【課題】熱的影響をポリ乳酸基材に与えることなく、しかも水分の影響による膜剥離の問題を生じることなく、密着性に優れ、しかもガスバリア性に優れ、水分透過性も低い蒸着膜が表面に形成されたポリ乳酸成形品の製造方法を提供する。
【解決手段】脂肪族不飽和基を有し且つ分子中に酸素を有していない有機ケイ素化合物（例えばトリメチルビニルシラン）と、脂肪族不飽和炭化水素（例えばエチレン或いはアセチレン）との混合ガスを反応性ガスとして使用し、該反応性ガスをポリ乳酸基材上に供給してのプラズマＣＶＤにより、ポリ乳酸基材上に蒸着膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】目的は、製品の品質のバッチ毎のばらつきが抑制される薄膜製造方法及び薄膜製造システムを提供すること。
【解決手段】薄膜製造装置１を用いた薄膜製造方法は、（ａ）製膜バッチ処理Ｌを実行して基板８上に薄膜１１３を形成する工程を具備する。（ａ）工程は、（ａ１）基板８を対向電極２に保持する工程と、（ａ２）製膜室６内に薄膜１１３の原料を含むガスＬを導入する工程と、（ａ３）ガスＬを導入しながら、放電電極３と対向電極２との間に高周波電力１０５を印加して基板８上に薄膜１１３を形成する工程とを含む。（ａ）工程は、薄膜製造装置１についてのセルフクリーニングＮの後、その次のセルフクリーニングＮ’の前に実行される。（ａ３）工程において、セルフクリーニングＮから製膜バッチ処理Ｌまでに薄膜製造装置１が実行する製膜バッチ処理の回数Ｌに基づいて高周波電力１０５が制御される。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理装置において、ローディング時における反応管の内壁の温度安定化を図り、例えば内壁に付着している膜剥がれを抑えてパーティクル汚染を低減すること。
【解決手段】予め反応管の内壁に内壁温度センサーを取り付け、内壁温度センサーの検出値及び加熱手段に供給される電力の指令値の各時系列データを求めておき、ローディング時にこれらデータに基づいて直前の電力の指令値から、内壁温度を予測し、この内壁温度の予測値を制御対象とする。そしてローディングが終了する前に反応管の外に設けた温度検出部の温度検出値に徐々に制御対象を移行し、やがてこの温度検出値を制御対象とする。 （もっと読む）

【課題】タンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造用のＶＨＦプラズマＣＶＤ装置を構成するプラズマ発生源に関し、定在波の影響及び一対の電極間以外に発生の有害プラズマの発生を抑制し、且つ、供給電力の該一対の電極間以外での消費を抑制可能な大面積・均一のＶＨＦプラズマＣＶＤ装置及びその方法を提供する。
【解決手段】電極上の互いに対向する位置に配置された第１及び第２の給電点間の距離を使用電力の波長の二分の一の整数倍に設定し、２台のパルス変調可能な位相可変２出力の高周波電源から出力される時間的に分離されたパルス電力を供給することにより、腹の位置が該第１及び第２の給電点の位置に合致した第１の定在波と、節の位置が該第１及び第２の給電点の位置に合致した第２の定在波とを時間的に交互に発生させる構成を有する。 （もっと読む）

中空体の中において境界層の蒸着を行なうよう中空体の中にコールドプラズマを作り出すためのマグネトロン（１６）のための高電圧電力供給発電機を制御するための方法であって、当該方法は、複数の動作モード（モード１，モード２，モード３）から発電機動作モードを選択（Ｅ２）することと、マグネトロン（１６）の設定供給電力Ｐ_moyに従ってマグネトロン（１６）の供給電力の波形の最大電力Ｐ_maxを規定する少なくとも１つの係数（（ａ，ｂ，ｃ）；（ａ１，ｂ１，ｃ１））を変動させることにより発電機の動作モード（モード１，モード２，モード３）を修正することを含み、マグネトロン（１６）の供給波形が、設定平均電力Ｐ_moyおよび／または最大電力Ｐ_maxに依存して、周期通流率Ｔｈで再帰的に繰返されることを特徴とする。
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【課題】被処理体に付着する異物数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室にガスを供給する手段と、処理室を減圧する排気手段と、プラズマ生成用高周波電源と、磁場を生成するためのコイルと、被処理体を載置するための載置電極とを有する半導体製造装置において、被処理体への所定の処理を行っている時のプラズマ分布に比べて、プラズマ着火時または所定の処理終了後の被処理体面内のプラズマ分布が凸型になるように、磁場分布を変更することにより、被処理体直上の処理ガスの温度勾配を発生させ、熱泳動力によって異物粒子を前記被処理体の外周方向に輸送した。 （もっと読む）

【課題】プラズマによるスパッタ効果等で内壁に付着している不要な薄膜を除去するようにし、後工程におけるプラズマ成膜時にパーティクルが発生することを大幅に抑制することが可能な処理装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】縦型の処理容器２４と、複数枚の被処理体Ｗを処理容器内へ収容する保持手段３２と、容器側壁に沿って設けられたプラズマ室７０と、プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段４８と、プラズマ室にプラズマを立てるためのプラズマ形成手段７２と、加熱手段１００とを有し、プラズマにより発生した活性種によるプラズマ成膜処理とプラズマを用いない加熱による成膜処理とを選択的に行うことができる処理装置をクリーニングする方法において、プラズマ用ガス供給手段からプラズマ化が可能なクリーニングガスを供給しつつ前記プラズマを発生させてクリーニング処理を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】 構造欠陥の抑制、処理特性の均一性向上、処理特性のロット間ばらつき抑制を高いレベルで実現可能なプラズマ処理装置、プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 反応容器中に周波数の異なる複数の高周波電力を供給するための複数の高周波電力供給系を有したプラズマ処理装置、及びそれを用いたプラズマ処理方法において、少なくとも1つの高周波電力供給系は高周波電源とマッチング回路、及び前記高周波電源と前記マッチング回路の間に設けられたフィルター回路を有し、更に、他の電力供給系から供給された電力であって前記フィルター回路へ回り込む電力を検出するための手段を有する。 （もっと読む）

【課題】スループットを大幅に向上させることが可能なプラズマ処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】処理容器内へ不活性ガスと処理ガスとを供給してプラズマの存在下にて被処理体に対して処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、処理容器内へ不活性ガスの供給を開始して処理容器内の圧力をプラズマが着火できるような圧力に設定する着火圧力設定工程と、処理容器内への処理ガスの供給を開始すると共に、処理ガスが処理容器内に充満してプラズマが着火不能になる前にプラズマを着火するプラズマ着火工程と、処理容器内の圧力を所定の処理を行うためのプロセス圧力に変化させて圧力調整する圧力調整工程と、プラズマを着火して維持するために供給しているプラズマ用電力を所定の処理を行うためのプラズマ用電力の値に変更して所定の処理を行う処理実行工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ｉ型非晶質シリコン系光電変換層とｉ型結晶質シリコン系光電変換層を同一の成膜室内でプラズマＣＶＤ法により形成しても、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層にも良質な膜を得ることができる、シリコン系薄膜光電変換素子の製造方法、製造装置および光電変換素子を提供する。
【解決手段】プラズマ発生用の電力供給手段１０８にＣＷ交流電源とパルス変調された交流電源の両方を備え、ＣＷ交流電源を用いてｉ型結晶質シリコン系光電変換層を成膜し、パルス変調された交流電源を用いてｉ型非晶質シリコン系光電変換層を成膜する。パルス変調された交流電源では、瞬間的な印加電圧を大きくすることができ、均一なプラズマを発生させ、かつ、投入される電力量の時間平均値を低減し成膜速度を低下させることができるので、良質なｉ型非晶質シリコン系光電変換層が成膜できる。 （もっと読む）

【課題】同一のプラズマ反応室内において、少なくとも２のプラズマ処理工程を行う場合、その装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。これにより、装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】最適な電力比率値を短時間で取得し、当該電力比率値に基づいて温度の制御を行うことができる基板処理装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】制御装置１４は、作業者により入力された目標温度及び複数の電力比率値を受け付ける。制御装置１４は、複数の電力比率値から、温度制御に用いる１つの電力比率値を決定し、当該電力比率値に基づいて基板加熱装置４４に供給する電力を調節して、基板４２を加熱する。制御装置１４は、基板４２の温度が安定している状態で温度均一性を算出する。同様に、制御装置１４は、他の電力比率値における温度均一性を算出する。制御装置１４は、複数の電力比率値と、対応する温度均一性とに基づいて、所定の曲線式を算出し、所定の電力比率値の範囲における温度均一性の最小値を求め、この最小値に対応する電力比率値を最適値とする。制御装置１４は、このようにして求められた電力比率値に基づいて基板処理装置本体１２に対して電力を供給し、温度の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチック製品について、被膜で表面を被覆することで、優れたガスバリア性、耐摩耗性、耐衝撃性及び耐傷性に加えて、優れた耐変形性を付与することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る被覆プラスチック製品は、プラスチック成形体の表面上に炭素原子と水素原子とを主構成原子として含む被膜が形成された被覆プラスチック製品である。被膜は、例えば、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ法の陰イオン解析において、単原子炭素のピークに対する３原子炭素のピークの強度比率（Ｃ３／Ｃ１）が０．０７以上であり、かつ、ＤＳＣ法の解析において、１４０〜１５０℃の間に発熱ピークの頂点が出現し、７０〜８０℃の間に吸熱ピークの頂点が出現する。 （もっと読む）

【課題】安全かつ安価に薄膜を形成可能な薄膜形成装置、及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１は、反応室２内に載置された基板21上にシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。有機シラン化合物を含有する原料ガスを前記反応室２へ供給する原料ガス供給手段と、前記反応室２内において、ＣＶＤ法によって前記被薄膜形成対象物上に前記薄膜を形成するＣＶＤ部３とを備える。前記原料ガス供給手段は、ＣＶＤ用気化器４と気化機構40とを備え、薄膜を形成する。また、炭化水素を供給する炭化水素供給機構を備え、前記有機シラン化合物と前記炭化水素を含有する原料ガスを用い、所望のシリコン原子と炭素原子の組成比からなる前記薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対して破損や劣化がなく長期間にわたり安定したプラズマ生成を行うことができる大気圧プラズマ生成用電極を提供する。
【解決手段】ガス供給管２５と高周波電源７によりそれぞれガスと電力とを供給して互いに対向する電極１４，１５間に電界を形成し大気圧下でプラズマを発生させるプラズマ生成装置に用いる一対の電極１４，１５であって、電極１４，１５は導体であり、その導体表面には誘電体層１１，１２が形成され、電極１４，１５の対向面には固体誘電体１６，１７が誘電体層１１，１２を覆うように配置される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により、原料となるガスとして有機材料ガスを用いて絶縁膜を形成する際、温度の上昇を抑制しつつ、有機材料ガスの乖離を十分に行い、絶縁膜を良好なものとする。
【解決手段】 基板にプラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜を成膜する方法であって、前記プラズマＣＶＤ法において、絶縁膜の原料となるガスとして有機材料ガスを用い、且つプラズマを発生させるために印加する高周波電力を、一定の時間間隔を設けて印加することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にてプラズマに接する面をより平坦化するマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は，処理室Ｕと，処理室Ｕ内にマイクロ波を透過させる複数の誘電体パーツ３１と，誘電体パーツ３１を支持する梁２７と，処理室Ｕの外部から梁２７を処理容器に固定する固定手段と，を備える。固定手段は，処理室Ｕの外部から処理室Ｕに設けられた複数の貫通孔２１ｂを貫通して梁２７と螺合する複数の雄ネジ５６を有する。複数のネジ５６により処理室Ｕの外部から梁２７を処理室Ｕに固定するため，プラズマに接する梁２７の面Ｓが平坦化する。これにより，面Ｓの凸部に電界エネルギーが集中したり，面Ｓの凹部に異常放電が生じることを回避することができる。この結果，ガスが過剰解離することなく，均一なプラズマにより基板Ｇに良質な膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】伝送線路を流れる信号を検出した際に含まれる信号遅延による位相差検出の誤差を解消する事が可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ中にプラズマを生成するためのアンテナ電極と、被処理材を保持する基板電極と、前記アンテナ電極に伝送線路とインピーダンスマッチング回路を介して電力を供給する第１の高周波電源と、前記基板電極に伝送線路とインピーダンスマッチング回路を介して電力を供給する第２の高周波電力源と、前記第１の高周波電源が供給する電力の位相を検出する第１の検出器１０８と、前記第２の高周波電源が供給する電力の位相を検出する第２の検出器１０９とを有し、前記第１及び第２の検出器のそれぞれは、入力された信号を２値化して出力する２値化回路２０６と、前記アンテナ電極あるいは前記基板電極から前記２値化回路２０６までの伝送線路上の信号遅延を調節する遅延回路２０５を備える。 （もっと読む）

【課題】 インピーダンス整合装置の整合部１０の素子の耐電圧値を超える電圧や、耐電流値を超える電流によって、整合部の素子が破損するおそれがある。従来は、整合部の出力端における電圧を演算して異常を監視していた。しかし、整合動作中の演算負荷が大きい等の課題があった。
【解決手段】 可変インピーダンス素子の可動部が取り得る複数の位置を対象とし、対象となる複数の可動部の位置のそれぞれに対応する許容電力値を予め記憶した記憶部７０と、位置検出部４１，４２から出力された可動部の現在位置と記憶部７０に記憶した許容電力値とに基づいて許容電力値を定め、この許容電力値と入力電力値とを比較して、前記許容電力値よりも入力電力値の方が大きい場合に異常であると判定する異常判定部８０とを備えた。これにより、整合動作中の演算負荷を少なくできる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とをプラズマＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）