【課題】半導体材料処理室においてポロゲンを含有する多孔質膜を堆積させた後にその処理室において装置表面をクリーニングする方法を提供すること。
【解決手段】半導体材料処理室の装置表面をプロトン供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられたポロゲンと反応させることと、装置表面をフッ素供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられた薄膜と反応させることとを含んでなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】例えば成膜装置に液体原料を気化させた原料ガスを供給するための気化装置において液体材料を気化するにあたって、液体材料の気化効率を高めると共に、液体材料の気化を停止した時の液体材料の過熱による液体材料の分解や、あるいは気化装置を構成する部材間に設けられた樹脂製のシール部材の熱劣化を抑える。
【解決手段】気化装置内に下部熱交換部を設けて、霧化された液体材料の気化効率を高めると共に、この下部交換部を薄肉の石英により中空に構成して熱容量を小さくし、気化を停止した時の液体材料の過熱を抑え、またこの下部熱換部の内部空間を真空雰囲気として、更にこの下部熱交換部の内部にカーボンファイバからなるカーボンヒータを設けて、輻射熱により下部熱交換部、気化装置の内壁及び気化装置内に霧化された液体材料を直接加熱する。 （もっと読む）

【課題】 高周波プラズマ浸漬イオン注入リアクタのようなプラズマ処理チャンバにおいて精密な実時間ドーズ計測が必要とされる
【解決手段】 本発明は、一般に、プラズマ処理中に実時間にてイオンドーズを制御する方法及び装置を提供する。一実施形態において、イオンドーズは、高周波プローブからの現場測定値と結合して質量分布センサからのプラズマの現場測定値を使用して制御することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波電源の出力電力を例えば伝送経路による電力損失を補足するように校正する際に，その電源校正にかかる時間を従来に比して大幅に短縮する。
【解決手段】高周波電力の電力設定値とオフセット値をデジタルデータとして入力可能なインタフェース手段２０４を有し，電力設定値とオフセット値とに基づいて目標電力出力値を調整して，その目標電力出力値に応じた高周波電力を電力出力端子２０２から送出する高周波電源２００と，同軸ケーブル１０２を介して伝送された高周波電力が整合器１０４を介して供給される処理室３００と，高周波電源を校正する際に，電力設定値と整合器の入力電力の値との差分値に応じてオフセット値を求め，電力設定値とオフセット値を高周波電源のデータ入力端子にデジタル伝送することにより，整合器の入力電力の値が電力設定値になるように，高周波電源の出力電力を制御する電源制御手段４００とを設けた。 （もっと読む）

【課題】 方向性結合器は、高い周波数領域での反射波検出レベルが、実際よりも大きくなる周波数振幅特性を有している。そのため、高調波等の高い周波数の反射波が発生したときに、高周波電源装置内の増幅素子を保護するために、必要以上に増幅部１１の出力を抑制してしまう課題があった。
【解決手段】 高周波電力の供給源となる増幅部１１を備え、負荷にプラズマ発生用の高周波電力を供給する高周波電源装置において、反射波検出信号を出力する方向性結合器１３と、反射波検出信号の周波数振幅特性と逆特性を有する振幅特性変換部２０と、周波数振幅特性を変換した反射波検出信号を利用して、前記高周波出力手段の出力制御を行う出力電力制御部１９とを備えた。高い周波数領域の反射波を検出する場合であっても、反射波の検出レベルを、実際のレベルに近づけることによって、適切なレベルで出力制御を行うことができる。 （もっと読む）

本発明は、軟質基材上にバリヤー層を形成する方法及びプロセスを提供する。連続ロールツーロール法は、処理チャンバを通して基材を誘導するように構成された少なくとも１つのローラーを使用して、基材を処理チャンバに提供することを含む。該プロセスは、処理チャンバ内にある基材の少なくとも一部分を、ケイ素及び炭素含有前駆体ガスを含むプラズマに曝すことによって、バリヤー層を基材に近接して蒸着させることを含む。本発明は、構造単位ＳｉＣ：Ｈに基づいたバリヤー層を含む、コーティングされた軟質基材をさらに対象とする。該バリヤー層は、高密度及び低多孔度を有する。さらに、該バリヤー層は、１０^−２〜１０^−３ｇ．ｍ^−２ｄ^−１の範囲の低い水蒸気透過速度（ＷＶＴＲ）を示し、非常に低い透過率用途に適切である。
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基板上での薄膜の堆積を制御するためのシステム及び方法が開示される。一実施形態は、基板を提供するステップと、電磁放射を放出するように構成された複数のソースを提供するステップと、複数のソースのうちの第１ソースへ第１の量の電力を提供するステップと、複数のソースのうちの第２ソースへ第２の量の電力を提供するステップとを備え、基板上での膜の堆積を制御するように第１の量の電力と第２の量の電力が異なるものである。 （もっと読む）

【課題】少なくとも天井電極と、ワークピースサポート電極とを含む電極を有するプラズマリアクタチャンバにおいて、ワークピースを処理する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、各ＶＨＦ周波数ｆ１及びｆ２の各ＲＦ電源を、（ａ）電極の夫々か、（ｂ）電極の共通する１つに結合する工程であって、中心が高い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ１が十分に高く、中心が低い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ２が十分に低い工程を含む。この方法は、ｆ１周波数でのＲＦパラメータ対ｆ２周波数でのＲＦパラメータの比を調整して、プラズマイオン密度分布を制御する工程であって、ＲＦパラメータが、ＲＦ電力、ＲＦ電圧又はＲＦ電流のうち１つである工程を含む。 （もっと読む）

【課題】瞬時電力の設定値と比べて、マグネトロンにより照射されたマイクロ波の瞬時電力の正確さを改善し最適化する。
【解決手段】マグネトロンへの電力供給をマイクロ波の瞬時電力の設定値の関数として以下のように調整する。マグネトロンの電気効率の値を予め決めてメモリに記憶する。マイクロ波の平均電力の設定値を入力し、それを変換して電力信号の瞬時値の設定値を得る。マグネトロンに供給されたアノード電流と高電圧の瞬時値を測定してサンプリングする。サンプリング時におけるアノード電流の瞬時値に高電圧の瞬時値を乗算し、マグネトロンの電気効率の所定値を乗算して、サンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を得る。連続したサンプリング時において有効な所定の調整関係の関数として修正された、連続したサンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を決定する。それを修正されたマイクロ波の瞬時電力を表すアナログ信号に変換する。 （もっと読む）

本発明は、液晶表示装置の金属パターンが切断された場合、レーザーを用いて上部の絶縁膜にホールを形成し、ホールの間に金属薄膜を形成して切断部位を連結するための金属薄膜形成装置およびその方法に関する。本発明の金属薄膜形成方法は、基板上に蒸着された金属パターン４１が切断された場合、切断された金属パターンを連結するためのもので、第１レーザーを照射して金属パターン上の絶縁膜を除去し、薄膜が蒸着できる第１コンタクトホールと第２コンタクトホール４４を金属パターンに形成し、第２レーザーを照射して前記コンタクトホールに金属薄膜４６を充填し、前記第２レーザーを照射して前記ホールの間に金属薄膜を形成する。
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【課題】改良された性質を有するアモルファスシリコンデバイスを製造するための改良された方法を提供する。
【解決手段】約２０℃〜約２５０℃の基板温度；水素、重水素及びこれらの組み合わせからなる群より選択される希釈剤気体で、約５：１〜約１０００：１の希釈剤気体：供給ガスの希釈比で希釈された珪素含有供給ガス；及び約０．２Torr〜約５０Torrの圧力の条件でアモルファスシリコン層のプラズマ励起化学気相成長（PECVD）を行う。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマパラメータの所望の値に従って複数のチャンバパラメータを制御することによる、プラズマリアクタチャンバ内でのウェハ処理法に関する。
【解決手段】本方法はＭ個のプラズマパラメータについてのＭ個の所望の数値のセットをＮ個の各チャンバパラメータについてのＮ個の数値のセットへと同時変換することを含む。Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。Ｎ個のチャンバパラメータはソース電力、バイアス電力、チャンバ圧、内側磁気コイル電流、外側磁気コイル電流、内側領域ガス流量、外側領域ガス流量、内側領域ガス組成、外側領域ガス組成を含む群から選択される。本方法は更にＮ個のチャンバパラメータをＮ個の値のセットに設定することを含む。 （もっと読む）

例えば層間絶縁膜として使用されるフッ素添加カーボン膜について、弾性率及び機械的強度の大きいフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置からＣ_５Ｆ_８ガスを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．３２Ｗ／ｃｍ^２ 以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

医薬品パッケージ手段のような容器内の製品残留物の排出し易さを改善するために、本発明は、対応する基体に疎水性コーティングを設けるために提供される。この目的のために、基体と、コーティングされた状態で基体の表面の少なくとも一部を形成する、当該基体の上に堆積されるコーティングとを備える複合材が提供される。ここで、コーティングは、元素Ｃ、Ｏ及びＨを含有する化合物を含み、さらにＳｉ、Ｃ、Ｈ以外の元素は１０％未満、好ましくは５％未満の含量を有し、化合物はＳｉＯ_ｘＣ_ｙＨ_ｚ（式中、ｘが最大１．２である）の組成を含む。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に有効な尖頭状の形態を有する炭化ケイ素ナノ構造体、およびその炭化ケイ素ナノ構造体を低温で簡素なプロセスで製造できる方法の提供。
【解決手段】Ｓｉ基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在している炭化ケイ素ナノ構造体、および圧力１〜７０Ｐａ、０．５〜３ｋＷのマイクロ波出力、基板温度３５０〜６００℃のＳｉ基板を用いるマイクロ波プラズマＣＶＤ法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高周波励起のプラズマＣＶＤ法によるシリコン系薄膜の形成方法において、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶化度の高い多結晶シリコン系薄膜を形成する。
【解決手段】成膜時のガス圧を０．００９５Ｐａ〜６４Ｐａの範囲から、成膜室内へ導入する成膜原料ガスの導入流量Ｍｓに対する希釈ガスの導入流量Ｍｄの比（Ｍｄ／Ｍｓ）を０〜１２００の範囲から、高周波電力密度を０．００２４Ｗ／ｃｍ³ 〜１１Ｗ／ｃｍ³ の範囲からそれぞれ選択、決定するとともに、成膜時のプラズマポテンシャルを２５Ｖ以下、プラズマ中電子密度を１×１０¹⁰個／ｃｍ³ 以上に維持して膜形成し、且つ、それら圧力等の組み合わせをレーザラマン散乱分光法による膜中シリコンの結晶性評価においてアモルファスシリコン成分に起因するＩａに対する結晶化シリコン成分に起因するＩｃの比（Ｉｃ／Ｉａ＝結晶化度）が８以上となる組み合わせとして多結晶シリコン系薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高機能性薄膜を、大面積へ均一に、生産性高く、且つ、高性能に形成する薄膜形成方法、該薄膜を有する物品、光学フィルム、および、それを達成するための誘電体被覆電極およびプラズマ放電処理装置を提供する。
【解決手段】導電性母材を誘電体で被覆した角柱型の誘電体被覆電極であって、前記誘電体の空隙率が１０体積％以下であることを特徴とする誘電体被覆電極 （もっと読む）

【課題】良好なプロトン伝導体であり、電池を作製する方法に対して感度が高すぎることのない電解質材料、およびそのような材料を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の材料は、燃料電池の電解質（３０６）を構成するのに適した材料であって、炭素（Ｃ）、フッ素（Ｆ）、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）、およびケイ素（Ｓｉ）を含む疎水性マトリックスを有する。本発明の材料は、その材料を含む電解質の性能を、およびその結果としてそのような電解質を組み込んだ燃料電池の性能を改良するのに役立つ。本発明はさらに、蒸着速度があまり制限されないそのような材料を作製する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理方法において、プラズマ放電を継続しながらステップ切替えを行う場合、プラズマ処理条件の切替え時におけるプラズマ不安定を防止する。
【解決手段】プラズマ処理室と、プラズマ発生用の高周波電源と、該プラズマ発生用の高周波電源の反射電力を自動的に低減する自動整合機とを備えたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、予め処理条件切替え後のプラズマ処理条件を決定し（手順１）、切替え後の処理条件でテスト放電して自動整合機で反射波が低減した時点の整合素子の位置を記録し（手順２）、プラズマ処理条件切替え時に自動整合機を予め記録した整合素子の位置に移動させる（手順３）。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｌ_１）_ｙＭ（Ｌ_２）_ｚ−ｙ（ここで、Ｍは第５族金属又は第６族金属であり、Ｌ_１は置換又は非置換アニオン性６電子供与体リガンドであり、Ｌ_２は同じか異なり、かつ、（ｉ）置換若しくは非置換アニオン性２電子供与体リガンド、（ｉｉ）置換若しくは非置換カチオン性２電子供与体リガンド、又は（ｉｉｉ）置換若しくは非置換中性２電子供与体リガンドであり、ｙは整数１であり、ｚはＭの原子価であり、Ｍの酸化数とＬ_１及びＬ_２の電荷との合計は０に等しい）で表される有機金属化合物、有機金属化合物を製造する方法並びに有機金属前駆体化合物の熱的又はプラズマ強化解離により基体上に金属及び／又は金属炭化物／窒化物層を堆積する方法に関する。 （もっと読む）