方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、表面研磨面の法線に対して、結晶粒の結晶面である｛１１２｝面の法線がなす傾斜角を測定したとき、特定傾斜角度数分布グラフを示すＴｉＣＮ層、α型Ａｌ_２Ｏ_３層を、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、表面研磨面の法線に対して、結晶粒の結晶面である{０００１}面の法線がなす傾斜角を測定しとき、特定傾斜角度数分布グラフを示すＡｌ_２Ｏ_３層、で構成する。 （もっと読む）

【課題】 多重プラズマ源（２１２）のアレイ（２１０）及び共通反応体ガスインジェクター（２２０）を用いて大面積平坦面（２３４）に均一皮膜（２３２）を堆積する方法及び装置（２００）。
【解決手段】 本装置（２００）は、各プラズマ源（２１２）が陰極（２１４）、陽極（２１６）及びプラズマ室（２０２）内に配設された非反応性プラズマ源ガス用入口（２１８）を備える複数のプラズマ源（２１２）からなる１以上のアレイ（２１０）と、基体（２３０）を収容する堆積室（２０４）内に配設された共通反応体ガスインジェクター（２２０）とを備える。共通反応体ガスインジェクター（２２０）は、単一の配送系を通し、多重プラズマ源（２１２）で発生した多重プラズマの各々に１種以上の反応体ガスの一様な流れを供給する。１種以上の反応体ガスは複数のプラズマと反応して基体（２３０）上に均一皮膜（２３２）を形成する。
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【課題】半導体気相成長装置において均熱板と基板とが全面で接触する構成では、サセプタ回転中にトレイ内で均熱板が動き、トレイ部分に接触し温度伝達の不均一性を発生させる。
【解決手段】真空処理室内のトレイ２は、先端に規正ピン４と形状記憶合金からなるバネ５がトレイに２箇所以上埋め込まれており、常温時は元の状態で均熱板３と基板１をトレイ２に自動挿入することができる第一の手段と、高温時は伸びた記憶状態になり、均熱板３をセンタリングすることができる第二の手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 定在波の影響などにより処理室内で電界強度分布の変化が生じた場合でも電界強度を適切に制御して所望の電界強度分布を得ることが可能となるプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】 プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部に設けられ被処理基板４にプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ放電発生部とを備える。プラズマ放電発生部は、被処理基板４の処理面と平行な方向にストライプ状に延びる複数の棒状電極部２ｂを含むアノード電極と、アノード電極と対向する位置に間隔をあけて配置されたプレート状のカソード電極２ａとを有する。そして、棒状電極部２ｂの幅や棒状電極部２ｂ間の間隔を異ならせることで、処理室１２内部の電界強度分布を調節する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができるプラズマＣＶＤ装置、基板処理システム、及びプラズマＣＶＤ装置における製膜・セルフクリーニング方法を提供すること
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００は、製膜室１０と、その製膜室１０内に配置された放電電極２０と、その放電電極２０上の複数の給電点６、７のそれぞれに接続された複数の高周波ケーブル８、９と、電力分配器５２を通してそれら複数の高周波ケーブル８、９に高周波電力を供給する高周波電源５０と、それら複数の高周波ケーブル８、９のそれぞれに設けられた複数のインピーダンス変更機構４、５と、それら複数のインピーダンス変更機構４、５に接続された調整部６０とを備える。この調整部６０は、複数のインピーダンス変更機構４、５のそれぞれのインピーダンスＺを調整することによって、複数の給電点６、７のそれぞれに供給される高周波電力を自動的に調整する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体製造装置内において、パーティクルの発生を抑制することが可能な、均熱治具を支持するための石英治具、及びそれを備える半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記課題を解決するため、本発明の石英治具は、半導体ウェーハの主表面上にエピタキシャル層を成長させる半導体製造装置の内部に備えられ、エピタキシャル成長時に、半導体ウェーハを載置するサセプターの温度を均一に保ち、該サセプターの上面と略同一平面上に上面が位置する均熱治具を支持するための石英治具であって、少なくとも当該均熱治具と接触する部分が透明石英にて構成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速切削ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層が１層または２層以上からなり、かつ３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層、（ｂ）上部層が、１〜１５μｍの平均層厚を有し、かつ化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有し、上記工具基体表面と平行な表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、測定傾斜角を０．２５度のピッチ毎に区分すると共に、各区分内に存在する度数を集計してなる傾斜角度数分布グラフにおいて、特定の傾斜角度数分布グラフを示すＡｌ_２Ｏ_３層、以上（ａ）および（ｂ）で構成された硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、（ａ）下部層が２層以上からなり、かつ、３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層、（ｂ）上部層が、化学蒸着形成された、１〜１５μｍの平均層厚を有するＡｌ_２Ｏ_３層、で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆サーメット製切削工具において、上記（ａ）のＴｉ化合物層のうちの１層を、２．５〜１５μｍの平均層厚を有し、結晶粒の結晶面である｛１１２｝面の法線がなす傾斜角を測定し、傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記０〜１０度の範囲内に存在する度数の合計が、傾斜角度数分布グラフにおける度数全体の４５％以上の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示すＴｉＣＮ層、で構成する。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速切削ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層が１層または２層以上からなり、かつ３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層、（ｂ）上部層が、１〜１５μｍの平均層厚を有し、かつ化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有すると共に、結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、傾斜角度数分布グラフにおいて、９〜２０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記９〜２０度の範囲内に存在する度数の合計が、傾斜角度数分布グラフにおける度数全体の４５〜６５％の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示すＡｌ_２Ｏ_３層、以上（ａ）および（ｂ）で構成された硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するシステムであり、前記単一のフローを受け取る入口と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ラインと、少なくとも１つの所望のフロー比率を受け取る入力手段と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供する少なくとも１つのインサイチュ・プロセス・モニタと、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタとに接続されたコントローラとを含む。このコントローラは、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタから前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。製品測定値が等しくない場合には、訂正されたフロー比率は所望のフロー比率とは異なるようになる。
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本発明は、
−ケイ素イオンまたはゲルマニウムイオンのビームを使用して、基材を照射することによる核生成サイト（４）の形成と、
−形成された核生成サイト上でのナノストラクチャー（８）の成長
とを含むナノストラクチャーの形成方法に関する。
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マイクロ波を用いて線状プラズマを形成し、被処理物表面を前記線状プラズマに水平に保ちつつ被処理物の移動中に大気圧下またはその近傍の圧力下で処理を被処理物に施すマイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッドにおいて、プラズマヘッドにＨ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇ／２のピッチで導波管の中心線を挟んで交互に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有するようにする（ここで、λｇ：マイクロ波の管内波長）。また、プラズマヘッドにＥ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇのピッチで導波管の中心線上に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有する均一化線路を配置する。 （もっと読む）

本発明は、熱処理システム内で基板を熱処理する方法に関する。この方法では、基板の目標温度を用意し、熱処理システム内で基板の移動プロファイルを生じさせる。第一位置で基板に熱量を加え、この第一位置で基板上の一つ又は複数の位置に関係する一つ又は複数の温度を測定し、これら一つ又は複数の測定された温度、基板の位置、及び熱処理システムと基板の熱モデルに基づいて、基盤の理論的な位置を生じさせる。また、基板の移動プロファイルに従って、基板の予測された温度プロファイルを生じさせるが、この予測された温度プロファイルは、一つ又は複数の測定された温度と、基板の理論的な位置と、予測された温度プロファイルに基づいて決定された予測された最大の温度に基づく。さらに、予測された最大の温度が目標の基板の温度と等しくなるか、大きくなる時、移動プロファイルに従って、基板を第二位置に移動させる。さらに、理論的な位置のエラーを修正するため、オフセットを用いる。
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化学気相成長反応装置は、反応装置のチャンバと協働して該チャンバ内で反応ガスの層流を促進させる回転可能なウエハキャリヤを有している。前記化学気相成長反応装置は、ＬＥＤ等の製造に使用され得る。 （もっと読む）