【課題】基板上全体に均一な膜厚および膜質を有する薄膜を形成させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】電源部から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｈを備え、前記放電電極３ａ〜３ｈのうち、ガス流量の調整を必要とする放電電極３ａ，３ｈは、第１の原料ガス配管１６ａを介して、原料ガスの流量を調整する第１の流量制御器ＭＦＣ１を備えた第１のガス供給系Ｇ１に接続され、その他の放電電極３ｂ〜３ｇは、第２の原料ガス配管１６ｂを介して、原料ガスの流量を調整する第２の流量制御器ＭＦＣ２を備えた第２のガス供給系Ｇ２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ヒータに対して均一にパージガスを供給することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置は、気相成長を施す基板５を加熱するためのヒータ７と、基板５を保持するためのサセプタ６と、上記ヒータ７に対する基板の反対側において、上記ヒータの対面側の放熱を抑制するために互いに水平に設置された板状かつ複数の対面リフレクタ８ａ、８ｂ、８ｃと、ヒータ７の側面側における放熱を抑制する側面リフレクタ９とを備えており、ヒータ７に対して基板５の反対側から、対面リフレクタへパージガスを供給するパージガス供給管１３と、パージガスを排出する排出口３を備え、対面リフレクタ８ａ、８ｂ、８ｃのそれぞれには、複数の通気孔が形成されており、上記対面リフレクタのうち、隣接する対面リフレクタに形成された複数の通気孔同士は対向しない位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置により薄膜を成膜する基板を、昇温してある成膜プレート上に載置した時の基板の反りを防止することにより、膜質や歩留りの低下を防ぐ。
【解決手段】連続式平行平板型ＣＶＤ装置に用いる成膜プレートへの基板載置方法において、基板を前記成膜プレート上に載置する前および／または載置した後に、基板の略中央部に対し加熱を行う。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】開閉部材の操作によって対応するガス流出口を開閉させ、エピ厚傾きの変化の傾向をモデル化し、エピ厚傾き変化傾向モデルを作成するモデル作成工程Ｓ１と、半導体ウェーハにエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ２と、エピタキシャル層について半導体ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置においてエピタキシャル層の実厚みを測定する実厚み測定工程Ｓ３と、複数の測定位置におけるエピタキシャル層の実厚みに基づいて実厚みのエピ厚傾きである実エピ厚傾きを算出する実エピ厚傾き算出工程Ｓ４と、モデル作成工程Ｓ１により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルに基づいて開閉部材を操作することにより実エピ厚傾きを、その絶対値が小さくなるように修正する実エピ厚傾き修正工程Ｓ１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤを用いて半導体ウェハに堆積させる層の厚さの均一性を改善するために簡単に実現することができる方法を提供する。
【解決手段】平面Eと窓５との間の距離Ｄは前記窓５の中央領域７において及び前記窓５の周辺領域８において外側が内側よりも大きく、かつ前記距離Ｄの半径方向のプロフィールの前記中央領域７と前記周辺領域８との境界部における接線は前記平面と共に１５度以上でかつ２５度以下の角度を形成するように選択することにより、堆積ガスが前記半導体ウェハ４に案内される速度を変更し、その際、前記窓５の中央領域７は前記半導体ウェハ４をカバーする前記窓５の内部領域であり、かつ前記窓５の周辺領域８は前記半導体ウェハ４をカバーしない前記窓の外部領域８であることを特徴とする、半導体ウェハ４に層を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】種々のマイクロ波周波数での使用に容易に適合できる、比較的大きな面積に亙って実質的に均一なプラズマを維持するための、マイクロ波プラズマ装置を提供する。
【解決手段】プラズマをプラズマ領域内２０，２０ａにおいて維持するための真空容器１２。真空容器１２内の、プラズマ領域２０，２０ａに並列に基板を支持するための手段。真空容器１２を望みの圧力に維持するための手段。真空容器１２に作用ガスを導入するための手段１８，１８ａ。遮断波長を制御するための手段を備えた非エバネッセントマイクロ波アプリケータ４０。前記アプリケータ４０は少なくともその一部が真空容器１２内に伸長しており且つ電源からのマイクロ波エネルギーを真空容器１２内へ放射し、プラズマ領域２０，２０ａから前記アプリケータ４０を気体絶縁するための手段６０を具備する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマそのものの特性を変化させることなく、基板上のプラズマの分布を一様にすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１は、真空容器３を有している。
真空容器３の上面には誘電体８が設けられており、誘電体８上には、プラズマ発生用コイル７が設けられている。
真空容器３の内部には基板５１を保持する保持手段２が設けられている。
保持手段２には、調整手段４が設けられている。
プラズマ処理を行う場合は、真空容器３内をガス置換した後にプラズマ発生用コイル７を作動させ、保持手段２にバイアス電位を負荷し、プラズマを発生させる。
そして、調整手段４を用いて、シース面が均一高さ４２に来るように保持手段２の位置を調整する。
このように調整することにより、プラズマ３７の条件を変えることなく、基板５１の表面を均一処理できる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周囲に設けられた整流壁のたわみを軽減することの可能な処理装置を提供する。
【解決手段】
処理容器２０の内部に処理ガスを供給して、載置台３上に載置された被処理体Ｓに例えばエッチング等の処理を行うための処理装置２において、整流部材５は被処理体Ｓの各辺に沿って伸びる複数の整流壁５１を連結して、当該被処理体Ｓを囲むように構成され、各整流壁５１は、その両端部を支持部材５２にて支持され、且つ、その上縁が当該整流壁５１の中央部に向かって徐々に高くなる形状に形成される一方、下縁は前記載置台の上面と平行に形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜を形成する基板表面の温度差を解消して均一な薄膜を形成することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２に回転可能に設けられたプレート受け台１３にそれぞれ保持される載置プレート１４の裏面側に加熱手段（ヒーター１６）を設けた自公転構造を有する気相成長装置において、載置プレートの底面中央部を研削し、載置プレート中央部の厚さを載置プレート外周部の厚さより薄くすることで載置プレートの上面温度を均一化し、載置プレートの上面に保持する基板の表面温度を均一化して均質な薄膜を形成する。 （もっと読む）

急速熱プロセスの間に基板の均一な加熱または冷却を達成するための装置および方法が、開示される。より詳しくは、基板を横断する温度均一性を改善するために急速熱プロセスの間に基板を支持するエッジリングおよび／または反射体プレートの温度を制御するための装置および方法が、開示され、それは、エッジリングを加熱または冷却するためにエッジリングに隣接する熱質量またはプレートを伴う。
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プラズマチャンバ内のプラズマ放電の強度および分布を制御する装置および方法が提供される。一実施形態では、径方向成分および軸方向成分を有する電界をチャンバ内部に得るために、成形された電極が基板サポート内に埋め込まれる。別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリのフェースプレート電極がアイソレータによって複数のゾーンに分割され、それによって、それぞれ異なる電圧が異なるゾーンに印加されることが可能になる。加えて、１つまたは複数の電極をチャンバ側壁内に埋め込むこともできる。
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【課題】プロセスガスの均一性の向上を図るガス導入路を提供する。
【解決手段】本発明に従ったスパッタ装置は、基板を保持する基板保持手段、及び基板の周囲を囲む複数の位置に閉曲線状に配置された複数のガス噴出口を有するガス導入経路を有し、閉曲線上の略対向する少なくとも２つの位置にガス導入接続口が設けられている。このようなガス導入経路の２つが基板の表面側と裏面側にそれぞれ基板に対し対称的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】面内の良好な電気的特性を備える膜を形成することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は基板１１が載置される陽極１０２と、陽極１０２との間でプラズマを発生させる陰極１０３と、ステージ１０４と、ステージ１０４内に設置された冷却部２０１と、を備える。冷却部２０１の冷却ヘッド部２０１ａのステージ１０４と対向する面に、凹部２０１ｃが形成されることにより、冷却ヘッド部２０１ａの周縁部のみがステージ１０４に当接する。これにより基板１１は周辺領域から冷却され、基板の中心領域から周辺領域へと熱流を生じさせることができ、基板１１内に温度勾配を生じさせることができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内分布を均一に近づけることを可能にする、プラズマＣＶＤ法によりカーボン保護層を形成するための保護層形成装置を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によりカーボン保護層を形成するための保護膜形成装置１００は、プラズマビームを発生する円環状のアノード１０１と、アノード１０１と被成膜基板との間に配置された円盤状のシールド１０２とを備える。アノード１０１と被成膜基板の配置領域は平行であり、これらの中心を結ぶ直線はこの配置領域と直交する。シールド１０２は、その中心が前述の直線上にある。 （もっと読む）

【課題】 製膜されるシリコン薄膜の面積を大きくしても、シリコン薄膜の膜厚分布のばらつきをおさえることができる真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法を提供する。
【解決手段】 電源部１７から高周波電力が給電点５３，５４に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する放電電極３ａと、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相および振幅を、給電点５３，５４のそれぞれにおいて調節する複数の整合器１３ａｔ，１３ａｂと、を備え、整合器１３ａｔ，１３ａｂのインピーダンスは、給電点５３，５４間における高周波電力の位相差に基づいて調節されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を、長時間に渡って安定して形成することができる堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】基体１１２が設置される減圧可能な反応容器１１１と、該反応容器内を減圧可能とする排気手段とを含み、基体１１２上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置である。上記排気手段は、排気部を介して反応容器１１１と接続されている。該排気部は、反応容器１１１の側壁の開口部を覆って取り付けられ、基体１１２の長手方向に沿って配列する複数の穴が形成された排気筒取付板１４５と、前記複数の穴にそれぞれ設けられた複数の排気筒１４６−１〜１４６−６とを有する。さらに排気部は、堆積膜形成時にそれら排気筒のコンダクタンスを調整する手段１４７を有している。 （もっと読む）

【課題】 ワークピースの表面の上に一様なイオン流束の瞬間分布を生成する。具体的には、我々の発明において磁気励起は、新規な磁界パターンを生成するマグネットによってなされる。ワークピースに平行且つこれに隣接する領域内では、その地点における磁界の方向が、（１）その点における磁界の大きさの勾配と（２）ワークピース面から垂直にプラズマの方へ延びるベクトルとのベクトル外積となるように、瞬間磁界の大きさと方向が関連している。
【解決手段】 磁気励起は、新規な磁界パターンを生成するマグネットによってなされる。ワークピースに平行且つこれに隣接する領域内では、その地点における磁界の方向が、（１）その点における磁界の大きさの勾配と（２）ワークピース面から垂直にプラズマの方へ延びるベクトルとのベクトル外積となるように、瞬間磁界の大きさと方向が関連している。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度分布を基板間で揃え、これにより基板間における成膜処理のばらつきを抑えることのできる成膜方法などを提供する。
【解決手段】本成膜方法は、ステージ１２の載置面の放射率分布を多数作成し（Ｓ１）、これらに基づき成膜処理時の基板の温度分布を推測した後（Ｓ２）、処理枚数ごとに成膜処理時の基板の温度分布を実測して（Ｓ３）、推測結果と実測結果とをマッチングし、基板処理枚数ごとのステージ１２の放射率分布を求める（Ｓ４）。そしてこれらの放射率分布に基づいて処理枚数ごとの基板表面の温度分布が１枚目処理時のものと揃うように、ヒータ２ａ、２ｂの電力供給比を決定し、これを供給比テーブル５３に記憶した後（Ｓ５）、この供給比テーブル５３を参照しながらヒータ２ａ、２ｂの電力比制御を行って成膜処理を実行する（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】気相原料を使った金属膜の成膜技術であって、半導体ウェハ周辺部への金属膜の堆積を確実に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】被処理基板表面に金属カルボニル原料の気相分子を供給し、前記被処理基板表面近傍において分解させることにより、前記被処理基板表面に金属膜２１を堆積する成膜方法において、前記処理基板表面に金属層を堆積する際に、前記被処理基板の外周部に隣接する領域において前記金属カルボニル原料を優先的に分解させ、前記被処理基板外周部近傍において、雰囲気中のＣＯ濃度を局所的に増大させ、前記外周部への金属膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ−エンハンスドコーティングプロセスをサポートする装置（８）に関する。
【解決手段】該装置は、プラズマ及び／又はコートされる基板及び／又はプラズマ生成のために設けられた電極の近傍に配置可能であり、プラズマ領域の側部又は面、又は基板又は基板を運搬する運搬要素を配置できる面、又は電極の１つ又はその一部を少なくとも部分的に囲む、又は制限するフレームが設けられていて、ガス状媒体を吸引可能な１つ又はいくつかの吸引開口部１０のあるキャビティ又は吸引チャネル１３が含まれている。 （もっと読む）