プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、前記処理チャンバ内に第１の処理材料を導入するステップと、前記処理チャンバ内に第２の処理材料を導入するステップとを有する。さらに当該方法は、前記基板の表面での前記第１および第２の処理材料の間の還元反応を助長させるプラズマを発生させるため、前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに電磁力を結合するステップを有する。前記処理チャンバ内に、反応性ガスが導入され、該反応性ガスは、前記処理チャンバ内で汚染物質と化学的に反応して、処理チャンバ構成部材または前記基板のうちの少なくとも一つから、前記汚染物質を放出する。
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【課題】その場で観察が可能なＯラジカル強度、Ｏ₂イオン強度およびヘリウムの発光スペクトルを測定し、この測定結果に基づいて成膜中におけるシリコン酸化膜中の炭素系不純物を迅速に検出することが可能なプラズマＣＶＤ装置の膜質検出方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置のチャンバ内にテトラエトキシシラン、酸素およびヘリウムからなる混合ガスを一定ガス流量比で供給し、一定圧力下にて高周波電力を投入して基板表面にシリコン酸化膜を成膜する際、そのシリコン酸化膜中の炭素系不純物を検出する膜質検出方法であって、前記チャンバ内のＯラジカル、Ｏ₂イオンおよびヘリウムの発光スペクトルを解析してＯラジカル発光強度／Ｈｅ発光強度の比、およびＯ₂イオン発光強度／Ｈｅ発光強度の比を測定し、この測定結果を予め決められた関係式に代入して成膜中におけるシリコン酸化膜中の炭素系不純物を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップを有する。処理チャンバ内に、第１の処理材料が導入され、処理チャンバ内に、第２の処理材料が導入される。第２の処理材料の導入の間、処理チャンバには、６００Ｗを超える電磁力が結合され、基板の表面での第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進するプラズマが発生する。第１の処理材料と第２の処理材料の交互の導入により、基板上に膜が形成される。
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【課題】層間膜にＳｉＯＣ膜を用いた半導体装置の信頼性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＣＨ_３結合とＳｉ−Ｏ結合との結合比が２.５０％未満のＳｉＯＣ膜で層間膜を形成する、あるいはＳｉＯ−Ｏ結合に対するＳｉ−ＯＨ結合の強度比が０.０００７を超える、ＳｉＯ−Ｏ結合に対する波長２２３０ｃｍ^−１におけるＳｉ−Ｈ結合の強度比が０.００５０を超える、およびＳｉＯ−Ｏ結合に対する波長２１７０ｃｍ^−１におけるＳｉ−Ｈ結合の強度比が０.００６７を超えるＳｉＯＣ膜で層間膜を形成することにより、層間膜の比誘電率を３以下とすると共に、硬度または弾性率の低下を抑えて層間膜の機械的強度の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性を改善するために内部に埋め込まれたナノ層を有する低ｋ誘電体ＣＶＤ膜の形成方法を提供すること
【解決手段】 約１×１０^−１０ｍ／秒又はそれ以上の亀裂速度を有する１つ又は複数の膜（１４）と、この１つ又は複数の膜（１４）内にあるか又はそれに直接接触した少なくとも１つのナノ層（１６）を含む材料スタック（１２）が提供され、ここで少なくとも１つのナノ層（１６）は、材料スタック（１２）の亀裂速度を１×１０^−１０ｍ／秒より小さな値に減少させる。１つ又は複数の膜（１４）は、低ｋ誘電体に限定されず、金属のような材料を含むことができる。好ましい実施形態においては、約３．０又はそれ以下の有効誘電率ｋを有する低ｋ誘電体スタック（１２）が提供されるが、そのスタック（１２）の機械的特性は、少なくとも１つのナノ層（１６）を誘電体スタック（１２）内に導入することによって改善される。機械的特性の改善は、スタック（１２）内の膜の誘電率を著しく増大させることなく、また本発明の誘電体スタック（１２）に何らかの後処理ステップを施すことを必要とせずに、達成される。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が２．７以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率（ｋ）膜、および、かかる膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、弾性係数および硬度が改善した多相超低ｋ膜、ならびにこれを形成するための様々な方法を提供する。多相超低ｋ誘電膜は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．４以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約５以上であり、硬度が約０．７以上である。好適な多相超低ｋ誘電膜は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．２以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約３以上であり、硬度が約０．３以上である。
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【課題】 緻密な膜を形成して、機械的強度を上げた窒化ホウ素膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 ガスノズル１１、１２により、成膜室２内にジボランガスとアンモニアガスを導入し、高周波アンテナ７により、成膜室内にプラズマ１０を発生させて、ジボランガスとアンモニアガスとを反応させ、更に、スパッタエッチング作用が発生可能な電力を下限とし、実質的な成膜がスパッタエッチング作用により停止されない電力を上限として、成膜室２内に配置された基板６に対して、低周波電源１５によりバイアス電力を印加して、基板６に窒化ホウ素膜の薄膜５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】
ＶＨＦプラズマの表面処理への応用において、一対の電極間に発生の定在波を均一化することにより、プラズマの強さの分布を一様化し、その結果、大面積・均一の超高周波プラズマ表面処理が可能な表面処理装置および表面処理方法を提供すること。
【解決手段】
一対の電極における電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも２つの給電点に時間的に分離されたパルス電力を供給し、該一対の電極間に電磁波の定在波の腹の位置が異なる複数の定在波を発生させ、かつそれらを重畳させる手段を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置及び方法。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボンと基材との密着力が向上すると共に、ガスバリヤ性を付与するアモルファスカーボン膜被覆基材及びアモルファスカーボン膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるアモルファスカーボン膜被覆基材２０は、基材２１の表面に減圧下で放電プラズマによりアモルファスカーボン膜２２を成膜してなるアモルファスカーボン膜被覆基材であって、前記基材２１とアモルファスカーボン膜２２との界面に、酸素、窒素のいずれか一方又は両方を有する活性処理層である活性処理層２３を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置において、装置の異常を確実に検出すること。
【解決手段】 第１の監視対象とこの第１の監視対象の大きさに影響を与える第２の監視対象とについて、第２の監視対象の値を種々変えることにより得られた両者の値の組に基づいて、２軸座標系に両者の値の相関データを作成する。バッチ式の成膜処理装置の場合であれば、第１の監視対象及び第２の監視対象は夫々例えば累積膜厚及び圧力調整バルブの角度である。この相関データに基づいて２軸座標系に正常領域と異常領域との境界を定めた境界データを作成し、両者の値で決まる相関データの位置が異常領域に入っていれば異常と判断する。 （もっと読む）

【課題】 後処理に頼らずに、ダンクリングボンドの発生を抑えることによって良好なゲート絶縁膜を効率よく形成させる薄膜トランジスタの形成方法およびこの薄膜トランジスタを形成させるプラズマＣＶＤ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 基板上にシリコン膜を形成する工程と、プラズマＣＶＤ法でプラズマを発生させるために印加する電力を段階的に変化させて上記シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成する工程とを有する薄膜トランジスタ形成方法およびこの薄膜トランジスタを形成するプラズマＣＶＤ装置を提供することによって、後処理を行なわなくても薄膜トランジスタの素子特性を向上させることができた。
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【課題】 半導体処理装置のチャンバー内に生成した高誘電率酸化物からなる堆積物・付着物を高速で除去でき、かつ他の化合物による堆積物の生成を防止した半導体処理装置のクリーニング方法を提供；シリコン基板上に成膜した高誘電率酸化物を、選択比が１を超える高い選択性をもってエッチング可能なシリコン基板のエッチング方法を提供。
【解決手段】 半導体処理装置のチャンバー内に生成した高誘電率酸化物からなる堆積物・付着物を除去する半導体処理装置のクリーニング方法であって、酸素原子供与性ガスまたは酸化性ガスのいずれかと、ハロゲン系ガスとを混合させたガスを、プラズマ処理または加熱処理により活性化し、前記堆積物・付着物を除去することを特徴とする半導体処理装置のクリーニング方法である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れ、劣化し難く、さらに撥水性に優れるダイヤフラム（自動車用ダイヤフラムを除く）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】外表面Ｓ４’に耐摩耗性、撥水性のある炭素膜Ｆが形成されているダイヤフラム及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 材料ガスの濃度分布が不均一であっても、均一な膜厚、膜質の薄膜を形成することができる表面波励起プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、チャンバー１、誘電体ブロック４ａ〜４ｄ、排気管５、基板ステージ６、材料ガス導入系７、放電ガス導入系８およびプラズマソース１０を備える。プラズマソース１０は、４本のマイクロ波導波管２ａ〜２ｄと、マイクロ波導波管のそれぞれに電気的に接続されている４台のマイクロ波発生装置３ａ〜３ｄとを備えている。これらの４つの対がプラズマソース単体１０ａ〜１０ｄであり、プラズマソース単体１０ａ〜１０ｄが集合して１台のプラズマソース１０を構成している。材料ガス導入系７によりチャンバー１内に導入された材料ガスＧ１の濃度分布に応じて、プラズマソース単体１０ａ〜１０ｄが発生するマイクロ波パワーを変えることにより、大面積の基板Ｓに均一な膜厚、膜質の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】活性化手段から印加されたエネルギーによる基板表面の損傷を抑制でき且つ速い速度で薄膜を形成することのできるＣＶＤ方法及び装置を提供する。
【解決手段】薄膜の形成対象とする基板Ｋを反応室２内の基板保持手段６に保持する基板保持ステップと、反応室を真空圧力まで減圧する減圧ステップと、目的とする薄膜の構成原子を含む原料ガスを反応室に導入するガス導入ステップと、活性化手段により原料ガスにエネルギーを印加して基板Ｋに薄膜を形成する膜形成ステップとを備えるＣＶＤ方法において、膜形成ステップは、活性化手段から基板に印加されるエネルギーが基板の表面に損傷を与えない第１エネルギーとなるようにして第１層目の薄膜を形成する第１膜形成ステップと、活性化手段から基板に印加されるエネルギーが第１エネルギーよりも強い第２エネルギーとなるようにして第２層目の薄膜を形成する第２膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバへのダメージが小さく，環境への影響の少ない，低コスト製造装置クリーニング方法の提供。
【解決手段】六フッ化硫黄と、酸素および亜酸化窒素からなる群から選択された酸素含有化合物とを含むガス混合物を、リモートプラズマ源６６に導入するステップと、ガス混合物の一部分をイオンに解離するステップと、それらの原子をチャンバ２０２の処理領域２１２に移送するステップと、インシチュプラズマを与えるステップと、イオンとの反応によって、チャンバ内から堆積物を洗浄するステップとを含む方法。 （もっと読む）

【課題】 水素ガスを使わずにどのような材料の基板上にもダイヤモンドを合成することが可能な低温合成方法であって、かつ安価で簡便に合成することができるダイヤモンドの低温合成方法を提供する。
【解決手段】 基板表面近傍に対向配置した金属ポルフィリン錯体５を加熱し蒸発させながら、高周波放電プラズマを発生させて基板４ａ，４ｂ表面上にダイヤモンドを合成する。 （もっと読む）

気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
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【課題】ナノ粒子の発生自体を制御し、効果的に基板上に低誘電率膜を堆積させる。
【解決手段】低誘電率膜を形成する方法であって、有機Siガスと不活性ガスからなる反応ガス容量結合方式のＣＶＤ装置の反応器へ導入する工程、該有機Siガスから気相中に生成する微粒子のサイズを該反応器内におけるプラズマ放電時間の関数として、nmオーダーに調整する工程、及び生成した該微粒子を該反応器内に載置された基板上に堆積する工程、を包含する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを用いてフッ素添加カーボン膜を成膜にするにあたり、原料ガスを分解してＣ4Ｆ6やＣ4Ｆ5を多く含む成膜種を得ることにより、リーク特性や熱的安定性に優れた特性を有するフッ素添加カーボン膜を成膜すること。
【解決手段】 気密な処理雰囲気内に載置された基板に対し、ラジアルラインスロットアンテナにマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理雰囲気の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給口との距離が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板と第１のガス供給部との距離が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件で、例えば環状Ｃ5Ｆ8ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化させると、Ｃ4Ｆ6イオン又はラジカルを多く含む成膜種が得られ、これによりフッ素添加カーボン膜を成膜する。 （もっと読む）